Transistores RF FET

: 100 productos encontrados
Formato del filtro:

En este momento no está disponible la visualización del cálculo de precio de contrato. Los precios que se muestran son precios al por menor estándar. El cálculo del precio de contrato se aplica al procesar los pedidos.

filtro aplicado
filtros aplicados
{0}
{1}
= {0} : Varios valores
 
Comparar seleccionados Comparar Agregar seleccionados Agregar
Atributos ampliados Atributos
Agregar propiedades a la tabla

Seleccione las propiedades que le gustaría que se agregaran a las columnas al final de la tabla.

  No. de pieza del fabricante No. Parte Newark Fabricante / Descripción
Disp Precio para
Precio
Cantidad
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds Intensidad Drenador Continua Id Disipación de Potencia Pd Frecuencia de Funcionamiento Mín. Frecuencia de Funcionamiento Máx. Encapsulado de Transistor RF Núm. de Contactos Temperatura de Trabajo Máx. Rango de Producto
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
BF545C,215
BF545C,215 - Transistor FET RF, 30 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23

75R4674

NXP - Transistor FET RF, 30 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id 25mA
Disipación de Potencia Pd 250mW

+ Ver toda la información del producto

NXP 

Transistor FET RF, 30 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23

+ Verificar existencias y plazos de entrega

1,783 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 30/10/17

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id 25mA
Disipación de Potencia Pd 250mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

1,783

1+ $0.38 Precio para Precio promocional 25+ $0.379 Precio para Precio promocional 50+ $0.348 Precio para Precio promocional 100+ $0.321 Precio para Precio promocional 250+ $0.321 Precio para Precio promocional 500+ $0.321 Precio para Precio promocional 1000+ $0.321 Precio para Precio promocional Más precios…

Cantidad

1,783 En stock

+ Verificar existencias y plazos de entrega

1,783 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 30/10/17

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.38 Precio promocional 25+ $0.379 Precio promocional 50+ $0.348 Precio promocional 100+ $0.321 Precio promocional 250+ $0.321 Precio promocional 500+ $0.321 Precio promocional 1000+ $0.321 Precio promocional Más precios…

Agregar
Min: 1 Mult: 1
30V 25mA 250mW - - SOT-23 3Pines 150°C -
MRF1518NT1
MRF1518NT1 - Transistor FET RF, 40 V, 4 mA, 62.5 W, 400 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

02M5458

NXP - Transistor FET RF, 40 V, 4 mA, 62.5 W, 400 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 4mA
Disipación de Potencia Pd 62.5W

+ Ver toda la información del producto

NXP 

Transistor FET RF, 40 V, 4 mA, 62.5 W, 400 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

+ Verificar existencias y plazos de entrega

1,000 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Disponible en la cantidad indicada
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 4mA
Disipación de Potencia Pd 62.5W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 400MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 520MHz
Encapsulado de Transistor RF PLD-1.5
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

1,000

1+ $8.78 Precio para 1000+ $8.78 Precio para

Cantidad

1,000 En stock

+ Verificar existencias y plazos de entrega

1,000 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Each (Supplied on Full Reel)

Disponible en la cantidad indicada

1+ $8.78 1000+ $8.78

Agregar
Min: 1 Mult: 1
40V 4mA 62.5W 400MHz 520MHz PLD-1.5 3Pines 150°C -
MRF1518NT1
MRF1518NT1 - Transistor FET RF, 40 V, 4 mA, 62.5 W, 400 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

34R2430

NXP - Transistor FET RF, 40 V, 4 mA, 62.5 W, 400 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 4mA
Disipación de Potencia Pd 62.5W

+ Ver toda la información del producto

NXP 

Transistor FET RF, 40 V, 4 mA, 62.5 W, 400 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

+ Verificar existencias y plazos de entrega

596 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Disponible en la cantidad indicada
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 4mA
Disipación de Potencia Pd 62.5W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 400MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 520MHz
Encapsulado de Transistor RF PLD-1.5
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

596

1+ $14.08 Precio para 10+ $12.95 Precio para 25+ $12.37 Precio para 50+ $11.66 Precio para 100+ $10.94 Precio para 250+ $9.77 Precio para 500+ $9.44 Precio para Más precios…

Cantidad

596 En stock

+ Verificar existencias y plazos de entrega

596 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Each (Supplied on Cut Tape)

Disponible en la cantidad indicada

1+ $14.08 10+ $12.95 25+ $12.37 50+ $11.66 100+ $10.94 250+ $9.77 500+ $9.44 Más precios…

Agregar
Min: 1 Mult: 1
40V 4mA 62.5W 400MHz 520MHz PLD-1.5 3Pines 150°C -
J111
J111 - Transistor FET RF, 35 V, 625 mW, TO-92

58K8917

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD - Transistor FET RF, 35 V, 625 mW, TO-92

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 35V
Disipación de Potencia Pd 625mW
Encapsulado de Transistor RF TO-92

+ Ver toda la información del producto

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 

Transistor FET RF, 35 V, 625 mW, TO-92

+ Verificar existencias y plazos de entrega

750 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

  • 4 mas inventario disponible para envió 3/10/2017
  • Tendremos más stock disponible la semana del 13/11/17

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 35V
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Disipación de Potencia Pd 625mW
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
    Encapsulado de Transistor RF TO-92
    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto -

    750

    1+ $0.516 Precio para 10+ $0.364 Precio para 100+ $0.167 Precio para 500+ $0.149 Precio para 1000+ $0.129 Precio para 2500+ $0.11 Precio para 10000+ $0.10 Precio para 25000+ $0.093 Precio para Más precios…

    Cantidad

    750 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    750 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

  • 4 mas inventario disponible para envió 3/10/2017
  • Tendremos más stock disponible la semana del 13/11/17

    Ver stock adicional de Avnet

    Each

    1+ $0.516 10+ $0.364 100+ $0.167 500+ $0.149 1000+ $0.129 2500+ $0.11 10000+ $0.10 25000+ $0.093 Más precios…

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    35V - 625mW - - TO-92 3Pines 150°C -
    MW6S004NT1
    MW6S004NT1 - Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5

    34R2431

    NXP - Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 68V
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    570 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 23/10/17

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 68V
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Disipación de Potencia Pd -
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz
    Encapsulado de Transistor RF PLD-1.5
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto -

    570

    1+ $10.08 Precio para Precio promocional 10+ $9.24 Precio para Precio promocional 25+ $9.24 Precio para Precio promocional 50+ $9.23 Precio para Precio promocional 100+ $8.52 Precio para Precio promocional 250+ $8.52 Precio para Precio promocional 500+ $8.52 Precio para Precio promocional Más precios…

    Cantidad

    570 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    570 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 23/10/17

    Each (Supplied on Cut Tape)

    1+ $10.08 Precio promocional 10+ $9.24 Precio promocional 25+ $9.24 Precio promocional 50+ $9.23 Precio promocional 100+ $8.52 Precio promocional 250+ $8.52 Precio promocional 500+ $8.52 Precio promocional Más precios…

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    68V - - 1MHz 2GHz PLD-1.5 4Pines 150°C -
    MRF1550NT1
    MRF1550NT1 - Transistor FET RF, 40 V, 12 A, 165 W, 135 MHz, 175 MHz, TO-272

    43K5599

    NXP - Transistor FET RF, 40 V, 12 A, 165 W, 135 MHz, 175 MHz, TO-272

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 40V
    Intensidad Drenador Continua Id 12A
    Disipación de Potencia Pd 165W

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 40 V, 12 A, 165 W, 135 MHz, 175 MHz, TO-272

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    384 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 23/10/17

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 40V
    Intensidad Drenador Continua Id 12A
    Disipación de Potencia Pd 165W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 135MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 175MHz
    Encapsulado de Transistor RF TO-272
    Núm. de Contactos 6Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
    Rango de Producto -

    384

    1+ $47.94 Precio para 10+ $44.73 Precio para 25+ $40.55 Precio para 50+ $39.70 Precio para 100+ $38.85 Precio para 250+ $35.90 Precio para Más precios…

    Cantidad

    384 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    384 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 23/10/17

    Each (Supplied on Cut Tape)

    1+ $47.94 10+ $44.73 25+ $40.55 50+ $39.70 100+ $38.85 250+ $35.90 Más precios…

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    40V 12A 165W 135MHz 175MHz TO-272 6Pines 200°C -
    MRF1535NT1
    MRF1535NT1 - Transistor FET RF, 40 V, 6 A, 35 W, 400 MHz, 520 MHz, TO-272

    22M7859

    NXP - Transistor FET RF, 40 V, 6 A, 35 W, 400 MHz, 520 MHz, TO-272

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 40V
    Intensidad Drenador Continua Id 6A
    Disipación de Potencia Pd 35W

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 40 V, 6 A, 35 W, 400 MHz, 520 MHz, TO-272

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    329 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 30/10/17

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 40V
    Intensidad Drenador Continua Id 6A
    Disipación de Potencia Pd 35W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 400MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 520MHz
    Encapsulado de Transistor RF TO-272
    Núm. de Contactos 6Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
    Rango de Producto -

    329

    1+ $27.91 Precio para Precio promocional 10+ $27.91 Precio para Precio promocional 25+ $27.91 Precio para Precio promocional 50+ $27.91 Precio para Precio promocional 100+ $27.91 Precio para Precio promocional 250+ $25.92 Precio para Precio promocional Más precios…

    Cantidad

    329 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    329 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 30/10/17

    Each (Supplied on Cut Tape)

    1+ $27.91 Precio promocional 10+ $27.91 Precio promocional 25+ $27.91 Precio promocional 50+ $27.91 Precio promocional 100+ $27.91 Precio promocional 250+ $25.92 Precio promocional Más precios…

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    40V 6A 35W 400MHz 520MHz TO-272 6Pines 200°C -
    MRFE6VS25NR1
    MRFE6VS25NR1 - Transistor FET RF, 133 VDC, 25 W, 1.8 MHz, 2 GHz, TO-270

    28W3507

    NXP - Transistor FET RF, 133 VDC, 25 W, 1.8 MHz, 2 GHz, TO-270

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 133VDC
    Disipación de Potencia Pd 25W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 133 VDC, 25 W, 1.8 MHz, 2 GHz, TO-270

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    297 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Disponible en la cantidad indicada
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 133VDC
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Disipación de Potencia Pd 25W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz
    Encapsulado de Transistor RF TO-270
    Núm. de Contactos 2Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto -

    297

    1+ $13.87 Precio para Precio promocional 10+ $13.87 Precio para Precio promocional 25+ $13.87 Precio para Precio promocional 50+ $13.87 Precio para Precio promocional 100+ $13.87 Precio para Precio promocional 250+ $13.87 Precio para Precio promocional Más precios…

    Cantidad

    297 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    297 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Each (Supplied on Cut Tape)

    Disponible en la cantidad indicada

    1+ $13.87 Precio promocional 10+ $13.87 Precio promocional 25+ $13.87 Precio promocional 50+ $13.87 Precio promocional 100+ $13.87 Precio promocional 250+ $13.87 Precio promocional Más precios…

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    133VDC - 25W 1.8MHz 2GHz TO-270 2Pines 150°C -
    ATF-551M4-BLK
    ATF-551M4-BLK - Transistor FET RF, 2.7 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 10 GHz, MiniPak

    54K2746

    BROADCOM LIMITED - Transistor FET RF, 2.7 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 10 GHz, MiniPak

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 2.7V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 270mW

    + Ver toda la información del producto

    BROADCOM LIMITED 

    Transistor FET RF, 2.7 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 10 GHz, MiniPak

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    188 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Disponible en la cantidad indicada
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 2.7V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 270mW
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 450MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 10GHz
    Encapsulado de Transistor RF MiniPak
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto -

    188

    1+ $1.21 Precio para Precio promocional 10+ $1.12 Precio para Precio promocional 100+ $1.03 Precio para Precio promocional 500+ $1.03 Precio para Precio promocional 1000+ $0.951 Precio para Precio promocional 2500+ $0.888 Precio para Precio promocional 5000+ $0.866 Precio para Precio promocional Más precios…

    Cantidad

    188 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    188 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Each

    Disponible en la cantidad indicada

    1+ $1.21 Precio promocional 10+ $1.12 Precio promocional 100+ $1.03 Precio promocional 500+ $1.03 Precio promocional 1000+ $0.951 Precio promocional 2500+ $0.888 Precio promocional 5000+ $0.866 Precio promocional Más precios…

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    2.7V 100mA 270mW 450MHz 10GHz MiniPak 4Pines 150°C -
    DE150-501N04A
    DE150-501N04A - Transistor FET RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150

    42M1752

    IXYS RF - Transistor FET RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 500V
    Intensidad Drenador Continua Id 4.5A
    Disipación de Potencia Pd 200W

    + Ver toda la información del producto

    IXYS RF 

    Transistor FET RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    149 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 1/01/18

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 500V
    Intensidad Drenador Continua Id 4.5A
    Disipación de Potencia Pd 200W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 100MHz
    Encapsulado de Transistor RF DE-150
    Núm. de Contactos 6Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
    Rango de Producto -

    149

    1+ $40.57 Precio para Precio promocional 25+ $40.57 Precio para Precio promocional 50+ $40.57 Precio para Precio promocional 100+ $40.57 Precio para Precio promocional 250+ $40.57 Precio para Precio promocional

    Cantidad

    149 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    149 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 1/01/18

    Each

    1+ $40.57 Precio promocional 25+ $40.57 Precio promocional 50+ $40.57 Precio promocional 100+ $40.57 Precio promocional 250+ $40.57 Precio promocional

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    500V 4.5A 200W - 100MHz DE-150 6Pines 175°C -
    DE275X2-102N06A
    DE275X2-102N06A - Transistor FET RF, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2

    42M1755

    IXYS RF - Transistor FET RF, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 1kV
    Intensidad Drenador Continua Id 16A
    Disipación de Potencia Pd 1.18kW

    + Ver toda la información del producto

    IXYS RF 

    Transistor FET RF, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    53 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 1/01/18

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 1kV
    Intensidad Drenador Continua Id 16A
    Disipación de Potencia Pd 1.18kW
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 100MHz
    Encapsulado de Transistor RF DE-275X2
    Núm. de Contactos 8Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
    Rango de Producto -

    53

    1+ $86.41 Precio para 25+ $82.30 Precio para 50+ $78.52 Precio para 100+ $76.12 Precio para 250+ $73.73 Precio para

    Cantidad

    53 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    53 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 1/01/18

    Each

    1+ $86.41 25+ $82.30 50+ $78.52 100+ $76.12 250+ $73.73

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    1kV 16A 1.18kW - 100MHz DE-275X2 8Pines 175°C -
    DE275-501N16A
    DE275-501N16A - Transistor FET RF, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275

    42M1754

    IXYS RF - Transistor FET RF, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 500V
    Intensidad Drenador Continua Id 16A
    Disipación de Potencia Pd 590W

    + Ver toda la información del producto

    IXYS RF 

    Transistor FET RF, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    38 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 1/01/18

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 500V
    Intensidad Drenador Continua Id 16A
    Disipación de Potencia Pd 590W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 100MHz
    Encapsulado de Transistor RF DE-275
    Núm. de Contactos 6Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
    Rango de Producto -

    38

    1+ $34.42 Precio para Precio promocional 25+ $34.42 Precio para Precio promocional 50+ $34.42 Precio para Precio promocional 100+ $34.42 Precio para Precio promocional 250+ $34.42 Precio para Precio promocional

    Cantidad

    38 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    38 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 1/01/18

    Each

    1+ $34.42 Precio promocional 25+ $34.42 Precio promocional 50+ $34.42 Precio promocional 100+ $34.42 Precio promocional 250+ $34.42 Precio promocional

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    500V 16A 590W - 100MHz DE-275 6Pines 175°C -
    MRFE6VP61K25HR5
    MRFE6VP61K25HR5 - Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

    19T6330

    NXP - Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 125V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 1.333kW

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    36 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Disponible en la cantidad indicada
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 125V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 1.333kW
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
    Encapsulado de Transistor RF NI-1230
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
    Rango de Producto -

    36

    1+ $263.91 Precio para Precio promocional 10+ $246.32 Precio para Precio promocional 25+ $246.32 Precio para Precio promocional

    Cantidad

    36 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    36 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Each (Supplied on Cut Tape)

    Disponible en la cantidad indicada

    1+ $263.91 Precio promocional 10+ $246.32 Precio promocional 25+ $246.32 Precio promocional

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    125V 100mA 1.333kW 1.8MHz 600MHz NI-1230 4Pines 225°C -
    IXZ308N120
    IXZ308N120 - Transistor FET RF, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

    42M1944

    IXYS RF - Transistor FET RF, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
    Intensidad Drenador Continua Id 8A
    Disipación de Potencia Pd 880W

    + Ver toda la información del producto

    IXYS RF 

    Transistor FET RF, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    32 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Disponible en la cantidad indicada
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
    Intensidad Drenador Continua Id 8A
    Disipación de Potencia Pd 880W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
    Encapsulado de Transistor RF DE-375
    Núm. de Contactos 6Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
    Rango de Producto -

    32

    1+ $38.24 Precio para Precio promocional 25+ $38.24 Precio para Precio promocional 50+ $38.24 Precio para Precio promocional 100+ $38.24 Precio para Precio promocional 250+ $38.24 Precio para Precio promocional

    Cantidad

    32 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    32 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Each

    Disponible en la cantidad indicada

    1+ $38.24 Precio promocional 25+ $38.24 Precio promocional 50+ $38.24 Precio promocional 100+ $38.24 Precio promocional 250+ $38.24 Precio promocional

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    1.2kV 8A 880W - - DE-375 6Pines 175°C -
    MRFE6VP6300HSR5
    MRFE6VP6300HSR5 - Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 300 W, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780S

    13T4415

    NXP - Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 300 W, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780S

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 125V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 300W

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 300 W, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780S

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    27 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Disponible en la cantidad indicada
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 125V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 300W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
    Encapsulado de Transistor RF NI-780S
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
    Rango de Producto -

    27

    1+ $76.97 Precio para Precio promocional 10+ $76.97 Precio para Precio promocional 25+ $76.97 Precio para Precio promocional 50+ $76.97 Precio para Precio promocional 100+ $76.97 Precio para Precio promocional 250+ $76.97 Precio para Precio promocional 500+ $76.97 Precio para Precio promocional Más precios…

    Cantidad

    27 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    27 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Each (Supplied on Cut Tape)

    Disponible en la cantidad indicada

    1+ $76.97 Precio promocional 10+ $76.97 Precio promocional 25+ $76.97 Precio promocional 50+ $76.97 Precio promocional 100+ $76.97 Precio promocional 250+ $76.97 Precio promocional 500+ $76.97 Precio promocional Más precios…

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    125V 100mA 300W 1.8MHz 600MHz NI-780S 4Pines 225°C -
    AFT05MS031NR1
    AFT05MS031NR1 - Transistor FET RF, 40 VDC, 31 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270

    28W3504

    NXP - Transistor FET RF, 40 VDC, 31 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 40VDC
    Disipación de Potencia Pd 31W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 136MHz

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 40 VDC, 31 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    6 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Disponible en la cantidad indicada
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 40VDC
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Disipación de Potencia Pd 31W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 136MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 520MHz
    Encapsulado de Transistor RF TO-270
    Núm. de Contactos 2Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
    Rango de Producto -

    6

    1+ $9.01 Precio para Precio promocional 10+ $9.01 Precio para Precio promocional 25+ $9.01 Precio para Precio promocional 50+ $9.01 Precio para Precio promocional 100+ $9.01 Precio para Precio promocional 250+ $9.01 Precio para Precio promocional Más precios…

    Cantidad

    6 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    6 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Each (Supplied on Cut Tape)

    Disponible en la cantidad indicada

    1+ $9.01 Precio promocional 10+ $9.01 Precio promocional 25+ $9.01 Precio promocional 50+ $9.01 Precio promocional 100+ $9.01 Precio promocional 250+ $9.01 Precio promocional Más precios…

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    40VDC - 31W 136MHz 520MHz TO-270 2Pines 225°C -
    MRFE6VP61K25HSR5
    MRFE6VP61K25HSR5 - Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230S

    19T6332

    NXP - Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230S

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 125V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 1.333kW

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230S

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    6 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Disponible en la cantidad indicada
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 125V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 1.333kW
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
    Encapsulado de Transistor RF NI-1230S
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
    Rango de Producto -

    6

    1+ $270.21 Precio para 10+ $258.78 Precio para 25+ $254.96 Precio para

    Cantidad

    6 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    6 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Each (Supplied on Cut Tape)

    Disponible en la cantidad indicada

    1+ $270.21 10+ $258.78 25+ $254.96

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    125V 100mA 1.333kW 1.8MHz 600MHz NI-1230S 4Pines 225°C -
    MRFE6VP5600HR5
    MRFE6VP5600HR5 - Transistor FET RF, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

    24T5453

    NXP - Transistor FET RF, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 130V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 1.667kW

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    4 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Disponible en la cantidad indicada
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 130V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 1.667kW
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
    Encapsulado de Transistor RF NI-1230
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
    Rango de Producto -

    4

    1+ $161.73 Precio para Precio promocional 10+ $161.73 Precio para Precio promocional 25+ $161.73 Precio para Precio promocional

    Cantidad

    4 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    4 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Each (Supplied on Cut Tape)

    Disponible en la cantidad indicada

    1+ $161.73 Precio promocional 10+ $161.73 Precio promocional 25+ $161.73 Precio promocional

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    130V 100mA 1.667kW 1.8MHz 600MHz NI-1230 4Pines 225°C -
    NTE454
    NTE454 - Transistor FET RF, 20 V, 60 mA, 360 mW

    31C4191

    NTE ELECTRONICS - Transistor FET RF, 20 V, 60 mA, 360 mW

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 20V
    Intensidad Drenador Continua Id 60mA
    Disipación de Potencia Pd 360mW

    + Ver toda la información del producto

    NTE ELECTRONICS 

    Transistor FET RF, 20 V, 60 mA, 360 mW

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    4 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 16/10/17

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 20V
    Intensidad Drenador Continua Id 60mA
    Disipación de Potencia Pd 360mW
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
    Encapsulado de Transistor RF -
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
    Rango de Producto -

    4

    1+ $21.79 Precio para 50+ $21.31 Precio para 100+ $20.47 Precio para 250+ $19.64 Precio para 500+ $19.28 Precio para

    Cantidad

    4 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    4 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 16/10/17

    Each

    1+ $21.79 50+ $21.31 100+ $20.47 250+ $19.64 500+ $19.28

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    20V 60mA 360mW - - - 4Pines 175°C -
    MRFE6VP100HR5
    MRFE6VP100HR5 - Transistor FET RF, 133 VDC, 100 W, 1.8 MHz, 2 GHz, NI-780

    28W3506

    NXP - Transistor FET RF, 133 VDC, 100 W, 1.8 MHz, 2 GHz, NI-780

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 133VDC
    Disipación de Potencia Pd 100W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 133 VDC, 100 W, 1.8 MHz, 2 GHz, NI-780

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    3 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Disponible en la cantidad indicada
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 133VDC
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Disipación de Potencia Pd 100W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz
    Encapsulado de Transistor RF NI-780
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto -

    3

    1+ $97.82 Precio para 10+ $92.94 Precio para 25+ $89.04 Precio para

    Cantidad

    3 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    3 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Each (Supplied on Cut Tape)

    Disponible en la cantidad indicada

    1+ $97.82 10+ $92.94 25+ $89.04

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    133VDC - 100W 1.8MHz 2GHz NI-780 4Pines 150°C -
    MW6S004NT1
    MW6S004NT1 - Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5

    81K3648

    NXP - Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 68V
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    2,000 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 4/12/17

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 68V
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Disipación de Potencia Pd -
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz
    Encapsulado de Transistor RF PLD-1.5
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto -

    2,000

    1000+ $6.52 Precio para Precio promocional

    Cantidad

    2,000 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    2,000 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 4/12/17

    Each (Supplied on Full Reel)

    1000+ $6.52 Precio promocional

    Agregar
    Min: 1000 Mult: 1000
    68V - - 1MHz 2GHz PLD-1.5 4Pines 150°C -
    GA20SICP12-263
    GA20SICP12-263 - Transistor FET RF, 1.2 kV, 20 A, 157 W, TO-263

    08X5874

    GENESIC SEMICONDUCTOR - Transistor FET RF, 1.2 kV, 20 A, 157 W, TO-263

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
    Intensidad Drenador Continua Id 20A
    Disipación de Potencia Pd 157W

    + Ver toda la información del producto

    GENESIC SEMICONDUCTOR 

    Transistor FET RF, 1.2 kV, 20 A, 157 W, TO-263

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    40 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 29/01/18

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
    Intensidad Drenador Continua Id 20A
    Disipación de Potencia Pd 157W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
    Encapsulado de Transistor RF TO-263
    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. -
    Rango de Producto -

    40

    1+ $42.81 Precio para Precio promocional 25+ $42.81 Precio para Precio promocional

    Cantidad

    40 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    40 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 29/01/18

    Each

    1+ $42.81 Precio promocional 25+ $42.81 Precio promocional

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    1.2kV 20A 157W - - TO-263 3Pines - -
    BLA6H1011-600,112
    BLA6H1011-600,112 - Transistor FET RF, 48 V, 72 A, 600 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, SOT-539A

    70R2740

    NXP - Transistor FET RF, 48 V, 72 A, 600 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, SOT-539A

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 48V
    Intensidad Drenador Continua Id 72A
    Disipación de Potencia Pd 600W

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 48 V, 72 A, 600 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, SOT-539A

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    4 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Disponible en la cantidad indicada
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 48V
    Intensidad Drenador Continua Id 72A
    Disipación de Potencia Pd 600W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.03GHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 1.09GHz
    Encapsulado de Transistor RF SOT-539A
    Núm. de Contactos 2Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
    Rango de Producto -

    4

    1+ $742.08 Precio para 5+ $731.06 Precio para 10+ $720.37 Precio para 25+ $677.14 Precio para

    Cantidad

    4 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    4 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Each

    Disponible en la cantidad indicada

    1+ $742.08 5+ $731.06 10+ $720.37 25+ $677.14

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    48V 72A 600W 1.03GHz 1.09GHz SOT-539A 2Pines 200°C -
    BLS6G3135-120,112
    BLS6G3135-120,112 - Transistor FET RF, 32 V, 7.2 A, 120 W, 3.1 GHz, 3.5 GHz, SOT-502B

    70R2902

    NXP - Transistor FET RF, 32 V, 7.2 A, 120 W, 3.1 GHz, 3.5 GHz, SOT-502B

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 32V
    Intensidad Drenador Continua Id 7.2A
    Disipación de Potencia Pd 120W

    + Ver toda la información del producto

    NXP 

    Transistor FET RF, 32 V, 7.2 A, 120 W, 3.1 GHz, 3.5 GHz, SOT-502B

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    3 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Disponible en la cantidad indicada
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 32V
    Intensidad Drenador Continua Id 7.2A
    Disipación de Potencia Pd 120W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 3.1GHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 3.5GHz
    Encapsulado de Transistor RF SOT-502B
    Núm. de Contactos 2Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
    Rango de Producto -

    3

    1+ $190.31 Precio para Precio promocional 5+ $190.31 Precio para Precio promocional 10+ $190.31 Precio para Precio promocional 25+ $190.31 Precio para Precio promocional

    Cantidad

    3 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    3 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Each

    Disponible en la cantidad indicada

    1+ $190.31 Precio promocional 5+ $190.31 Precio promocional 10+ $190.31 Precio promocional 25+ $190.31 Precio promocional

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    32V 7.2A 120W 3.1GHz 3.5GHz SOT-502B 2Pines 225°C -
    VRF152
    VRF152 - Transistor FET RF, 130 V, 20 A, 300 W, M174

    79R4883

    MICROSEMI - Transistor FET RF, 130 V, 20 A, 300 W, M174

    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 130V
    Intensidad Drenador Continua Id 20A
    Disipación de Potencia Pd 300W

    + Ver toda la información del producto

    MICROSEMI 

    Transistor FET RF, 130 V, 20 A, 300 W, M174

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    3 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Disponible en la cantidad indicada
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 130V
    Intensidad Drenador Continua Id 20A
    Disipación de Potencia Pd 300W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
    Encapsulado de Transistor RF M174
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. -
    Rango de Producto -

    3

    1+ $118.42 Precio para Precio promocional

    Cantidad

    3 En stock

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    3 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Each

    Disponible en la cantidad indicada

    1+ $118.42 Precio promocional

    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    130V 20A 300W - - M174 4Pines - -