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FUJI ELECTRIC  FMV20N60S1  MOSFET de Potencia, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V

FUJI ELECTRIC FMV20N60S1
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Resumen del producto

The FMV20N60S1 is a N-channel enhancement-mode power MOSFET with 600VDS drain source voltage. It is suitable for switching application.

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
20A
Tensión Drenaje-Fuente Vds:
600V
Resistencia de Activación Rds(on):
0.161ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
3V
Disipación de Potencia Pd:
53W
Diseño de Transistor:
TO-220F
Núm. de Contactos:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia;
  • Comunicaciones y Red

Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor Independiente

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