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FUJI ELECTRIC  FMW20N60S1HF  MOSFET de Potencia, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V

FUJI ELECTRIC FMW20N60S1HF
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
20A
Tensión Drenaje-Fuente Vds:
600V
Resistencia de Activación Rds(on):
0.161ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
3V
Disipación de Potencia Pd:
140W
Diseño de Transistor:
TO-247
Núm. de Contactos:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor Independiente

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