Transistores - JFET

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Tensión Disruptiva Vbr Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. Diseño de Transistor Tipo de Transistor Núm. de Pines Temperatura de Trabajo Máx. Rango de Producto
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
45J1517
MMBFJ175LT1G

MMBFJ175LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, 7 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET

Tensión Disruptiva Vbr 30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 7mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 60mA

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ON SEMICONDUCTOR 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, 7 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr 30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 7mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 60mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. 6V
Diseño de Transistor SOT-23
Tipo de Transistor JFET
Núm. de Pines 3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

18,343

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30V 7mA 60mA 6V SOT-23 JFET 3 Pines 150°C -
06J8328
SST201-T1-E3

SST201-T1-E3

VISHAY

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -40 V, 200 µA, 1 mA, -1.5 V, TO-236, JFET

Tensión Disruptiva Vbr -40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 200µA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 1mA

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VISHAY 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -40 V, 200 µA, 1 mA, -1.5 V, TO-236, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr -40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 200µA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 1mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -1.5V
Diseño de Transistor TO-236
Tipo de Transistor JFET
Núm. de Pines 3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

17,288

Each (Supplied on Cut Tape)

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-40V 200µA 1mA -1.5V TO-236 JFET 3 Pines 150°C -
18C5935
BSR58

BSR58

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 40 V, 8 mA, 80 mA, 4 V, SOT-23, JFET

Tensión Disruptiva Vbr 40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 8mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 80mA

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 40 V, 8 mA, 80 mA, 4 V, SOT-23, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr 40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 8mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 80mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. 4V
Diseño de Transistor SOT-23
Tipo de Transistor JFET
Núm. de Pines 3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

12,631

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40V 8mA 80mA 4V SOT-23 JFET 3 Pines 150°C -
58K1754
J107

J107

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 100 mA, 100 mA, -4.5 V, TO-92, JFET

Tensión Disruptiva Vbr -25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 100mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 100mA

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 100 mA, 100 mA, -4.5 V, TO-92, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr -25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 100mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 100mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -4.5V
Diseño de Transistor TO-92
Tipo de Transistor JFET
Núm. de Pines 3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
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9,968

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-25V 100mA 100mA -4.5V TO-92 JFET 3 Pines 150°C -
58K1756
J109

J109

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, JFET

Tensión Disruptiva Vbr -25V
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 40mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -6V

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr -25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula -
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 40mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -6V
Diseño de Transistor TO-92
Tipo de Transistor JFET
Núm. de Pines 3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
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6,316

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-25V - 40mA -6V TO-92 JFET 3 Pines 150°C -
15R4040
MMBFJ202

MMBFJ202

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -40 V, 900 µA, 4.5 mA, -4 V, SOT-23, JFET

Tensión Disruptiva Vbr -40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 900µA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 4.5mA

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -40 V, 900 µA, 4.5 mA, -4 V, SOT-23, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr -40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 900µA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 4.5mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -4V
Diseño de Transistor SOT-23
Tipo de Transistor JFET
Núm. de Pines 3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

5,725

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-40V 900µA 4.5mA -4V SOT-23 JFET 3 Pines 150°C -
45J1523
MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, 50 mA, 150 mA, -10 V, SOT-23, JFET

Tensión Disruptiva Vbr 30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 50mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 150mA

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ON SEMICONDUCTOR 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, 50 mA, 150 mA, -10 V, SOT-23, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr 30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 50mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 150mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -10V
Diseño de Transistor SOT-23
Tipo de Transistor JFET
Núm. de Pines 3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

5,601

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30V 50mA 150mA -10V SOT-23 JFET 3 Pines 150°C -
58K9424
MMBFJ113

MMBFJ113

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -35 V, 2 mA, -3 V, SOT-23, JFET

Tensión Disruptiva Vbr -35V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 2mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -3V

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -35 V, 2 mA, -3 V, SOT-23, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr -35V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 2mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula -
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -3V
Diseño de Transistor SOT-23
Tipo de Transistor JFET
Núm. de Pines 3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

4,819

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1+ $0.546 Precio para 10+ $0.387 Precio para 100+ $0.178 Precio para 1000+ $0.137 Precio para Más Menos

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1+ $0.546 10+ $0.387 100+ $0.178 Más precios

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-35V 2mA - -3V SOT-23 JFET 3 Pines 150°C -
06J8317
SST174-E3

SST174-E3

VISHAY

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, -20 mA, -135 mA, 10 V, TO-236, JFET

Tensión Disruptiva Vbr 30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula -20mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula -135mA

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VISHAY 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, -20 mA, -135 mA, 10 V, TO-236, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr 30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula -20mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula -135mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. 10V
Diseño de Transistor TO-236
Tipo de Transistor JFET
Núm. de Pines 3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

4,764

Each

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Each

1+ $0.564 Precio promocional 1000+ $0.564 Precio promocional 2000+ $0.513 Precio promocional

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30V -20mA -135mA 10V TO-236 JFET 3 Pines 150°C -
84W8887
J175_D26Z

J175_D26Z

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, -7 mA, -60 mA, 6 V, TO-92, JFET

Tensión Disruptiva Vbr 30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula -7mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula -60mA

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, -7 mA, -60 mA, 6 V, TO-92, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr 30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula -7mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula -60mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. 6V
Diseño de Transistor TO-92
Tipo de Transistor JFET
Núm. de Pines 3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

4,259

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.496 Precio para 10+ $0.381 Precio para 100+ $0.207 Precio para 1000+ $0.156 Precio para Más Menos

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.496 10+ $0.381 100+ $0.207 Más precios

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30V -7mA -60mA 6V TO-92 JFET 3 Pines 150°C -
58K1876
MMBF5486

MMBF5486

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 8 mA, 20 mA, -6 V, SOT-23, FET de RF

Tensión Disruptiva Vbr -25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 8mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 20mA

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 8 mA, 20 mA, -6 V, SOT-23, FET de RF

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Tensión Disruptiva Vbr -25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 8mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 20mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -6V
Diseño de Transistor SOT-23
Tipo de Transistor FET de RF
Núm. de Pines 3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

4,095

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.077 Precio para Precio promocional 10+ $0.077 Precio para Precio promocional 100+ $0.077 Precio para Precio promocional 1000+ $0.071 Precio para Precio promocional Más Menos

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.077 Precio promocional 10+ $0.077 Precio promocional 100+ $0.077 Precio promocional Más precios

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-25V 8mA 20mA -6V SOT-23 FET de RF 3 Pines 150°C -
58K8918
J112

J112

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -35 V, 5 mA, -5 V, TO-92, JFET

Tensión Disruptiva Vbr -35V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 5mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -5V

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -35 V, 5 mA, -5 V, TO-92, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr -35V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 5mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula -
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -5V
Diseño de Transistor TO-92
Tipo de Transistor JFET
Núm. de Pines 3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

4,065

Each

1+ $0.582 Precio para 10+ $0.382 Precio para 100+ $0.166 Precio para 1000+ $0.127 Precio para 2500+ $0.096 Precio para 10000+ $0.086 Precio para 25000+ $0.079 Precio para 50000+ $0.071 Precio para Más Menos

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Each

1+ $0.582 10+ $0.382 100+ $0.166 Más precios

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-35V 5mA - -5V TO-92 JFET 3 Pines 150°C -
15R3456
MMBFJ175

MMBFJ175

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, -7 mA, -60 mA, 6 V, SOT-23, JFET

Tensión Disruptiva Vbr 30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula -7mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula -60mA

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, -7 mA, -60 mA, 6 V, SOT-23, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr 30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula -7mA
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30V -7mA -60mA 6V SOT-23 JFET 3 Pines 150°C -
15R4041
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Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, FET de RF

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Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, FET de RF

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-25V 12mA 30mA -4V SOT-23 FET de RF 3 Pines 150°C -
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-30V 50mA 150mA -10V SOT-323 JFET 3 Pines 150°C -
58K1867
MMBFJ270

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MMBF4392

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BF862,215

NXP

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Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 80 mA, 80 mA, -10 V, SOT-23, JFET

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Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 80mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 80mA
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Diseño de Transistor SOT-23
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-25V 80mA 80mA -10V SOT-23 JFET 3 Pines 150°C -
45J1518
MMBFJ177LT1G

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Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFET

Tensión Disruptiva Vbr 30V
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Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, -1.5 mA, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, JFET

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Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula -1.5mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula -20mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. 2.5V
Diseño de Transistor SOT-23
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SST4416-E3

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Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -30 V, 5 mA, 15 mA, -6 V, TO-236, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr -30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 5mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 15mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -6V
Diseño de Transistor TO-236
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Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 25mA
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Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
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Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 5mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 15mA

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Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -36 V, 5 mA, 15 mA, -6 V, TO-206AF, JFET

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Tensión Disruptiva Vbr -36V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula 5mA
Corr. de Drenaje Idss Máx, Tens de Puerta Nula 15mA
Tensión de Cutoff Gate-Source Vgs(off) Máx. -6V
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