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MULTICOMP  BC847B  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 290 hFE

MULTICOMP BC847B
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Resumen del producto

The BC847B is a NPN surface mount silicon planar Epitaxial Transistor. Collector emitter voltage at 45V and power dissipation at 250mW.
  • 500k/W Junction-to-ambient thermal resistance

Información del producto

Transistor, Polaridad:
NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
45V
Frecuencia de Transición ft:
100MHz
Disipación de Potencia Pd:
250mW
Corriente de Colector DC:
100mA
Ganancia de Corriente DC hFE:
290hFE
Diseño de Transistor:
SOT-23
Núm. de Contactos:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Aplicaciones

  • Industrial

Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado

Alternativas

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFE

NXP

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