Low

BC847B - 

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 290 hFE

MULTICOMP BC847B

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No. Parte Fabricante:
BC847B
No. Parte Newark
08N7617
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Información del producto

:
NPN
:
250mW
:
-
:
3Pines
:
150°C
:
-
:
290hFE
:
SOT-23
:
100mA
:
100MHz
:
45V
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Resumen del producto

The BC847B is a NPN surface mount silicon planar Epitaxial Transistor. Collector emitter voltage at 45V and power dissipation at 250mW.
  • 500k/W Junction-to-ambient thermal resistance

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