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NTE ELECTRONICS  NTE112  Diodo Schottky de Señal Pequeña, Único, 5 V, 30 mA, 550 mV, 60 mA, 125 °C

NTE ELECTRONICS NTE112
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Resumen del producto

The NTE112 is a metal to silicon junction small signal Schottky Diode for use with UHF mixers and ultrafast switching applications.
  • 400°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
  • +230°C Maximum lead temperature

Información del producto

Configuración de Diodo:
Único
Tensión Inversa Repetitiva Vrrm, Máx.:
5V
Corriente Directa If(AV):
30mA
Tensión Directa VF Máx.:
550mV
Tiempo de Recuperación Inverso, trr Máx.:
Corriente Directa Transitoria Ifsm Máx.:
60mA
Temperatura de Trabajo Máx.:
125°C
Estilo de la Carcasa del Diodo:
DO-204AH
Núm. de Contactos:
2Pines
Tipo de Empaquetado:
Individual
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Aplicaciones

  • Comunicaciones RF;
  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

Distribuidor autorizado

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