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NTE ELECTRONICS  NTE179  Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, -40 V, 500 kHz, 106 W, -25 A, 65 hFE

NTE ELECTRONICS NTE179
No. Parte Fabricante:
NTE179
No. Parte Newark
31C3276
Hoja de datos técnicos:
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Resumen del producto

The NTE179 is a Germanium PNP Transistor, designed for use in high current switching applications requiring low saturation voltages, fast switching times and good safe operating conditions.
  • Low collector-emitter saturation voltage
  • 0.8°C/W Junction-to-case thermal resistance

Información del producto

Transistor, Polaridad:
PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
-40V
Frecuencia de Transición ft:
500kHz
Disipación de Potencia Pd:
106W
Corriente de Colector DC:
-25A
Ganancia de Corriente DC hFE:
65hFE
Diseño de Transistor:
TO-3
Núm. de Contactos:
2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
110°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
-

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Aplicaciones

  • Industrial

Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado

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