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NTE182 - 

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 60 V, 2 MHz, 90 W, 10 A, 20 hFE

NTE182 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 60 V, 2 MHz, 90 W, 10 A, 20 hFE

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No. Parte Fabricante:
NTE182
No. Parte Newark
31C3312
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Resumen del producto

The NTE182 is a 60V Silicon NPN Complementary Transistor designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
  • DC current gain specified to 10A
  • High current gain bandwidth

Aplicaciones

Industrial

Información del producto

:
NPN
:
60V
:
2MHz
:
90W
:
10A
:
20hFE
:
TO-127
:
3Pines
:
150°C
:
-
:
-
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