Low

NTE2355 - 

Transistor Bipolar (BJT) Individual, BRT, NPN, 50 V, 250 MHz, 300 mW, 100 mA, 50 hFE

NTE2355 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, BRT, NPN, 50 V, 250 MHz, 300 mW, 100 mA, 50 hFE

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

No. Parte Fabricante:
NTE2355
No. Parte Newark
31C3569
Hoja de datos técnicos:
(EN)
Ver todos los documentos técnicos

Resumen del producto

The NTE2355 is a NPN silicon Bipolar Transistor with two built-in 10kΩ bias resistors. It is designed for use in switching circuit, inverter, interface circuit and driver applications.
  • Built-in bias resistors (R1 = 10kΩ, R2 = 10kΩ)
  • Small-sized package

Aplicaciones

Administración de Potencia, Control de Motor, Comunicaciones y Red, Industrial

Información del producto

:
NPN
:
50V
:
250MHz
:
300mW
:
100mA
:
50hFE
:
TO-92
:
3Pines
:
150°C
:
-
:
-
:
MSL 1 - Unlimited
Encontrar productos similares Elija y modifique los atributos anteriores para encontrar productos similares.

Productos asociados

Comparar seleccionados

Búsquedas relacionadas

89 En stock

para envío el mismo día

vea los plazos de pedido
 
Consulte existencias y plazos de entrega...
Tendremos más stock disponible la semana del 25/12/17
$1.72 $ 1.72
Precio para:
Each
Múltiple: 1 Mínimo: 1
Cantidad Precio
1 + $1.72
50 + $1.57
100 + $1.47
500 + $1.39
1000 + $1.32
No longer stocked:: No Longer Manufactured::

Evaluaciones del cliente

Intercambio de preguntas y respuestas de los clientes

Comunidad

¿Quiere ver más información de otros clientes sobre este producto?

 Lea debates, blogs y documentos de los miembros de nuestra comunidad.

Filtros:

Seleccione el tipo de documentos que quiere ver y haga clic en "Aplicar filtros"
Pregunte a uno de nuestros expertos o empiece un debate y reciba respuestas de los expertos de nuestros fabricantes y de otros ingenieros de la comunidad.