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NTE2355 - 

Transistor Bipolar (BJT) Individual, BRT, NPN, 50 V, 250 MHz, 300 mW, 100 mA, 50 hFE

NTE ELECTRONICS NTE2355

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No. Parte Fabricante:
NTE2355
No. Parte Newark
31C3569
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Información del producto

:
NPN
:
300mW
:
-
:
3Pines
:
150°C
:
-
:
50hFE
:
TO-92
:
100mA
:
250MHz
:
50V
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Resumen del producto

The NTE2355 is a NPN silicon Bipolar Transistor with two built-in 10kΩ bias resistors. It is designed for use in switching circuit, inverter, interface circuit and driver applications.
  • Built-in bias resistors (R1 = 10kΩ, R2 = 10kΩ)
  • Small-sized package

Aplicaciones

Administración de Potencia, Control de Motor, Comunicaciones y Red, Industrial

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