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NTE ELECTRONICS  NTE2355  Transistor Bipolar (BJT) Individual, BRT, NPN, 50 V, 250 MHz, 300 mW, 100 mA, 50 hFE

NTE ELECTRONICS NTE2355
No. Parte Fabricante:
NTE2355
No. Parte Newark
31C3569
Hoja de datos técnicos:
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Resumen del producto

The NTE2355 is a NPN silicon Bipolar Transistor with two built-in 10kΩ bias resistors. It is designed for use in switching circuit, inverter, interface circuit and driver applications.
  • Built-in bias resistors (R1 = 10kΩ, R2 = 10kΩ)
  • Small-sized package

Información del producto

Transistor, Polaridad:
NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
50V
Frecuencia de Transición ft:
250MHz
Disipación de Potencia Pd:
300mW
Corriente de Colector DC:
100mA
Ganancia de Corriente DC hFE:
50hFE
Diseño de Transistor:
TO-92
Núm. de Contactos:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Aplicaciones

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  • Control de Motor
  • Comunicaciones y Red
  • Industrial

Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado

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