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NTE87 - 

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 250 V, 4 MHz, 200 W, 10 A, 5 hFE

NTE87 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 250 V, 4 MHz, 200 W, 10 A, 5 hFE

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No. Parte Fabricante:
NTE87
No. Parte Newark
51M8917
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Resumen del producto

The NTE87 is a 250V Silicon NPN Complementary Power Transistor designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. This transistor can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, DC to DC converters or inverters.
  • High safe operating area
  • Completely characterized for linear operation
  • High DC current gain (hFE = 20 minimum at Ic = 2A)
  • Low saturation voltage
  • For low distortion complementary designs

Aplicaciones

Industrial, Administración de Potencia

Información del producto

:
NPN
:
250V
:
4MHz
:
200W
:
10A
:
5hFE
:
TO-3
:
2Pines
:
200°C
:
-
:
-
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