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BLT80,115 - 

Transistor Bipolar - de Potencia para RF, 900 MHz, 900 MHz, 25 hFE, 250 mA

BLT80,115 - Transistor Bipolar - de Potencia para RF, 900 MHz, 900 MHz, 25 hFE, 250 mA

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Fabricante:
NXP NXP
No. Parte Fabricante:
BLT80,115
No. Parte Newark
75R4685
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Resumen del producto

The BLT80,115 is a 10V NPN silicon planar epitaxial UHF Power Transistor for handheld radio equipment in the 900MHz communication band.
  • SMD encapsulation
  • Gold metallization ensures excellent reliability
  • 20V Collector to base voltage (VCBO)
  • 3V Emitter to base voltage (VEBO)
  • 85K/W Thermal resistance, junction to ambient

Aplicaciones

Comunicaciones RF, Comunicaciones y Red

Información del producto

:
900MHz
:
900MHz
:
25hFE
:
250mA
:
-
:
-
:
10V
:
6dB
:
2W
:
6dB
:
SOT-223
:
3 Pines
:
-
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Fabricante / Descripción
Disp
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