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NXP  PBRP113ZT  Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, -40 V, 250 mW, -600 mA, 320 hFE

NXP PBRP113ZT
Fabricante:
NXP NXP
No. Parte Fabricante:
PBRP113ZT
No. Parte Newark
84R0198
Hoja de datos técnicos:
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
-40V
Frecuencia de Transición ft:
-
Disipación de Potencia Pd:
250mW
Corriente de Colector DC:
-600mA
Ganancia de Corriente DC hFE:
320hFE
Diseño de Transistor:
SOT-23
Núm. de Contactos:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado

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