Low

PBSS2540E,115 - 

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 450 MHz, 150 mW, 500 mA, 200 hFE

PBSS2540E,115 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 450 MHz, 150 mW, 500 mA, 200 hFE

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No. Parte Fabricante:
PBSS2540E,115
No. Parte Newark
79R5019
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Resumen del producto

The PBSS2540E,115 is a 500mA NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High collector current gain (hFE) at high IC
  • High efficiency due to less heat generation
  • Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
  • PNP complement is PBS3540E
  • 1S Marking code

Aplicaciones

Industrial, Electrónica de Consumo, Control de Motor, Administración de Potencia

Información del producto

:
NPN
:
40V
:
450MHz
:
150mW
:
500mA
:
200hFE
:
SOT-416
:
3Pines
:
150°C
:
-
:
-
:
MSL 1 - Unlimited
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