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NXP  PBSS2540E,115  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 450 MHz, 150 mW, 500 mA, 200 hFE

NXP PBSS2540E,115
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Resumen del producto

The PBSS2540E,115 is a 500mA NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High collector current gain (hFE) at high IC
  • High efficiency due to less heat generation
  • Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
  • PNP complement is PBS3540E
  • 1S Marking code

Información del producto

Transistor, Polaridad:
NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
40V
Frecuencia de Transición ft:
450MHz
Disipación de Potencia Pd:
150mW
Corriente de Colector DC:
500mA
Ganancia de Corriente DC hFE:
200hFE
Diseño de Transistor:
SOT-416
Núm. de Contactos:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Aplicaciones

  • Industrial;
  • Electrónica de Consumo;
  • Control de Motor;
  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado