Low

PBSS2540E,115 - 

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 450 MHz, 150 mW, 500 mA, 200 hFE

NEXPERIA PBSS2540E,115

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

No. Parte Fabricante:
PBSS2540E,115
No. Parte Newark
79R5019
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Resumen del producto

The PBSS2540E,115 is a 500mA NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High collector current gain (hFE) at high IC
  • High efficiency due to less heat generation
  • Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
  • PNP complement is PBS3540E
  • 1S Marking code

Aplicaciones

Industrial, Electrónica de Consumo, Control de Motor, Administración de Potencia

Información del producto

:
NPN
:
40V
:
450MHz
:
150mW
:
500mA
:
200hFE
:
SOT-416
:
3Pines
:
150°C
:
-
:
-
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