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NXP  PBSS302PX,115  Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, -20 V, 130 MHz, 2.1 W, -5.1 A, 370 hFE

NXP PBSS302PX,115
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
-20V
Frecuencia de Transición ft:
130MHz
Disipación de Potencia Pd:
2.1W
Corriente de Colector DC:
-5.1A
Ganancia de Corriente DC hFE:
370hFE
Diseño de Transistor:
SOT-89
Núm. de Contactos:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Temperatura de Trabajo Mín.:
-65 °C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

Trazabilidad del producto
Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado