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NXP  PBSS306NX,115  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE

NXP PBSS306NX,115
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
100V
Frecuencia de Transición ft:
110MHz
Disipación de Potencia Pd:
600mW
Corriente de Colector DC:
4.5A
Ganancia de Corriente DC hFE:
40hFE
Diseño de Transistor:
SOT-89
Núm. de Contactos:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Temperatura de Trabajo Mín.:
-65 °C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

Trazabilidad del producto
Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado