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NXP  PBSS306NX,115  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE

NXP PBSS306NX,115
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Resumen del producto

The PBSS306NX,115 is a 4.5A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a small and flat lead surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High collector current gain (hFE) at high IC
  • High efficiency due to less heat generation
  • Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
  • PNP complement is PBSS306PX
  • 5G Marking code

Información del producto

Transistor, Polaridad:
NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
100V
Frecuencia de Transición ft:
110MHz
Disipación de Potencia Pd:
600mW
Corriente de Colector DC:
4.5A
Ganancia de Corriente DC hFE:
40hFE
Diseño de Transistor:
SOT-89
Núm. de Contactos:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Aplicaciones

  • Industrial;
  • Control de Motor;
  • Automoción;
  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

Trazabilidad del producto
Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado