Low

PBSS306NX,115 - 

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE

NEXPERIA PBSS306NX,115

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

No. Parte Fabricante:
PBSS306NX,115
No. Parte Newark
79R5039
Hoja de datos técnicos:
(EN)
Ver todos los documentos técnicos

Información del producto

:
NPN
:
600mW
:
-
:
3Pines
:
150°C
:
-
:
40hFE
:
SOT-89
:
4.5A
:
110MHz
:
100V
Encontrar productos similares Elija y modifique los atributos anteriores para encontrar productos similares.

Resumen del producto

The PBSS306NX,115 is a 4.5A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a small and flat lead surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.
  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High collector current gain (hFE) at high IC
  • High efficiency due to less heat generation
  • Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
  • PNP complement is PBSS306PX
  • 5G Marking code

Aplicaciones

Industrial, Control de Motor, Automoción, Administración de Potencia