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NXP  PBSS9110Z,135  Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, -100 V, 100 MHz, 650 mW, -1 A, 150 hFE

NXP PBSS9110Z,135
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
-100V
Frecuencia de Transición ft:
100MHz
Disipación de Potencia Pd:
650mW
Corriente de Colector DC:
-1A
Ganancia de Corriente DC hFE:
150hFE
Diseño de Transistor:
SOT-223
Núm. de Contactos:
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Temperatura de Trabajo Mín.:
-65 °C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado

Alternativas

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 650 mW, 1 A, 150

NXP

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