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NXP  PDTC123JE,115  Transistor Bipolar (BJT) Individual, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE

NXP PDTC123JE,115
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Resumen del producto

The PDTC123JE,115 is a 2.2 to 47kΩ NPN Resistor Equipped Transistor (RET) in an ultra-small surface-mount device plastic package.
  • Reduces component count
  • Built-in bias resistors
  • Reduces pick and place costs
  • Simplifies circuit design
  • AEC-Q101 qualified
  • PNP complement is PDTA123JE
  • 28 Marking code

Información del producto

Transistor, Polaridad:
NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
50V
Frecuencia de Transición ft:
230MHz
Disipación de Potencia Pd:
150mW
Corriente de Colector DC:
100mA
Ganancia de Corriente DC hFE:
100hFE
Diseño de Transistor:
SOT-416
Núm. de Contactos:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Aplicaciones

  • Industrial;
  • Automoción;
  • Administración de Potencia

Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado