Low

PDTC123JE,115 - 

Transistor Bipolar (BJT) Individual, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE

NEXPERIA PDTC123JE,115

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No. Parte Fabricante:
PDTC123JE,115
No. Parte Newark
79R5139
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Información del producto

:
NPN
:
150mW
:
-
:
3Pines
:
150°C
:
-
:
100hFE
:
SOT-416
:
100mA
:
230MHz
:
50V
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Resumen del producto

The PDTC123JE,115 is a 2.2 to 47kΩ NPN Resistor Equipped Transistor (RET) in an ultra-small surface-mount device plastic package.
  • Reduces component count
  • Built-in bias resistors
  • Reduces pick and place costs
  • Simplifies circuit design
  • AEC-Q101 qualified
  • PNP complement is PDTA123JE
  • 28 Marking code

Aplicaciones

Industrial, Automoción, Administración de Potencia