Low

NEXPERIA  PEMD10,115  Transistor Bipolar (BJT) Individual, BRT, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

NEXPERIA PEMD10,115
No. Parte Fabricante:
PEMD10,115
No. Parte Newark
79R5169
Hoja de datos técnicos:
Ver todos los documentos técnicos

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

Información del producto

Transistor, Polaridad:
NPN, PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
50V
Frecuencia de Transición ft:
-
Disipación de Potencia Pd:
300mW
Corriente de Colector DC:
100mA
Ganancia de Corriente DC hFE:
100hFE
Diseño de Transistor:
SOT-666
Núm. de Contactos:
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

Encontrar productos similares  agrupados por atributos en común

Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor Independiente