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NXP  PEMD2,115  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Brt, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 60 hFE

NXP PEMD2,115

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Información del producto

Transistor, Polaridad:
NPN, PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
50V
Frecuencia de Transición ft:
-
Disipación de Potencia Pd:
300mW
Corriente de Colector DC:
100mA
Ganancia de Corriente DC hFE:
60hFE
Diseño de Transistor:
SOT-666
Núm. de Contactos:
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Intensidad de Collector Continua Ic:
100 mA
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado