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NXP  PUMB10,115  Arreglo de Transistores Bipolares, BRT, PNP, -50 V, 300 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-363

NXP PUMB10,115
NXP PUMB10,115
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NXP PUMB10,115
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo:
-50V
Disipación de Potencia Pd:
300mW
Corriente de Colector DC:
-100mA
Ganancia de Corriente DC hFE:
100hFE
Diseño de Transistor:
SOT-363
Núm. de Contactos:
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
No SVHC (17-Dec-2015)
Intensidad de Collector Continua Ic:
-100 mA
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

Trazabilidad del producto
Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado

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