ON SEMICONDUCTOR  2N4401RLRAG  Transistor Uniunión Programable, Uso general, TO-92, 3, 150 °C

ON SEMICONDUCTOR 2N4401RLRAG

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Detalles del producto, documentación y más


  • Diseño de Transistor: TO-92
  • Disipación de Potencia Pd: 625mW
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Unlimited
  • Núm. de Contactos: 3
  • Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
  • Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
  • Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (15-Jun-2015)

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Alternativas


  No. Parte Newark No. de pieza del fabricante Fabricante / Descripción
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ascdsc ascdsc ascdsc ascdsc ascdsc
Alternativas Exactas
50H6726
2N4401TFR

2N4401TFR

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 600 mA, 100

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31Y5841
2N4401TF

2N4401TF

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Small Signal Diode, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 20

1,200 

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67R1341
MMBT4401LT1G

MMBT4401LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 250 MHz, 300 mW, 600 mA, 250

171,000 

Precio para: Full Reel 1

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88H4790
MMBT4401LT1G

MMBT4401LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 40 V, 250 MHz, 300 mW, 600 mA, 250

31,062 

Precio para: Cut Tape 1

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08N8111
2N3904

2N3904

MULTICOMP

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 200 mA, 100

41,050 

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83C3116
2N3904BU

2N3904BU

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 200 mA, 100

5,888 

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05R0381
2N3904TF

2N3904TF

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 200 mA, 30

4,217 

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69R6839
2N3904-AP

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MICRO COMMERCIAL COMPONENTS

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 200 mA, 30

6,522 

Precio para: Each 1

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11R7637
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 0.2 A, 300

541 

Precio para: Cut Tape 1

1+ $0.265 10+ $0.22 100+ $0.078 1000+ $0.053

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