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RENESAS  RJK0454DPB  Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 40 V, 3.9 mohm, 10 V

RENESAS RJK0454DPB
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Resumen del producto

The RJK0454DPB is a N-channel silicon Power MOSFET offers 40V drain source voltage and 40A drain current. It is suitable for use in power switching applications.
  • High speed switching
  • Low drive current
  • Low ON-resistance
  • Halogen-free
  • High density mounting

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
40A
Tensión Drenaje-Fuente Vds:
40V
Resistencia de Activación Rds(on):
3.9mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
-
Disipación de Potencia Pd:
55W
Diseño de Transistor:
SOT-669
Núm. de Contactos:
5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Aplicaciones

  • Administración de Potencia;
  • Industrial

Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor Independiente

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal N, 81 A, 40 V, 4.5 mohm, 10 V, 2 V

INFINEON

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Precio para: Each

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