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RENESAS  RJK0855DPB  Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 80 V, 8.2 mohm, 10 V

RENESAS RJK0855DPB
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
30A
Tensión Drenaje-Fuente Vds:
80V
Resistencia de Activación Rds(on):
8.2mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
-
Disipación de Potencia Pd:
60W
Diseño de Transistor:
SOT-669
Núm. de Contactos:
5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor Independiente

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal N, 55 A, 80 V, 10.3 mohm, 10 V, 2.8 V

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