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RENESAS  RJK1055DPB  Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 100 V, 13 mohm, 10 V

RENESAS RJK1055DPB
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
23A
Tensión Drenaje-Fuente Vds:
100V
Resistencia de Activación Rds(on):
13mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
-
Disipación de Potencia Pd:
60W
Diseño de Transistor:
SOT-669
Núm. de Contactos:
5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor Independiente