Transistores RF FET

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Tensión Drenaje-Fuente Vds Intensidad Drenador Continua Id Disipación de Potencia Pd Frecuencia de Funcionamiento Mín. Frecuencia de Funcionamiento Máx. Encapsulado de Transistor RF Núm. de Contactos Temperatura de Trabajo Máx. Rango de Producto
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
BF545C,215
BF545C,215

75R4674

NXP

Transistor FET RF, 30 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23

Tensión Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id 25mA
Disipación de Potencia Pd 250mW

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NXP 

Transistor FET RF, 30 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23

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Tendremos más stock disponible la semana del 3/04/17

Tensión Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id 25mA
Disipación de Potencia Pd 250mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

1,816

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.379 Precio para Precio promocional 10+ $0.379 Precio para Precio promocional 25+ $0.379 Precio para Precio promocional 100+ $0.379 Precio para Precio promocional 250+ $0.379 Precio para Precio promocional 500+ $0.348 Precio para Precio promocional 1000+ $0.322 Precio para Precio promocional Más Menos

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Each (Supplied on Cut Tape)

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30V 25mA 250mW - - SOT-23 3Pines 150°C -
J111
J111

58K8917

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor FET RF, 35 V, 625 mW, TO-92

Tensión Drenaje-Fuente Vds 35V
Disipación de Potencia Pd 625mW
Encapsulado de Transistor RF TO-92

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 

Transistor FET RF, 35 V, 625 mW, TO-92

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 35V
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 625mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF TO-92
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

1,689

Each

1+ $0.108 Precio para Precio promocional 10+ $0.108 Precio para Precio promocional 100+ $0.108 Precio para Precio promocional 500+ $0.099 Precio para Precio promocional 1000+ $0.092 Precio para Precio promocional 5000+ $0.092 Precio para Precio promocional 10000+ $0.092 Precio para Precio promocional Más Menos

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Each

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35V - 625mW - - TO-92 3Pines 150°C -
MRF1518NT1
MRF1518NT1

02M5458

NXP

Transistor FET RF, 40 V, 4 mA, 62.5 W, 400 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

Disponible en la cantidad indicada
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Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 4mA
Disipación de Potencia Pd 62.5W

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NXP 

Transistor FET RF, 40 V, 4 mA, 62.5 W, 400 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 4mA
Disipación de Potencia Pd 62.5W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 400MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 520MHz
Encapsulado de Transistor RF PLD-1.5
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

1,000

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40V 4mA 62.5W 400MHz 520MHz PLD-1.5 3Pines 150°C -
MW6S004NT1
MW6S004NT1

34R2431

NXP

Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5

Tensión Drenaje-Fuente Vds 68V
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz

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NXP 

Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 68V
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd -
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz
Encapsulado de Transistor RF PLD-1.5
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

620

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $7.38 Precio para Precio promocional 10+ $7.38 Precio para Precio promocional 25+ $7.38 Precio para Precio promocional 100+ $7.38 Precio para Precio promocional 250+ $7.38 Precio para Precio promocional 500+ $7.38 Precio para Precio promocional Más Menos

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Each (Supplied on Cut Tape)

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68V - - 1MHz 2GHz PLD-1.5 4Pines 150°C -
MRF1535NT1
MRF1535NT1

22M7859

NXP

Transistor FET RF, 40 V, 6 A, 35 W, 400 MHz, 520 MHz, TO-272

Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 6A
Disipación de Potencia Pd 35W

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NXP 

Transistor FET RF, 40 V, 6 A, 35 W, 400 MHz, 520 MHz, TO-272

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 6A
Disipación de Potencia Pd 35W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 400MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 520MHz
Encapsulado de Transistor RF TO-272
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
Rango de Producto -

567

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $31.85 Precio para 10+ $28.75 Precio para 25+ $24.51 Precio para 100+ $22.71 Precio para 250+ $21.41 Precio para Más Menos

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $31.85 10+ $28.75 25+ $24.51 Más precios

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40V 6A 35W 400MHz 520MHz TO-272 6Pines 200°C -
MRFE6VS25NR1
MRFE6VS25NR1

28W3507

NXP

Transistor FET RF, 133 VDC, 25 W, 1.8 MHz, 2 GHz, TO-270

Disponible en la cantidad indicada
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Tensión Drenaje-Fuente Vds 133VDC
Disipación de Potencia Pd 25W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz

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NXP 

Transistor FET RF, 133 VDC, 25 W, 1.8 MHz, 2 GHz, TO-270

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Disponible en la cantidad indicada
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Tensión Drenaje-Fuente Vds 133VDC
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 25W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz
Encapsulado de Transistor RF TO-270
Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

445

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $48.08 Precio para 10+ $43.39 Precio para 25+ $36.98 Precio para 100+ $34.27 Precio para 250+ $32.30 Precio para Más Menos

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $48.08 10+ $43.39 25+ $36.98 Más precios

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133VDC - 25W 1.8MHz 2GHz TO-270 2Pines 150°C -
MRF1550NT1
MRF1550NT1

43K5599

NXP

Transistor FET RF, 40 V, 12 A, 165 W, 135 MHz, 175 MHz, TO-272

Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 12A
Disipación de Potencia Pd 165W

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NXP 

Transistor FET RF, 40 V, 12 A, 165 W, 135 MHz, 175 MHz, TO-272

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434 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 12A
Disipación de Potencia Pd 165W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 135MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 175MHz
Encapsulado de Transistor RF TO-272
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
Rango de Producto -

434

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $45.64 Precio para 10+ $41.20 Precio para 25+ $35.11 Precio para 100+ $32.54 Precio para 250+ $30.67 Precio para Más Menos

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434 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 15/05/17

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $45.64 10+ $41.20 25+ $35.11 Más precios

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40V 12A 165W 135MHz 175MHz TO-272 6Pines 200°C -
MRF1518NT1
MRF1518NT1

34R2430

NXP

Transistor FET RF, 40 V, 4 mA, 62.5 W, 400 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

Disponible en la cantidad indicada
Para ordenar más que el inventario indicado, comuníquese con el departamento de ventas
Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 4mA
Disipación de Potencia Pd 62.5W

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NXP 

Transistor FET RF, 40 V, 4 mA, 62.5 W, 400 MHz, 520 MHz, PLD-1.5

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375 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Disponible en la cantidad indicada
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Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 4mA
Disipación de Potencia Pd 62.5W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 400MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 520MHz
Encapsulado de Transistor RF PLD-1.5
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

375

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $12.29 Precio para 10+ $11.00 Precio para 25+ $10.31 Precio para 100+ $9.89 Precio para 250+ $9.43 Precio para 500+ $8.78 Precio para Más Menos

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375 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $12.29 10+ $11.00 25+ $10.31 Más precios

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40V 4mA 62.5W 400MHz 520MHz PLD-1.5 3Pines 150°C -
ATF-551M4-BLK
ATF-551M4-BLK

54K2746

BROADCOM LIMITED

Transistor FET RF, 2.7 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 10 GHz, MiniPak

Disponible en la cantidad indicada
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Tensión Drenaje-Fuente Vds 2.7V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 270mW

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BROADCOM LIMITED 

Transistor FET RF, 2.7 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 10 GHz, MiniPak

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198 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Disponible en la cantidad indicada
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Tensión Drenaje-Fuente Vds 2.7V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 270mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 450MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 10GHz
Encapsulado de Transistor RF MiniPak
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

198

Each

1+ $0.802 Precio para Precio promocional 10+ $0.802 Precio para Precio promocional 100+ $0.802 Precio para Precio promocional 250+ $0.802 Precio para Precio promocional 500+ $0.802 Precio para Precio promocional 1000+ $0.802 Precio para Precio promocional 2500+ $0.802 Precio para Precio promocional 5000+ $0.802 Precio para Precio promocional Más Menos

Cantidad

198 En stock

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198 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Each

1+ $0.802 Precio promocional 10+ $0.802 Precio promocional 100+ $0.802 Precio promocional Más precios

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2.7V 100mA 270mW 450MHz 10GHz MiniPak 4Pines 150°C -
DE150-501N04A
DE150-501N04A

42M1752

IXYS RF

Transistor FET RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150

Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
Intensidad Drenador Continua Id 4.5A
Disipación de Potencia Pd 200W

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IXYS RF 

Transistor FET RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150

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195 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 12/06/17

Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
Intensidad Drenador Continua Id 4.5A
Disipación de Potencia Pd 200W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 100MHz
Encapsulado de Transistor RF DE-150
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
Rango de Producto -

195

Each

1+ $65.89 Precio para 25+ $62.76 Precio para 50+ $59.89 Precio para 100+ $58.05 Precio para 250+ $56.23 Precio para Más Menos

Cantidad

195 En stock

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195 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

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Each

1+ $65.89 25+ $62.76 50+ $59.89 Más precios

Comprar
500V 4.5A 200W - 100MHz DE-150 6Pines 175°C -
DE275X2-102N06A
DE275X2-102N06A

42M1755

IXYS RF

Transistor FET RF, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1kV
Intensidad Drenador Continua Id 16A
Disipación de Potencia Pd 1.18kW

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IXYS RF 

Transistor FET RF, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2

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55 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 12/06/17

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1kV
Intensidad Drenador Continua Id 16A
Disipación de Potencia Pd 1.18kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 100MHz
Encapsulado de Transistor RF DE-275X2
Núm. de Contactos 8Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
Rango de Producto -

55

Each

1+ $92.83 Precio para 25+ $88.41 Precio para 50+ $84.35 Precio para 100+ $81.78 Precio para 250+ $79.20 Precio para Más Menos

Cantidad

55 En stock

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55 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

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Each

1+ $92.83 25+ $88.41 50+ $84.35 Más precios

Comprar
1kV 16A 1.18kW - 100MHz DE-275X2 8Pines 175°C -
GA20SICP12-263
GA20SICP12-263

08X5874

GENESIC SEMICONDUCTOR

Transistor FET RF, 1.2 kV, 20 A, 157 W, TO-263

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id 20A
Disipación de Potencia Pd 157W

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GENESIC SEMICONDUCTOR 

Transistor FET RF, 1.2 kV, 20 A, 157 W, TO-263

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40 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 10/07/17

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id 20A
Disipación de Potencia Pd 157W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF TO-263
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. -
Rango de Producto -

40

Each

1+ $42.81 Precio para Precio promocional 25+ $42.81 Precio para Precio promocional

Cantidad

40 En stock

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40 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

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Each

1+ $42.81 Precio promocional 25+ $42.81 Precio promocional

Comprar
1.2kV 20A 157W - - TO-263 3Pines - -
MRFE6VP61K25HR5
MRFE6VP61K25HR5

19T6330

NXP

Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 1.333kW

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NXP 

Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

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40 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 1.333kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
Encapsulado de Transistor RF NI-1230
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
Rango de Producto -

40

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $386.74 Precio para 10+ $352.25 Precio para 25+ $342.39 Precio para

Cantidad

40 En stock

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40 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $386.74 10+ $352.25 25+ $342.39

Comprar
125V 100mA 1.333kW 1.8MHz 600MHz NI-1230 4Pines 225°C -
DE275-501N16A
DE275-501N16A

42M1754

IXYS RF

Transistor FET RF, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275

Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
Intensidad Drenador Continua Id 16A
Disipación de Potencia Pd 590W

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IXYS RF 

Transistor FET RF, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275

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39 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 12/06/17

Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
Intensidad Drenador Continua Id 16A
Disipación de Potencia Pd 590W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 100MHz
Encapsulado de Transistor RF DE-275
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500V 16A 590W - 100MHz DE-275 6Pines 175°C -
MRFE6VP5600HR5
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24T5453

NXP

Transistor FET RF, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 130V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
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NXP 

Transistor FET RF, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 130V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 1.667kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
Encapsulado de Transistor RF NI-1230
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130V 100mA 1.667kW 1.8MHz 600MHz NI-1230 4Pines 225°C -
IXZ308N120
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42M1944

IXYS RF

Transistor FET RF, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id 8A
Disipación de Potencia Pd 880W

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IXYS RF 

Transistor FET RF, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id 8A
Disipación de Potencia Pd 880W
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Encapsulado de Transistor RF DE-375
Núm. de Contactos 6Pines
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1.2kV 8A 880W - - DE-375 6Pines 175°C -
MRFE6VP6300HSR5
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13T4415

NXP

Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 300 W, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780S

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 300W

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NXP 

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
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Encapsulado de Transistor RF NI-780S
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125V 100mA 300W 1.8MHz 600MHz NI-780S 4Pines 225°C -
BLF574,112
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70R2784

NXP

Transistor FET RF, 110 V, 56 A, 400 W, 10 MHz, 500 MHz, SOT-539A

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 110V
Intensidad Drenador Continua Id 56A
Disipación de Potencia Pd 400W

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NXP 

Transistor FET RF, 110 V, 56 A, 400 W, 10 MHz, 500 MHz, SOT-539A

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 110V
Intensidad Drenador Continua Id 56A
Disipación de Potencia Pd 400W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 10MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 500MHz
Encapsulado de Transistor RF SOT-539A
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
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110V 56A 400W 10MHz 500MHz SOT-539A 4Pines 225°C -
GA100SICP12-227
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08X5871

GENESIC SEMICONDUCTOR

Transistor FET RF, 1.2 kV, 100 A, 133 W, SOT-227

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id 100A
Disipación de Potencia Pd 133W

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GENESIC SEMICONDUCTOR 

Transistor FET RF, 1.2 kV, 100 A, 133 W, SOT-227

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id 100A
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Encapsulado de Transistor RF SOT-227
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1.2kV 100A 133W - - SOT-227 4Pines - -
MRFE6VP61K25HSR5
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19T6332

NXP

Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230S

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 1.333kW

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Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230S

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 1.333kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
Encapsulado de Transistor RF NI-1230S
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
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125V 100mA 1.333kW 1.8MHz 600MHz NI-1230S 4Pines 225°C -
MRFE6VP100HR5
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28W3506

NXP

Transistor FET RF, 133 VDC, 100 W, 1.8 MHz, 2 GHz, NI-780

Disponible en la cantidad indicada
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Tensión Drenaje-Fuente Vds 133VDC
Disipación de Potencia Pd 100W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz

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NXP 

Transistor FET RF, 133 VDC, 100 W, 1.8 MHz, 2 GHz, NI-780

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 133VDC
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 100W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz
Encapsulado de Transistor RF NI-780
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

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133VDC - 100W 1.8MHz 2GHz NI-780 4Pines 150°C -
AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1

28W3504

NXP

Transistor FET RF, 40 VDC, 31 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270

Disponible en la cantidad indicada
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Tensión Drenaje-Fuente Vds 40VDC
Disipación de Potencia Pd 31W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 136MHz

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NXP 

Transistor FET RF, 40 VDC, 31 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 40VDC
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 31W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 136MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 520MHz
Encapsulado de Transistor RF TO-270
Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
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40VDC - 31W 136MHz 520MHz TO-270 2Pines 225°C -
NTE454
NTE454

31C4191

NTE ELECTRONICS

Transistor FET RF, 20 V, 60 mA, 360 mW

Tensión Drenaje-Fuente Vds 20V
Intensidad Drenador Continua Id 60mA
Disipación de Potencia Pd 360mW

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NTE ELECTRONICS 

Transistor FET RF, 20 V, 60 mA, 360 mW

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 20V
Intensidad Drenador Continua Id 60mA
Disipación de Potencia Pd 360mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF -
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
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Each

1+ $21.79 50+ $21.31 100+ $20.47 Más precios

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20V 60mA 360mW - - - 4Pines 175°C -
BLA6H1011-600,112
BLA6H1011-600,112

70R2740

NXP

Transistor FET RF, 48 V, 72 A, 600 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, SOT-539A

Disponible en la cantidad indicada
Para ordenar más que el inventario indicado, comuníquese con el departamento de ventas
Tensión Drenaje-Fuente Vds 48V
Intensidad Drenador Continua Id 72A
Disipación de Potencia Pd 600W

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NXP 

Transistor FET RF, 48 V, 72 A, 600 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, SOT-539A

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 48V
Intensidad Drenador Continua Id 72A
Disipación de Potencia Pd 600W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.03GHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 1.09GHz
Encapsulado de Transistor RF SOT-539A
Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
Rango de Producto -

4

Each

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Each

1+ $704.24 10+ $677.15 100+ $666.32 Más precios

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48V 72A 600W 1.03GHz 1.09GHz SOT-539A 2Pines 200°C -
BLS6G3135-120,112
BLS6G3135-120,112

70R2902

NXP

Transistor FET RF, 32 V, 7.2 A, 120 W, 3.1 GHz, 3.5 GHz, SOT-502B

Disponible en la cantidad indicada
Para ordenar más que el inventario indicado, comuníquese con el departamento de ventas
Tensión Drenaje-Fuente Vds 32V
Intensidad Drenador Continua Id 7.2A
Disipación de Potencia Pd 120W

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NXP 

Transistor FET RF, 32 V, 7.2 A, 120 W, 3.1 GHz, 3.5 GHz, SOT-502B

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 32V
Intensidad Drenador Continua Id 7.2A
Disipación de Potencia Pd 120W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 3.1GHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 3.5GHz
Encapsulado de Transistor RF SOT-502B
Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
Rango de Producto -

3

Each

1+ $398.67 Precio para 10+ $383.33 Precio para 100+ $377.20 Precio para 250+ $368.00 Precio para Más Menos

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Each

1+ $398.67 10+ $383.33 100+ $377.20 Más precios

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32V 7.2A 120W 3.1GHz 3.5GHz SOT-502B 2Pines 225°C -
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