Low

ROHM  SCT2080KEC  MOSFET de Potencia, Canal N, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V

ROHM SCT2080KEC
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Resumen del producto

The SCT2080KEC is a N-channel SiC (Silicon Carbide) Power MOSFET with high voltage resistance, low ON resistance and fast switching speed.
  • Fast Reverse Recovery
  • Easy to Parallel

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
35A
Tensión Drenaje-Fuente Vds:
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on):
0.08ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
18V
Tensión Umbral Vgs:
4V
Disipación de Potencia Pd:
179W
Diseño de Transistor:
TO-247
Núm. de Contactos:
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Aplicaciones

  • Industrial;
  • Audio;
  • Procesado de Señal;
  • Control de Motor

Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado

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