Transistores - Bipolar Simple (BJT)

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Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
45J2214
PZT2222AT1G

PZT2222AT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 300 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 300MHz

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ON SEMICONDUCTOR  PZT2222AT1G  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 300 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 300MHz
Disipación de Potencia Pd 1.5W
Corriente de Colector DC 600mA
Ganancia de Corriente DC hFE 300hFE
Diseño de Transistor SOT-223
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

51,102

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NPN 40V 300MHz 1.5W 600mA 300hFE SOT-223 4Pines 150°C -
98H0751
MMBT3904LT3G

MMBT3904LT3G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 200 mA, 300 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 300MHz

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ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT3G  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 200 mA, 300 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 300MHz
Disipación de Potencia Pd 300mW
Corriente de Colector DC 200mA
Ganancia de Corriente DC hFE 300hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto MMBTxxxx Series

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NPN 40V 300MHz 300mW 200mA 300hFE SOT-23 3Pines 150°C MMBTxxxx Series
84K8725
BC858BLT1G

BC858BLT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, PNP, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 30V
Frecuencia de Transición ft 100MHz

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ON SEMICONDUCTOR  BC858BLT1G  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, PNP, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 30V
Frecuencia de Transición ft 100MHz
Disipación de Potencia Pd 225mW
Corriente de Colector DC 100mA
Ganancia de Corriente DC hFE 100hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto BCxxx Series

42,615

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PNP 30V 100MHz 225mW 100mA 100hFE SOT-23 3Pines 150°C BCxxx Series
58K2047
PN2222ABU

PN2222ABU

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 1 A, 35 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 300MHz

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PN2222ABU  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 1 A, 35 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 300MHz
Disipación de Potencia Pd 625mW
Corriente de Colector DC 1A
Ganancia de Corriente DC hFE 35hFE
Diseño de Transistor TO-226AA
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

41,143

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NPN 40V 300MHz 625mW 1A 35hFE TO-226AA 3Pines 150°C -
35C0696
2N2907A

2N2907A

MULTICOMP

Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 50 hFE

Transistor, Polaridad PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo -60V
Frecuencia de Transición ft 200MHz

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MULTICOMP  2N2907A  Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 50 hFE

Transistor, Polaridad PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo -60V
Frecuencia de Transición ft 200MHz
Disipación de Potencia Pd 400mW
Corriente de Colector DC -600mA
Ganancia de Corriente DC hFE 50hFE
Diseño de Transistor TO-18
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. -
Rango de Producto -

39,923

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PNP -60V 200MHz 400mW -600mA 50hFE TO-18 3Pines - -
08N8111
2N3904

2N3904

MULTICOMP

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 200 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 300MHz

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MULTICOMP  2N3904  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 300 MHz, 625 mW, 200 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 300MHz
Disipación de Potencia Pd 625mW
Corriente de Colector DC 200mA
Ganancia de Corriente DC hFE 100hFE
Diseño de Transistor TO-92
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
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NPN 40V 300MHz 625mW 200mA 100hFE TO-92 3Pines 150°C -
88H4783
MMBTA42LT1G

MMBTA42LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 300 V, 50 MHz, 300 mW, 500 mA, 50 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 300V
Frecuencia de Transición ft 50MHz

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ON SEMICONDUCTOR  MMBTA42LT1G  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 300 V, 50 MHz, 300 mW, 500 mA, 50 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 300V
Frecuencia de Transición ft 50MHz
Disipación de Potencia Pd 300mW
Corriente de Colector DC 500mA
Ganancia de Corriente DC hFE 50hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto MMBTxxxx Series

36,229

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NPN 300V 50MHz 300mW 500mA 50hFE SOT-23 3Pines 150°C MMBTxxxx Series
45J0609
BC858CLT1G

BC858CLT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA

Transistor, Polaridad PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo -30V
Frecuencia de Transición ft 100MHz

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ON SEMICONDUCTOR  BC858CLT1G  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA

Transistor, Polaridad PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo -30V
Frecuencia de Transición ft 100MHz
Disipación de Potencia Pd 225mW
Corriente de Colector DC -100mA
Ganancia de Corriente DC hFE 420hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto BCxxx Series

33,389

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1+ $0.022 Precio promocional 10+ $0.022 Precio promocional 100+ $0.022 Precio promocional

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PNP -30V 100MHz 225mW -100mA 420hFE SOT-23 3Pines 150°C BCxxx Series
51R6815
MMBT3906-7-F

MMBT3906-7-F

DIODES INC.

Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, -40 V, 250 MHz, 300 mW, -200 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo -40V
Frecuencia de Transición ft 250MHz

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DIODES INC.  MMBT3906-7-F  Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, -40 V, 250 MHz, 300 mW, -200 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo -40V
Frecuencia de Transición ft 250MHz
Disipación de Potencia Pd 300mW
Corriente de Colector DC -200mA
Ganancia de Corriente DC hFE 100hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

27,310

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1+ $0.173 10+ $0.117 100+ $0.056 Más precios

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PNP -40V 250MHz 300mW -200mA 100hFE SOT-23 3Pines 150°C -
88H4791
MMBT4401WT1G

MMBT4401WT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 250 MHz, 150 mW, 600 mA, 100 hFE

Disponible hasta que se agoten las existencias
Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 250MHz

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ON SEMICONDUCTOR  MMBT4401WT1G  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 250 MHz, 150 mW, 600 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 250MHz
Disipación de Potencia Pd 150mW
Corriente de Colector DC 600mA
Ganancia de Corriente DC hFE 100hFE
Diseño de Transistor SOT-323
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

12,000

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Each (Supplied on Full Reel)

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NPN 40V 250MHz 150mW 600mA 100hFE SOT-323 3Pines 150°C -
75R0745
BC850C,215

BC850C,215

NXP

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE

Disponible hasta que se agoten las existencias
Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 45V
Frecuencia de Transición ft 100MHz

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NXP  BC850C,215  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 45V
Frecuencia de Transición ft 100MHz
Disipación de Potencia Pd 250mW
Corriente de Colector DC 100mA
Ganancia de Corriente DC hFE 420hFE
Diseño de Transistor TO-236AB
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

26,887

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1+ $0.035 Precio promocional 10+ $0.035 Precio promocional 25+ $0.035 Precio promocional Más precios

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NPN 45V 100MHz 250mW 100mA 420hFE TO-236AB 3Pines 150°C -
75R0721
BC817-25,215

BC817-25,215

NXP

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 160 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 45V
Frecuencia de Transición ft 100MHz

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NXP  BC817-25,215  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 160 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 45V
Frecuencia de Transición ft 100MHz
Disipación de Potencia Pd 250mW
Corriente de Colector DC 500mA
Ganancia de Corriente DC hFE 160hFE
Diseño de Transistor TO-236AB
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto BC817 Series

26,705

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1+ $0.023 Precio promocional 10+ $0.023 Precio promocional 25+ $0.023 Precio promocional Más precios

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NPN 45V 100MHz 250mW 500mA 160hFE TO-236AB 3Pines 150°C BC817 Series
75R0725
BC817-40W,115

BC817-40W,115

NXP

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 500 mA, 600 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 45V
Frecuencia de Transición ft 100MHz

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NXP  BC817-40W,115  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 500 mA, 600 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 45V
Frecuencia de Transición ft 100MHz
Disipación de Potencia Pd 200mW
Corriente de Colector DC 500mA
Ganancia de Corriente DC hFE 600hFE
Diseño de Transistor SOT-323
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto BC817 Series

26,709

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NPN 45V 100MHz 200mW 500mA 600hFE SOT-323 3Pines 150°C BC817 Series
45J0600
BC856ALT1G

BC856ALT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, -65 V, 100 MHz, 300 mW, -100 mA

Transistor, Polaridad PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo -65V
Frecuencia de Transición ft 100MHz

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ON SEMICONDUCTOR  BC856ALT1G  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, -65 V, 100 MHz, 300 mW, -100 mA

Transistor, Polaridad PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo -65V
Frecuencia de Transición ft 100MHz
Disipación de Potencia Pd 300mW
Corriente de Colector DC -100mA
Ganancia de Corriente DC hFE 125hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto BCxxx Series

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1+ $0.021 Precio promocional 10+ $0.021 Precio promocional 100+ $0.021 Precio promocional

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PNP -65V 100MHz 300mW -100mA 125hFE SOT-23 3Pines 150°C BCxxx Series
98H0503
BC817-16LT1G

BC817-16LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 45V
Frecuencia de Transición ft 100MHz

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ON SEMICONDUCTOR  BC817-16LT1G  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 45V
Frecuencia de Transición ft 100MHz
Disipación de Potencia Pd 300mW
Corriente de Colector DC 500mA
Ganancia de Corriente DC hFE 100hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto BCxxx Series

26,171

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1+ $0.023 Precio promocional 10+ $0.023 Precio promocional 100+ $0.023 Precio promocional

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NPN 45V 100MHz 300mW 500mA 100hFE SOT-23 3Pines 150°C BCxxx Series
45J1537
MMBT6517LT1G

MMBT6517LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 350 V, 200 MHz, 225 mW, 100 mA, 15 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 350V
Frecuencia de Transición ft 200MHz

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ON SEMICONDUCTOR  MMBT6517LT1G  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 350 V, 200 MHz, 225 mW, 100 mA, 15 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 350V
Frecuencia de Transición ft 200MHz
Disipación de Potencia Pd 225mW
Corriente de Colector DC 100mA
Ganancia de Corriente DC hFE 15hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto MMBTxxxx Series

25,829

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.17 Precio promocional 10+ $0.17 Precio promocional 100+ $0.156 Precio promocional

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NPN 350V 200MHz 225mW 100mA 15hFE SOT-23 3Pines 150°C MMBTxxxx Series
51R6809
MMBT2222A-7-F

MMBT2222A-7-F

DIODES INC.

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 600 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 300MHz

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DIODES INC.  MMBT2222A-7-F  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 600 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 300MHz
Disipación de Potencia Pd 300mW
Corriente de Colector DC 600mA
Ganancia de Corriente DC hFE 100hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

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NPN 40V 300MHz 300mW 600mA 100hFE SOT-23 3Pines 150°C -
67P3439
BC847CMTF

BC847CMTF

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 45 V, 300 MHz, 310 mW, 100 mA, 420 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 45V
Frecuencia de Transición ft 300MHz

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC847CMTF  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 45 V, 300 MHz, 310 mW, 100 mA, 420 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 45V
Frecuencia de Transición ft 300MHz
Disipación de Potencia Pd 310mW
Corriente de Colector DC 100mA
Ganancia de Corriente DC hFE 420hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
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NPN 45V 300MHz 310mW 100mA 420hFE SOT-23 3Pines 150°C -
45J1532
MMBT2369LT1G

MMBT2369LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 15V
Disipación de Potencia Pd 300mW

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ON SEMICONDUCTOR  MMBT2369LT1G  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 15V
Frecuencia de Transición ft -
Disipación de Potencia Pd 300mW
Corriente de Colector DC 200mA
Ganancia de Corriente DC hFE 120hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
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Rango de Producto MMBTxxxx Series

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NPN 15V - 300mW 200mA 120hFE SOT-23 3Pines 150°C MMBTxxxx Series
70R7642
PMBT5551,215

PMBT5551,215

NXP

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 160 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 80 hFE

Disponible hasta que se agoten las existencias
Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 160V
Frecuencia de Transición ft 300MHz

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NXP  PMBT5551,215  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 160 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 80 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 160V
Frecuencia de Transición ft 300MHz
Disipación de Potencia Pd 250mW
Corriente de Colector DC 300mA
Ganancia de Corriente DC hFE 80hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

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NPN 160V 300MHz 250mW 300mA 80hFE SOT-23 3Pines 150°C -
83C3271
2N5088BU

2N5088BU

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 30 V, 50 MHz, 625 mW, 100 mA, 300 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 30V
Frecuencia de Transición ft 50MHz

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N5088BU  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 30 V, 50 MHz, 625 mW, 100 mA, 300 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 30V
Frecuencia de Transición ft 50MHz
Disipación de Potencia Pd 625mW
Corriente de Colector DC 100mA
Ganancia de Corriente DC hFE 300hFE
Diseño de Transistor TO-92
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
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NPN 30V 50MHz 625mW 100mA 300hFE TO-92 3Pines 150°C -
83C3210
2N4401BU

2N4401BU

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 250MHz

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N4401BU  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 250MHz
Disipación de Potencia Pd 625mW
Corriente de Colector DC 600mA
Ganancia de Corriente DC hFE 100hFE
Diseño de Transistor TO-92
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
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NPN 40V 250MHz 625mW 600mA 100hFE TO-92 3Pines 150°C -
88H4620
DTC114YET1G

DTC114YET1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, BRT, NPN, 50 V

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Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Núm. de Contactos 3Pines

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ON SEMICONDUCTOR  DTC114YET1G  Transistor Bipolar (BJT) Individual, BRT, NPN, 50 V

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Frecuencia de Transición ft -
Disipación de Potencia Pd -
Corriente de Colector DC -
Ganancia de Corriente DC hFE -
Diseño de Transistor -
Núm. de Contactos 3Pines
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NPN 50V - - - - - 3Pines - -
71J5992
MMBTA64LT1G

MMBTA64LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Darlington, PNP, -30 V, 125 MHz, 300 mW, -500 mA, 20000 hFE

Transistor, Polaridad PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo -30V
Frecuencia de Transición ft 125MHz

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ON SEMICONDUCTOR  MMBTA64LT1G  Transistor Bipolar (BJT) Individual, Darlington, PNP, -30 V, 125 MHz, 300 mW, -500 mA, 20000 hFE

Transistor, Polaridad PNP
Tensión Colector Emisor V(br)ceo -30V
Frecuencia de Transición ft 125MHz
Disipación de Potencia Pd 300mW
Corriente de Colector DC -500mA
Ganancia de Corriente DC hFE 20000hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

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PNP -30V 125MHz 300mW -500mA 20000hFE SOT-23 3Pines 150°C -
18C7400
MMBT2222A

MMBT2222A

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 1 A, 300 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 300MHz

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2222A  Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 1 A, 300 hFE

Transistor, Polaridad NPN
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 40V
Frecuencia de Transición ft 300MHz
Disipación de Potencia Pd 350mW
Corriente de Colector DC 1A
Ganancia de Corriente DC hFE 300hFE
Diseño de Transistor SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

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NPN 40V 300MHz 350mW 1A 300hFE SOT-23 3Pines 150°C -
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