Transistores - Bipolar - Pre-Bias / Digital

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Tensión Colector Emisor V(br)ceo Intensidad de Collector Continua Ic Resitencia Básica de Entrada R1 Resistor R2 Base-Emisor Ratio de la Resistencia, R1 / R2 Encapsulado de Transistor RF Núm. de Pines Rango de Producto
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
10N9518
MMUN2231LT1G

MMUN2231LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 Relación, SOT-23

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 2.2kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MMUN2231LT1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 Relación, SOT-23

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 2.2kohm
Resistor R2 Base-Emisor 2.2kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Pines 3 Pines
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50V 100mA 2.2kohm 2.2kohm 1Relación SOT-23 3 Pines -
26K4683
MUN5233DW1T1G

MUN5233DW1T1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MUN5233DW1T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm
Resistor R2 Base-Emisor 47kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 0.1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-363
Núm. de Pines 6 Pines
Rango de Producto -

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50V 100mA 4.7kohm 47kohm 0.1Relación SOT-363 6 Pines -
84K8803
MMUN2233LT1G

MMUN2233LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MMUN2233LT1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm
Resistor R2 Base-Emisor 47kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 0.1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Pines 3 Pines
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50V 100mA 4.7kohm 47kohm 0.1Relación SOT-23 3 Pines -
88H4918
MUN2211T1G

MUN2211T1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SC-59

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MUN2211T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SC-59

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm
Resistor R2 Base-Emisor 10kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SC-59
Núm. de Pines 3 Pines
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50V 100mA 10kohm 10kohm 1Relación SC-59 3 Pines -
88H4911
MMUN2211LT1G

MMUN2211LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SOT-23

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MMUN2211LT1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SOT-23

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm
Resistor R2 Base-Emisor 10kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Pines 3 Pines
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50V 100mA 10kohm 10kohm 1Relación SOT-23 3 Pines -
45J1616
MMUN2112LT1G

MMUN2112LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 Relación, SOT-23

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 22kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MMUN2112LT1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 Relación, SOT-23

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 22kohm
Resistor R2 Base-Emisor 22kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Pines 3 Pines
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50V 100mA 22kohm 22kohm 1Relación SOT-23 3 Pines -
26K4608
MMUN2114LT1G

MMUN2114LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 Relación

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MMUN2114LT1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm
Resistor R2 Base-Emisor 47kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 0.21Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Pines 3 Pines
Rango de Producto -

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50V 100mA 10kohm 47kohm 0.21Relación SOT-23 3 Pines -
26K4679
MUN5135T1G

MUN5135T1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 Relación

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 2.2kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MUN5135T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 2.2kohm
Resistor R2 Base-Emisor 47kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 0.047Relación
Encapsulado de Transistor RF SC-70
Núm. de Pines 3 Pines
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50V 100mA 2.2kohm 47kohm 0.047Relación SC-70 3 Pines -
84K8822
MUN5311DW1T1G

MUN5311DW1T1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SOT-363

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MUN5311DW1T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SOT-363

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm
Resistor R2 Base-Emisor 10kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-363
Núm. de Pines 6 Pines
Rango de Producto -

23,346

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50V 100mA 10kohm 10kohm 1Relación SOT-363 6 Pines -
88H4922
MUN5111T1G

MUN5111T1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SOT-323

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MUN5111T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SOT-323

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm
Resistor R2 Base-Emisor 10kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-323
Núm. de Pines 3 Pines
Rango de Producto -

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50V 100mA 10kohm 10kohm 1Relación SOT-323 3 Pines -
09R9573
MUN5233T1G

MUN5233T1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Relación

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MUN5233T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm
Resistor R2 Base-Emisor 47kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 0.1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-323
Núm. de Pines 3 Pines
Rango de Producto -

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1+ $0.011 Precio promocional 10+ $0.011 Precio promocional 100+ $0.011 Precio promocional

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50V 100mA 4.7kohm 47kohm 0.1Relación SOT-323 3 Pines -
85W3171
MUN5111T1G

MUN5111T1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SOT-323

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm

+ Ver toda la información del producto

ON SEMICONDUCTOR  MUN5111T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SOT-323

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm
Resistor R2 Base-Emisor 10kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-323
Núm. de Pines 3 Pines
Rango de Producto -

21,000

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1+ $0.017 Precio promocional 3000+ $0.017 Precio promocional 24000+ $0.017 Precio promocional

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50V 100mA 10kohm 10kohm 1Relación SOT-323 3 Pines -
45J1617
MMUN2113LT1G

MMUN2113LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Relación, SOT-23

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 47kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MMUN2113LT1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Relación, SOT-23

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 47kohm
Resistor R2 Base-Emisor 47kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Pines 3 Pines
Rango de Producto -

20,527

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1+ $0.011 Precio promocional 10+ $0.011 Precio promocional 100+ $0.011 Precio promocional

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50V 100mA 47kohm 47kohm 1Relación SOT-23 3 Pines -
17M8996
MMUN2216LT1G

MMUN2216LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-23

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MMUN2216LT1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-23

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm
Resistor R2 Base-Emisor -
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 -
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Pines 3 Pines
Rango de Producto -

19,359

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1+ $0.022 Precio promocional 10+ $0.021 Precio promocional 100+ $0.021 Precio promocional

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50V 100mA 4.7kohm - - SOT-23 3 Pines -
85W3167
MMUN2112LT1G

MMUN2112LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 Relación, SOT-23

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 22kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MMUN2112LT1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 Relación, SOT-23

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 22kohm
Resistor R2 Base-Emisor 22kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Pines 3 Pines
Rango de Producto -

18,000

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1+ $0.007 Precio promocional 3000+ $0.007 Precio promocional 24000+ $0.007 Precio promocional

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50V 100mA 22kohm 22kohm 1Relación SOT-23 3 Pines -
26K4612
MMUN2133LT1G

MMUN2133LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Relación

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Colector Emisor V(br)ceo -50V
Intensidad de Collector Continua Ic -100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MMUN2133LT1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo -50V
Intensidad de Collector Continua Ic -100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm
Resistor R2 Base-Emisor 47kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 0.1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Pines 3 Pines
Rango de Producto -

18,000

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18,000   En stock

18,000 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Each (Supplied on Full Reel)

1+ $0.007 Precio promocional 3000+ $0.007 Precio promocional 24000+ $0.007 Precio promocional

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-50V -100mA 4.7kohm 47kohm 0.1Relación SOT-23 3 Pines -
45J1622
MMUN2213LT1G

MMUN2213LT1G

ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Relación, SOT-23

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 47kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MMUN2213LT1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Relación, SOT-23

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 47kohm
Resistor R2 Base-Emisor 47kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
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MUN2111T1G

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Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SC-59

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Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
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ON SEMICONDUCTOR  MUN2111T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SC-59

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm
Resistor R2 Base-Emisor 10kohm
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Encapsulado de Transistor RF SC-59
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50V 100mA 10kohm 10kohm 1Relación SC-59 3 Pines -
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Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 Relación, SOT-23

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
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ON SEMICONDUCTOR  MMUN2232LT1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 Relación, SOT-23

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm
Resistor R2 Base-Emisor 4.7kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
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09R9576
MUN5314DW1T1G

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Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MUN5314DW1T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm
Resistor R2 Base-Emisor 47kohm
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MUN5333DW1T1G

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ON SEMICONDUCTOR

Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MUN5333DW1T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 4.7kohm
Resistor R2 Base-Emisor 47kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 0.1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-363
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84K8819
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Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SOT-363

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MUN5211DW1T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación, SOT-363

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 10kohm
Resistor R2 Base-Emisor 10kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-363
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Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
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Resitencia Básica de Entrada R1 2.2kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MUN5335DW1T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 Relación

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 2.2kohm
Resistor R2 Base-Emisor 4.7kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 0.47Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-363
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Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 Relación, SOT-363

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 1kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MUN5230DW1T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 Relación, SOT-363

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
Intensidad de Collector Continua Ic 100mA
Resitencia Básica de Entrada R1 1kohm
Resistor R2 Base-Emisor 1kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-363
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84K8820
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Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Relación, SOT-363

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Resitencia Básica de Entrada R1 47kohm

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ON SEMICONDUCTOR  MUN5213DW1T1G  Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Relación, SOT-363

Tensión Colector Emisor V(br)ceo 50V
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Resistor R2 Base-Emisor 47kohm
Ratio de la Resistencia, R1 / R2 1Relación
Encapsulado de Transistor RF SOT-363
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