Transistores - RF FET

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Tensión Drenaje-Fuente Vds Intensidad Drenador Continua Id Disipación de Potencia Pd Frecuencia de Funcionamiento Mín. Frecuencia de Funcionamiento Máx. Encapsulado de Transistor RF Núm. de Contactos Temperatura de Trabajo Máx. Rango de Producto
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
75R4674
BF545C,215

BF545C,215

NXP

Transistor FET RF, 30 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23

Tensión Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id 25mA
Disipación de Potencia Pd 250mW

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NXP 

Transistor FET RF, 30 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id 25mA
Disipación de Potencia Pd 250mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

2,474

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Each (Supplied on Cut Tape)

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30V 25mA 250mW - - SOT-23 3Pines 150°C -
58K8917
J111

J111

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor FET RF, 35 V, 625 mW, TO-92

Tensión Drenaje-Fuente Vds 35V
Disipación de Potencia Pd 625mW
Encapsulado de Transistor RF TO-92

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 

Transistor FET RF, 35 V, 625 mW, TO-92

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 35V
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 625mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF TO-92
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

1,941

Each

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Each

1+ $0.469 10+ $0.336 100+ $0.155 Más precios

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35V - 625mW - - TO-92 3Pines 150°C -
16N1972
MRF1511NT1

MRF1511NT1

NXP

Transistor FET RF, 40 V, 4 A, 62.5 W, 135 MHz, 175 MHz, PLD-1.5

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 4A
Disipación de Potencia Pd 62.5W

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NXP 

Transistor FET RF, 40 V, 4 A, 62.5 W, 135 MHz, 175 MHz, PLD-1.5

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 4A
Disipación de Potencia Pd 62.5W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 135MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 175MHz
Encapsulado de Transistor RF PLD-1.5
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

550

Each (Supplied on Cut Tape)

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Each (Supplied on Cut Tape)

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40V 4A 62.5W 135MHz 175MHz PLD-1.5 3Pines 150°C -
28W3507
MRFE6VS25NR1

MRFE6VS25NR1

NXP

Transistor FET RF, 133 VDC, 25 W, 1.8 MHz, 2 GHz, TO-270

Disponible en la cantidad indicada
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Tensión Drenaje-Fuente Vds 133VDC
Disipación de Potencia Pd 25W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz

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NXP 

Transistor FET RF, 133 VDC, 25 W, 1.8 MHz, 2 GHz, TO-270

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 133VDC
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 25W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz
Encapsulado de Transistor RF TO-270
Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

445

Each (Supplied on Cut Tape)

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Each (Supplied on Cut Tape)

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133VDC - 25W 1.8MHz 2GHz TO-270 2Pines 150°C -
34R2431
MW6S004NT1

MW6S004NT1

NXP

Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5

Tensión Drenaje-Fuente Vds 68V
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz

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NXP 

Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 68V
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd -
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz
Encapsulado de Transistor RF PLD-1.5
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

409

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Each (Supplied on Cut Tape)

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68V - - 1MHz 2GHz PLD-1.5 4Pines 150°C -
22M7859
MRF1535NT1

MRF1535NT1

NXP

Transistor FET RF, 40 V, 6 A, 35 W, 400 MHz, 520 MHz, TO-272

Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 6A
Disipación de Potencia Pd 35W

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NXP 

Transistor FET RF, 40 V, 6 A, 35 W, 400 MHz, 520 MHz, TO-272

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 6A
Disipación de Potencia Pd 35W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 400MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 520MHz
Encapsulado de Transistor RF TO-272
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
Rango de Producto -

155

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $29.50 10+ $26.62 25+ $22.68 100+ $21.02 250+ $19.82 Más Menos

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $29.50 10+ $26.62 25+ $22.68 Más precios

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40V 6A 35W 400MHz 520MHz TO-272 6Pines 200°C -
54K2746
ATF-551M4-BLK

ATF-551M4-BLK

BROADCOM LIMITED

Transistor FET RF, 2.7 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 10 GHz, MiniPak

Disponible en la cantidad indicada
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Tensión Drenaje-Fuente Vds 2.7V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 270mW

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BROADCOM LIMITED 

Transistor FET RF, 2.7 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 10 GHz, MiniPak

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 2.7V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 270mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 450MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 10GHz
Encapsulado de Transistor RF MiniPak
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

208 En stock

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Each

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2.7V 100mA 270mW 450MHz 10GHz MiniPak 4Pines 150°C -
42M1752
DE150-501N04A

DE150-501N04A

IXYS RF

Transistor FET RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150

Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
Intensidad Drenador Continua Id 4.5A
Disipación de Potencia Pd 200W

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IXYS RF 

Transistor FET RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
Intensidad Drenador Continua Id 4.5A
Disipación de Potencia Pd 200W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 100MHz
Encapsulado de Transistor RF DE-150
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
Rango de Producto -

203

Each

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Each

1+ $62.57 25+ $59.59 50+ $56.86 Más precios

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500V 4.5A 200W - 100MHz DE-150 6Pines 175°C -
43K5599
MRF1550NT1

MRF1550NT1

NXP

Transistor FET RF, 40 V, 12 A, 165 W, 135 MHz, 175 MHz, TO-272

Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 12A
Disipación de Potencia Pd 165W

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NXP 

Transistor FET RF, 40 V, 12 A, 165 W, 135 MHz, 175 MHz, TO-272

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 12A
Disipación de Potencia Pd 165W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 135MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 175MHz
Encapsulado de Transistor RF TO-272
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
Rango de Producto -

116

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $42.26 10+ $38.15 25+ $32.51 100+ $30.13 250+ $28.40 Más Menos

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $42.26 10+ $38.15 25+ $32.51 Más precios

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40V 12A 165W 135MHz 175MHz TO-272 6Pines 200°C -
42M1754
DE275-501N16A

DE275-501N16A

IXYS RF

Transistor FET RF, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275

Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
Intensidad Drenador Continua Id 16A
Disipación de Potencia Pd 590W

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IXYS RF 

Transistor FET RF, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
Intensidad Drenador Continua Id 16A
Disipación de Potencia Pd 590W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 100MHz
Encapsulado de Transistor RF DE-275
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
Rango de Producto -

55

Each

1+ $53.09 25+ $50.57 50+ $48.25 100+ $46.77 250+ $45.30 Más Menos

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Each

1+ $53.09 25+ $50.57 50+ $48.25 Más precios

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500V 16A 590W - 100MHz DE-275 6Pines 175°C -
70R2784
BLF574,112

BLF574,112

NXP

Transistor FET RF, 110 V, 56 A, 400 W, 10 MHz, 500 MHz, SOT-539A

Disponible en la cantidad indicada
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Tensión Drenaje-Fuente Vds 110V
Intensidad Drenador Continua Id 56A
Disipación de Potencia Pd 400W

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NXP 

Transistor FET RF, 110 V, 56 A, 400 W, 10 MHz, 500 MHz, SOT-539A

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47 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Disponible en la cantidad indicada
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Tensión Drenaje-Fuente Vds 110V
Intensidad Drenador Continua Id 56A
Disipación de Potencia Pd 400W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 10MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 500MHz
Encapsulado de Transistor RF SOT-539A
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
Rango de Producto -

47

Each

1+ $234.42 10+ $225.41 100+ $221.80 250+ $216.38 Más Menos

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Each

1+ $234.42 10+ $225.41 100+ $221.80 Más precios

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110V 56A 400W 10MHz 500MHz SOT-539A 4Pines 225°C -
08X5874
GA20SICP12-263

GA20SICP12-263

GENESIC SEMICONDUCTOR

Transistor FET RF, 1.2 kV, 20 A, 157 W, TO-263

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id 20A
Disipación de Potencia Pd 157W

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GENESIC SEMICONDUCTOR 

Transistor FET RF, 1.2 kV, 20 A, 157 W, TO-263

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id 20A
Disipación de Potencia Pd 157W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF TO-263
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. -
Rango de Producto -

40

Each

1+ $80.44 25+ $78.20

Cantidad

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Each

1+ $80.44 25+ $78.20

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1.2kV 20A 157W - - TO-263 3Pines - -
19T6330
MRFE6VP61K25HR5

MRFE6VP61K25HR5

NXP

Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 1.333kW

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NXP 

Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 1.333kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
Encapsulado de Transistor RF NI-1230
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
Rango de Producto -

40

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $358.08 10+ $326.15 25+ $317.03

Cantidad

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $358.08 10+ $326.15 25+ $317.03

Comprar
125V 100mA 1.333kW 1.8MHz 600MHz NI-1230 4Pines 225°C -
42M1755
DE275X2-102N06A

DE275X2-102N06A

IXYS RF

Transistor FET RF, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1kV
Intensidad Drenador Continua Id 16A
Disipación de Potencia Pd 1.18kW

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IXYS RF 

Transistor FET RF, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2

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34 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 7/11/16

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1kV
Intensidad Drenador Continua Id 16A
Disipación de Potencia Pd 1.18kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 100MHz
Encapsulado de Transistor RF DE-275X2
Núm. de Contactos 8Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
Rango de Producto -

34

Each

1+ $88.16 25+ $83.95 50+ $80.10 100+ $77.65 250+ $75.21 Más Menos

Cantidad

34 En stock

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34 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 7/11/16

Each

1+ $88.16 25+ $83.95 50+ $80.10 Más precios

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1kV 16A 1.18kW - 100MHz DE-275X2 8Pines 175°C -
24T5453
MRFE6VP5600HR5

MRFE6VP5600HR5

NXP

Transistor FET RF, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

Tensión Drenaje-Fuente Vds 130V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 1.667kW

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NXP 

Transistor FET RF, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

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Intensidad Drenador Continua Id 100mA
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42M1944
IXZ308N120

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Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
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IXYS RF 

Transistor FET RF, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

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    13T4415
    MRFE6VP6300HSR5

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    NXP

    Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 300 W, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780S

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    19T6332
    MRFE6VP61K25HSR5

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    Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230S

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    20H0868
    ATF-531P8-BLK

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    BROADCOM LIMITED

    Transistor FET RF, Alta Linealidad, 4 V, 300 mA, 1 W, 50 MHz, 6 GHz, LPCC

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    4V 300mA 1W 50MHz 6GHz LPCC 8Pines 150°C -
    08X5871
    GA100SICP12-227

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    GENESIC SEMICONDUCTOR

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    31C4191
    NTE454

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    NTE ELECTRONICS

    Transistor FET RF, 20 V, 60 mA, 360 mW

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    28W3506
    MRFE6VP100HR5

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    Tensión Drenaje-Fuente Vds 133VDC
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Disipación de Potencia Pd 100W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
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    Encapsulado de Transistor RF NI-780
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    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 136MHz
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    BLA6H1011-600,112

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    Transistor FET RF, 48 V, 72 A, 600 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, SOT-539A

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    Intensidad Drenador Continua Id 72A
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    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.03GHz
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    48V 72A 600W 1.03GHz 1.09GHz SOT-539A 2Pines 200°C -
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    BLS6G3135-120,112

    BLS6G3135-120,112

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    Transistor FET RF, 32 V, 7.2 A, 120 W, 3.1 GHz, 3.5 GHz, SOT-502B

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    Intensidad Drenador Continua Id 7.2A
    Disipación de Potencia Pd 120W

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    Transistor FET RF, 32 V, 7.2 A, 120 W, 3.1 GHz, 3.5 GHz, SOT-502B

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    Intensidad Drenador Continua Id 7.2A
    Disipación de Potencia Pd 120W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 3.1GHz
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    Encapsulado de Transistor RF SOT-502B
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