Transistores - RF FET

: 94 productos encontrados

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Tensión Drenaje-Fuente Vds Intensidad Drenador Continua Id Disipación de Potencia Pd Frecuencia de Funcionamiento Mín. Frecuencia de Funcionamiento Máx. Encapsulado de Transistor RF Núm. de Contactos Temperatura de Trabajo Máx. Rango de Producto
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
75R4674
BF545C,215

BF545C,215

NXP

Transistor FET RF, 30 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23

Tensión Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id 25mA
Disipación de Potencia Pd 250mW

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NXP  BF545C,215  Transistor FET RF, 30 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23

Tensión Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id 25mA
Disipación de Potencia Pd 250mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

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30V 25mA 250mW - - SOT-23 3Pines 150°C -
58K8917
J111

J111

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

Transistor FET RF, 35 V, 625 mW, TO-92

Tensión Drenaje-Fuente Vds 35V
Disipación de Potencia Pd 625mW
Encapsulado de Transistor RF TO-92

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J111  Transistor FET RF, 35 V, 625 mW, TO-92

Tensión Drenaje-Fuente Vds 35V
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 625mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF TO-92
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

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35V - 625mW - - TO-92 3Pines 150°C -
16N1972
MRF1511NT1

MRF1511NT1

NXP

Transistor FET RF, 40 V, 4 A, 62.5 W, 135 MHz, 175 MHz, PLD-1.5

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 4A
Disipación de Potencia Pd 62.5W

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NXP  MRF1511NT1  Transistor FET RF, 40 V, 4 A, 62.5 W, 135 MHz, 175 MHz, PLD-1.5

Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 4A
Disipación de Potencia Pd 62.5W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 135MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 175MHz
Encapsulado de Transistor RF PLD-1.5
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

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40V 4A 62.5W 135MHz 175MHz PLD-1.5 3Pines 150°C -
28W3507
MRFE6VS25NR1

MRFE6VS25NR1

NXP

Transistor FET RF, 133 VDC, 25 W, 1.8 MHz, 2 GHz, TO-270

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Drenaje-Fuente Vds 133VDC
Disipación de Potencia Pd 25W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz

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NXP  MRFE6VS25NR1  Transistor FET RF, 133 VDC, 25 W, 1.8 MHz, 2 GHz, TO-270

Tensión Drenaje-Fuente Vds 133VDC
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 25W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz
Encapsulado de Transistor RF TO-270
Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
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445

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133VDC - 25W 1.8MHz 2GHz TO-270 2Pines 150°C -
34R2431
MW6S004NT1

MW6S004NT1

NXP

Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5

Tensión Drenaje-Fuente Vds 68V
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz

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NXP  MW6S004NT1  Transistor FET RF, 68 V, 1 MHz, 2 GHz, PLD-1.5

Tensión Drenaje-Fuente Vds 68V
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd -
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz
Encapsulado de Transistor RF PLD-1.5
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
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68V - - 1MHz 2GHz PLD-1.5 4Pines 150°C -
43K5599
MRF1550NT1

MRF1550NT1

NXP

Transistor FET RF, 40 V, 12 A, 165 W, 135 MHz, 175 MHz, TO-272

Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 12A
Disipación de Potencia Pd 165W

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NXP  MRF1550NT1  Transistor FET RF, 40 V, 12 A, 165 W, 135 MHz, 175 MHz, TO-272

Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 12A
Disipación de Potencia Pd 165W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 135MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 175MHz
Encapsulado de Transistor RF TO-272
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
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40V 12A 165W 135MHz 175MHz TO-272 6Pines 200°C -
54K2746
ATF-551M4-BLK

ATF-551M4-BLK

BROADCOM LIMITED

Transistor FET RF, 2.7 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 10 GHz, MiniPak

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Drenaje-Fuente Vds 2.7V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 270mW

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BROADCOM LIMITED  ATF-551M4-BLK  Transistor FET RF, 2.7 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 10 GHz, MiniPak

Tensión Drenaje-Fuente Vds 2.7V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 270mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 450MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 10GHz
Encapsulado de Transistor RF MiniPak
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
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2.7V 100mA 270mW 450MHz 10GHz MiniPak 4Pines 150°C -
79R1828
BF904,215

BF904,215

NXP

Transistor FET RF, 7 V, 30 mA, 200 mW, SOT-143B

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Drenaje-Fuente Vds 7V
Intensidad Drenador Continua Id 30mA
Disipación de Potencia Pd 200mW

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NXP  BF904,215  Transistor FET RF, 7 V, 30 mA, 200 mW, SOT-143B

Tensión Drenaje-Fuente Vds 7V
Intensidad Drenador Continua Id 30mA
Disipación de Potencia Pd 200mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-143B
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

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1+ $0.205 Precio promocional 10+ $0.205 Precio promocional 25+ $0.205 Precio promocional Más precios

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7V 30mA 200mW - - SOT-143B 4Pines 150°C -
42M1752
DE150-501N04A

DE150-501N04A

IXYS RF

Transistor FET RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150

Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
Intensidad Drenador Continua Id 4.5A
Disipación de Potencia Pd 200W

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IXYS RF  DE150-501N04A  Transistor FET RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150

Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
Intensidad Drenador Continua Id 4.5A
Disipación de Potencia Pd 200W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 100MHz
Encapsulado de Transistor RF DE-150
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
Rango de Producto -

203

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Each

1+ $52.86 25+ $50.34 50+ $48.04 Más precios

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500V 4.5A 200W - 100MHz DE-150 6Pines 175°C -
75R4672
BF511,215

BF511,215

NXP

Transistor FET RF, 20 V, 7 mA, 250 mW, SOT-23

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Drenaje-Fuente Vds 20V
Intensidad Drenador Continua Id 7mA
Disipación de Potencia Pd 250mW

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NXP  BF511,215  Transistor FET RF, 20 V, 7 mA, 250 mW, SOT-23

Tensión Drenaje-Fuente Vds 20V
Intensidad Drenador Continua Id 7mA
Disipación de Potencia Pd 250mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

162

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.449 Precio promocional 10+ $0.447 Precio promocional 25+ $0.447 Precio promocional Más precios

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20V 7mA 250mW - - SOT-23 3Pines 150°C -
22M7859
MRF1535NT1

MRF1535NT1

NXP

Transistor FET RF, 40 V, 6 A, 35 W, 400 MHz, 520 MHz, TO-272

Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 6A
Disipación de Potencia Pd 35W

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NXP  MRF1535NT1  Transistor FET RF, 40 V, 6 A, 35 W, 400 MHz, 520 MHz, TO-272

Tensión Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 6A
Disipación de Potencia Pd 35W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 400MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 520MHz
Encapsulado de Transistor RF TO-272
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
Rango de Producto -

157

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $27.04 10+ $25.96 25+ $24.44 Más precios

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40V 6A 35W 400MHz 520MHz TO-272 6Pines 200°C -
42M1754
DE275-501N16A

DE275-501N16A

IXYS RF

Transistor FET RF, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275

Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
Intensidad Drenador Continua Id 16A
Disipación de Potencia Pd 590W

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IXYS RF  DE275-501N16A  Transistor FET RF, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275

Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
Intensidad Drenador Continua Id 16A
Disipación de Potencia Pd 590W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 100MHz
Encapsulado de Transistor RF DE-275
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
Rango de Producto -

59

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Each

1+ $54.44 25+ $51.85 50+ $49.48 Más precios

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500V 16A 590W - 100MHz DE-275 6Pines 175°C -
70R2784
BLF574,112

BLF574,112

NXP

Transistor FET RF, 110 V, 56 A, 400 W, 10 MHz, 500 MHz, SOT-539A

Disponible hasta que se agoten las existencias
Tensión Drenaje-Fuente Vds 110V
Intensidad Drenador Continua Id 56A
Disipación de Potencia Pd 400W

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NXP  BLF574,112  Transistor FET RF, 110 V, 56 A, 400 W, 10 MHz, 500 MHz, SOT-539A

Tensión Drenaje-Fuente Vds 110V
Intensidad Drenador Continua Id 56A
Disipación de Potencia Pd 400W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 10MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 500MHz
Encapsulado de Transistor RF SOT-539A
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
Rango de Producto -

47

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Each

1+ $234.42 10+ $225.41 100+ $221.80

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110V 56A 400W 10MHz 500MHz SOT-539A 4Pines 225°C -
19T6330
MRFE6VP61K25HR5

MRFE6VP61K25HR5

NXP

Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 1.333kW

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NXP  MRFE6VP61K25HR5  Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 1.333kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
Encapsulado de Transistor RF NI-1230
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
Rango de Producto -

41

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $275.89

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125V 100mA 1.333kW 1.8MHz 600MHz NI-1230 4Pines 225°C -
08X5874
GA20SICP12-263

GA20SICP12-263

GENESIC SEMICONDUCTOR

Transistor FET RF, 1.2 kV, 20 A, 157 W, TO-263

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id 20A
Disipación de Potencia Pd 157W

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GENESIC SEMICONDUCTOR  GA20SICP12-263  Transistor FET RF, 1.2 kV, 20 A, 157 W, TO-263

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id 20A
Disipación de Potencia Pd 157W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF TO-263
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. -
Rango de Producto -

40

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Each

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1.2kV 20A 157W - - TO-263 3Pines - -
24T5453
MRFE6VP5600HR5

MRFE6VP5600HR5

NXP

Transistor FET RF, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

Tensión Drenaje-Fuente Vds 130V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 1.667kW

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NXP  MRFE6VP5600HR5  Transistor FET RF, 130 V, 100 mA, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

Tensión Drenaje-Fuente Vds 130V
Intensidad Drenador Continua Id 100mA
Disipación de Potencia Pd 1.667kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
Encapsulado de Transistor RF NI-1230
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
Rango de Producto -

34

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1+ $254.14 10+ $248.77 25+ $232.66

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130V 100mA 1.667kW 1.8MHz 600MHz NI-1230 4Pines 225°C -
42M1944
IXZ308N120

IXZ308N120

IXYS RF

Transistor FET RF, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id 8A
Disipación de Potencia Pd 880W

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IXYS RF  IXZ308N120  Transistor FET RF, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id 8A
Disipación de Potencia Pd 880W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF DE-375
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
Rango de Producto -

31

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    Each

    1+ $83.66 25+ $79.68 50+ $76.03 Más precios

    Comprar
    1.2kV 8A 880W - - DE-375 6Pines 175°C -
    13T4415
    MRFE6VP6300HSR5

    MRFE6VP6300HSR5

    NXP

    Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 300 W, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780S

    Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 300W

    + Ver toda la información del producto

    NXP  MRFE6VP6300HSR5  Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 300 W, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780S

    Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 300W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
    Encapsulado de Transistor RF NI-780S
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
    Rango de Producto -

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    Each (Supplied on Cut Tape)

    1+ $85.16

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    125V 100mA 300W 1.8MHz 600MHz NI-780S 4Pines 225°C -
    19T6332
    MRFE6VP61K25HSR5

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    NXP

    Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230S

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    Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
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    NXP  MRFE6VP61K25HSR5  Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230S

    Tensión Drenaje-Fuente Vds 125V
    Intensidad Drenador Continua Id 100mA
    Disipación de Potencia Pd 1.333kW
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    125V 100mA 1.333kW 1.8MHz 600MHz NI-1230S 4Pines 225°C -
    42M1755
    DE275X2-102N06A

    DE275X2-102N06A

    IXYS RF

    Transistor FET RF, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2

    Tensión Drenaje-Fuente Vds 1kV
    Intensidad Drenador Continua Id 16A
    Disipación de Potencia Pd 1.18kW

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    IXYS RF  DE275X2-102N06A  Transistor FET RF, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2

    Tensión Drenaje-Fuente Vds 1kV
    Intensidad Drenador Continua Id 16A
    Disipación de Potencia Pd 1.18kW
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 100MHz
    Encapsulado de Transistor RF DE-275X2
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    1kV 16A 1.18kW - 100MHz DE-275X2 8Pines 175°C -
    20H0868
    ATF-531P8-BLK

    ATF-531P8-BLK

    BROADCOM LIMITED

    Transistor FET RF, Alta Linealidad, 4 V, 300 mA, 1 W, 50 MHz, 6 GHz, LPCC

    Disponible hasta que se agoten las existencias
    Tensión Drenaje-Fuente Vds 4V
    Intensidad Drenador Continua Id 300mA
    Disipación de Potencia Pd 1W

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    BROADCOM LIMITED  ATF-531P8-BLK  Transistor FET RF, Alta Linealidad, 4 V, 300 mA, 1 W, 50 MHz, 6 GHz, LPCC

    Tensión Drenaje-Fuente Vds 4V
    Intensidad Drenador Continua Id 300mA
    Disipación de Potencia Pd 1W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 50MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 6GHz
    Encapsulado de Transistor RF LPCC
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    4V 300mA 1W 50MHz 6GHz LPCC 8Pines 150°C -
    08X5871
    GA100SICP12-227

    GA100SICP12-227

    GENESIC SEMICONDUCTOR

    Transistor FET RF, 1.2 kV, 100 A, 133 W, SOT-227

    Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
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    Disipación de Potencia Pd 133W

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    GENESIC SEMICONDUCTOR  GA100SICP12-227  Transistor FET RF, 1.2 kV, 100 A, 133 W, SOT-227

    Tensión Drenaje-Fuente Vds 1.2kV
    Intensidad Drenador Continua Id 100A
    Disipación de Potencia Pd 133W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
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    Encapsulado de Transistor RF SOT-227
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    1.2kV 100A 133W - - SOT-227 4Pines - -
    28W3506
    MRFE6VP100HR5

    MRFE6VP100HR5

    NXP

    Transistor FET RF, 133 VDC, 100 W, 1.8 MHz, 2 GHz, NI-780

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    Disipación de Potencia Pd 100W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz

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    NXP  MRFE6VP100HR5  Transistor FET RF, 133 VDC, 100 W, 1.8 MHz, 2 GHz, NI-780

    Tensión Drenaje-Fuente Vds 133VDC
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Disipación de Potencia Pd 100W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 2GHz
    Encapsulado de Transistor RF NI-780
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    133VDC - 100W 1.8MHz 2GHz NI-780 4Pines 150°C -
    28W3504
    AFT05MS031NR1

    AFT05MS031NR1

    NXP

    Transistor FET RF, 40 VDC, 31 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270

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    Tensión Drenaje-Fuente Vds 40VDC
    Disipación de Potencia Pd 31W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 136MHz

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    NXP  AFT05MS031NR1  Transistor FET RF, 40 VDC, 31 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270

    Tensión Drenaje-Fuente Vds 40VDC
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Disipación de Potencia Pd 31W
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 136MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 520MHz
    Encapsulado de Transistor RF TO-270
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    40VDC - 31W 136MHz 520MHz TO-270 2Pines 225°C -
    95M9601
    MRF6V2300NBR5

    MRF6V2300NBR5

    NXP

    Transistor FET RF, 110 V, 10 MHz, 600 MHz, TO-272

    Disponible hasta que se agoten las existencias
    Tensión Drenaje-Fuente Vds 110V
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 10MHz
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    NXP  MRF6V2300NBR5  Transistor FET RF, 110 V, 10 MHz, 600 MHz, TO-272

    Tensión Drenaje-Fuente Vds 110V
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    Disipación de Potencia Pd -
    Frecuencia de Funcionamiento Mín. 10MHz
    Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
    Encapsulado de Transistor RF TO-272
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    110V - - 10MHz 600MHz TO-272 4Pines 225°C -
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