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VISHAY  SI4953ADY-T1-E3  MOSFET Dual, Canal P Dual, -3.7 A, -30 V, 45 mohm, -10 V, -1 V

VISHAY SI4953ADY-T1-E3
Fabricante:
VISHAY VISHAY
No. Parte Fabricante:
SI4953ADY-T1-E3
No. Parte Newark
35K3486
Hoja de datos técnicos:
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Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal P Dual
Intensidad Drenador Continua Id:
-3.7A
Tensión Drenaje-Fuente Vds:
-30V
Resistencia de Activación Rds(on):
45mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-10V
Tensión Umbral Vgs:
-1V
Disipación de Potencia Pd:
2W
Diseño de Transistor:
SOIC
Núm. de Contactos:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Y-Ex
Distribuidor autorizado