Low

SIA433EDJ-T1-GE3 - 

Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -20 V, 18 mohm, -4.5 V, -500 mV

VISHAY SIA433EDJ-T1-GE3

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Fabricante:
VISHAY VISHAY
No. Parte Fabricante:
SIA433EDJ-T1-GE3
No. Parte Newark
79R5403
Rango de productos
TrenchFET Series
Hoja de datos técnicos:
(EN)
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Información del producto

:
18mohm
:
Canal P
:
3.5W
:
-12A
:
TrenchFET Series
:
6Pines
:
150°C
:
-4.5V
:
-
:
PowerPAK SC70
:
-500mV
:
-20V
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Resumen del producto

The SIA433EDJ-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery switch and charger switch applications.
  • New thermally enhanced PowerPAK® package
  • Small footprint area
  • Low ON-resistance
  • 100% Rg tested
  • Built in ESD protection with Zener diode
  • 1800V ESD performance
  • Halogen-free

Aplicaciones

Industrial, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles

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