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VISHAY  SIA433EDJ-T1-GE3  Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -20 V, 18 mohm, -4.5 V, -500 mV

VISHAY SIA433EDJ-T1-GE3
Fabricante:
VISHAY VISHAY
No. Parte Fabricante:
SIA433EDJ-T1-GE3
No. Parte Newark
79R5403
Rango de productos
TrenchFET Series
Hoja de datos técnicos:
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Resumen del producto

The SIA433EDJ-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery switch and charger switch applications.
  • New thermally enhanced PowerPAK® package
  • Small footprint area
  • Low ON-resistance
  • 100% Rg tested
  • Built in ESD protection with Zener diode
  • 1800V ESD performance
  • Halogen-free

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id:
-12A
Tensión Drenaje-Fuente Vds:
-20V
Resistencia de Activación Rds(on):
18mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
-4.5V
Tensión Umbral Vgs:
-500mV
Disipación de Potencia Pd:
3.5W
Diseño de Transistor:
PowerPAK SC70
Núm. de Contactos:
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
TrenchFET Series
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

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Aplicaciones

  • Industrial
  • Administración de Potencia
  • Dispositivos Portátiles

Legislación y medioambiente

Trazabilidad del producto
Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado

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