Low

VISHAY  SIS892DN-T1-GE3  Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 1.2 V

VISHAY SIS892DN-T1-GE3
Technical Data Sheet (549.01KB) EN Ver todos los documentos técnicos

La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

Información del producto

Transistor, Polaridad:
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id:
30A
Tensión Drenaje-Fuente Vds:
100V
Resistencia de Activación Rds(on):
0.024ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on):
10V
Tensión Umbral Vgs:
1.2V
Disipación de Potencia Pd:
52W
Diseño de Transistor:
PowerPAK 1212
Núm. de Contactos:
8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.:
150°C
Rango de Producto:
-
Norma de Cualificación Automotriz:
-
Temperatura de Trabajo Mín.:
-55 °C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC):
To Be Advised
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):
MSL 1 - Unlimited

Encontrar productos similares  agrupados por atributos en común

Legislación y medioambiente

Conforme a RoHS:
Distribuidor autorizado

Alternativas

Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 1.2 V

VISHAY

0

Precio para: Each (Supplied on Full Reel)

3000+ $0.901 6000+ $0.858 12000+ $0.76

Comprar

Productos asociados