Módulos de Diodos | Newark Electrónica México

Filtro(s) aplicado(s)

Corriente de Sobretensión Directa

:

3kA

1 Filtro(s) seleccionado(s)

Comparar					Precio para		Cantidad

	VS-150U80D	15J3430 Data Sheet RoHS Fecha y lote	VISHAY Rectifier Diode 800 V 150 A 1.47 V Single RoHS Compliant: Yes		Cada	1+ $45.010 5+ $40.840 10+ $36.660 25+ $35.610 50+ $34.560 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	800V	150A	1.47V	Single	DO-8	2Pines	180°C	3kA	Stud	-
	MBR400100CT	19T9634 Data Sheet RoHS	GENESIC Módulo de Diodos Silicio 100 V 200 A 840 mV Único Module 2 Pines		Cada	80+ $89.980	Mín: 80/Múlt: 40	100V	200A	840mV	Único	Module	2Pines	175°C	3kA	Panel	-
	MBRH20045R	19T9485 Data Sheet RoHS	GENESIC Módulo de Diodos 45 V 200 A 650 mV Único D-67 1 Pines		Cada	72+ $63.790	Mín: 108/Múlt: 36	45V	200A	650mV	Único	D-67	1Pines	175°C	3kA	Panel	Serie MBRH2
	MBRT400100	19T9538 Data Sheet RoHS	GENESIC Módulo de Diodos Silicio 100 V 200 A 880 mV Cátodo Común Doble Module 3 Pines		Cada	80+ $107.830	Mín: 80/Múlt: 40	100V	200A	880mV	Cátodo Común Doble	Module	3Pines	150°C	3kA	Panel	-
	MBRT40060	19T9550 Data Sheet RoHS	GENESIC Módulo de Diodos Silicio 60 V 200 A 800 mV Cátodo Común Doble Module 3 Pines		Cada	1+ $109.690	Mín: 80/Múlt: 40	60V	200A	800mV	Cátodo Común Doble	Module	3Pines	150°C	3kA	Panel	-
	MBRT40060R	19T9551 Data Sheet RoHS	GENESIC Módulo de Diodos Silicio 60 V 200 A 800 mV Anodo Común Doble Module 3 Pines		Cada	1+ $109.690	Mín: 80/Múlt: 40	60V	200A	800mV	Anodo Común Doble	Module	3Pines	150°C	3kA	Panel	-
	R5001415XXWP	73C9171 Data Sheet RoHS	POWEREX Módulo de Diodos 1.4 kV 150 A 1.4 V Único DO-8 2 Pines		Cada	El precio no está disponible. Contáctese con Servicio al cliente.		1.4kV	150A	1.4V	Único	DO-8	2Pines	200°C	3kA	Stud	-
	MBR400100CTR	19T9635 Data Sheet RoHS	GENESIC Módulo de Diodos Silicio 100 V 200 A 840 mV Único Module 2 Pines		Cada	1+ $91.520	Mín: 80/Múlt: 40	100V	200A	840mV	Único	Module	2Pines	175°C	3kA	Panel	-

Artículos por página:

1-8 de 8 de artículos

de 1 página(s)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS