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MMBT5179
Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBT5179
No. Parte Newark31Y2780
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor12
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Frecuencia de Transición2
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia225
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua50
Ganancia de Corriente DC hFE0
Diseño de TransistorSOT-23
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.25
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Encapsulado de Transistor RF
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje Máx. Colector a Emisor
12
Frecuencia de Transición
2
Disipación de Potencia
225
Corriente del Colector Continua
50
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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