SOLID STATE Transistores de Unión Bipolar Simple - BJT

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Transistor, Polaridad Voltaje Máx. Colector a Emisor Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo Corriente de Colector Continua Disipación de Potencia Pd Disipación de Potencia Corriente de Colector DC Diseño de Transistor Montaje de Transistor Ganancia de Corriente DC hFE Núm. de Contactos Frecuencia de Transición Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín. Temperatura de Trabajo Máx. Rango de Producto
 
 
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2N3773
2N3773 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 140 V, 16 A, 150 W, TO-3, Agujero Pasante

67R1070

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 140 V, 16 A, 150 W, TO-3, Agujero Pasante

SOLID STATE

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NPN 140V 140V 16A 150W 150W 16A TO-3 Agujero Pasante 15hFE 2Pines 50kHz 15hFE 200°C Serie 2N3773/2N6609
2N5321
2N5321 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 50 V, 2 A, 10 W, TO-39, Agujero Pasante

67R1101

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 50 V, 2 A, 10 W, TO-39, Agujero Pasante

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NPN 50V 50V 2A 10W 10W 2A TO-39 Agujero Pasante 250hFE 3Pines -MHz 250hFE 200°C -
D44C11
D44C11 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Agujero Pasante

10P1067

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Agujero Pasante

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MJ16018
MJ16018 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 800 V, 10 A, 175 W, TO-3, Agujero Pasante

07R8711

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 800 V, 10 A, 175 W, TO-3, Agujero Pasante

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NPN 800V 800V 10A 175W 175W 10A TO-3 Agujero Pasante 4hFE 3Pines -MHz 4hFE 200°C -
MJ15022
MJ15022 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 200 V, 16 A, 250 W, TO-3, Agujero Pasante

10P1534

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 200 V, 16 A, 250 W, TO-3, Agujero Pasante

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NPN 200V 200V 16A 250W 250W 16A TO-3 Agujero Pasante 15hFE 2Pines 4MHz 15hFE 150°C -
2N5240
2N5240 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 300 V, 5 A, 100 W, TO-3, Agujero Pasante

67R1100

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 300 V, 5 A, 100 W, TO-3, Agujero Pasante

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NPN 300V 300V 5A 100W 100W 5A TO-3 Agujero Pasante 80hFE 2Pines 2MHz 80hFE 200°C -
2N3500
2N3500 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 150 V, 300 mA, 5 W, TO-39, Agujero Pasante

67R1069

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 150 V, 300 mA, 5 W, TO-39, Agujero Pasante

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NPN 150V 150V 300mA 5W 5W 300mA TO-39 Agujero Pasante 120hFE 3Pines 150MHz 120hFE 200°C -