Semiconductores - Discretos

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Transistor, Polaridad Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo Voltaje Máx. Colector a Emisor Corriente de Colector Continua Frecuencia de Transición Disipación de Potencia Pd Disipación de Potencia Corriente de Colector DC Ganancia de Corriente DC hFE Montaje de Transistor Núm. de Contactos Diseño de Transistor Temperatura de Trabajo Máx. Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín. Calificación Rango de Producto
 
 
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2N3704
2N3704 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 30 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Agujero Pasante

08N7700

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 30 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Agujero Pasante

MULTICOMP PRO

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NPN 30V 30V 800mA 100MHz 625mW 625mW 800mA 100hFE Agujero Pasante 3Pines TO-92 150°C 100hFE - -
MJE181G
MJE181G - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 60 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Agujero Pasante

26K4457

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 60 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Agujero Pasante

ONSEMI

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NPN 60V 60V 3A 50MHz 1.5W 1.5W 3A 5hFE Agujero Pasante 3Pines TO-225 150°C 5hFE - -
PDU620-13
PDU620-13 - Diodo Rápido / Ultrarápido, Powerdi®, 200 V, 6 A, Único, 940 mV, 25 ns, 150 A

25R4913

Diodo Rápido / Ultrarápido, Powerdi®, 200 V, 6 A, Único, 940 mV, 25 ns, 150 A

DIODES INC.

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- - - - - - - - - - - - 175°C - - -
2N7002ET1G
2N7002ET1G - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

09R9861

MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

ONSEMI

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Canal N - - - - 420mW 420mW - - Montaje Superficial 3Pines SOT-23 150°C - - -
2N4401BU
2N4401BU - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Agujero Pasante

83C3210

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Agujero Pasante

ONSEMI

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NPN 40V 40V 600mA 250MHz 625mW 625mW 600mA 100hFE Agujero Pasante 3Pines TO-92 150°C 100hFE - -
MJE15033G
MJE15033G - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Agujero Pasante

45J1498

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Agujero Pasante

ONSEMI

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PNP 250V 250V 8A 30MHz 50W 50W 8A 70hFE Agujero Pasante 3Pines TO-220 150°C 70hFE - Serie MJxxxx
2N6547
2N6547 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 400 V, 15 A, 175 W, TO-3, Agujero Pasante

35C0741

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 400 V, 15 A, 175 W, TO-3, Agujero Pasante

MULTICOMP PRO

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NPN 400V 400V 15A 3MHz 175W 175W 15A 2hFE Agujero Pasante 2Pines TO-3 200°C 2hFE - -
1N5231B
1N5231B - Diodo Zener Individual, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pines, 200 °C, Through Hole

58K9587

Diodo Zener Individual, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pines, 200 °C, Through Hole

ONSEMI

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- - - - - - 500mW - - - 2Pines - 200°C - - Serie 1N52xxB
1N914BTR
1N914BTR - Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A

05R0380

Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A

ONSEMI

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- - - - - - - - - - 2Pines - 175°C - - -
SK34A
SK34A - DIODE, SCHOTTKY, 3A, 40V, SMA

26M3064

DIODE, SCHOTTKY, 3A, 40V, SMA

TAIWAN SEMICONDUCTOR

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- - - - - - - - - - 2 - 125 - - -
PMV48XP,215
PMV48XP,215 - MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

55T6958

MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.5 A, 0.048 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

NEXPERIA

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Canal P - - - - 510mW 510mW - - Montaje Superficial 3Pines SOT-23 150°C - - -
1N4752A
1N4752A - Diodo Zener Individual, 33 V, 1 W, DO-41, 2 Pines, 150 °C, Through Hole

90R9439

Diodo Zener Individual, 33 V, 1 W, DO-41, 2 Pines, 150 °C, Through Hole

MULTICOMP PRO

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- - - - - - 1W - - - 2Pines - 150°C - - -
2N5195
2N5195 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Agujero Pasante

01H1379

Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-126, Agujero Pasante

MULTICOMP PRO

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PNP 80V 80V 4A 2MHz 40W 40W 4A 7hFE Agujero Pasante 3Pines TO-126 150°C 7hFE - -
IRFP3206PBF
IRFP3206PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 200A, TO-247AC

08N6350

N CHANNEL MOSFET, 60V, 200A, TO-247AC

INFINEON

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IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF - MOSFET de Potencia, Hexfet, Canal N, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Montaje Superficial

39M3590

MOSFET de Potencia, Hexfet, Canal N, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Montaje Superficial

INFINEON

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Canal N - - - - 2.1W 2.1W - - Montaje Superficial 3Pines SOT-223 150°C - - -
S100
S100 - Rectificador Schottky, 100 V, 1 A, Único, DO-214AC (SMA), 2 Pines, 850 mV

58K9552

Rectificador Schottky, 100 V, 1 A, Único, DO-214AC (SMA), 2 Pines, 850 mV

ONSEMI

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- - - - - - - - - - 2Pines - 125°C - - -
BSS84
BSS84 - MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

58K8770

MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

ONSEMI

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1+ $0.52 25+ $0.404 50+ $0.323 100+ $0.242 250+ $0.234

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Canal P - - - - 360mW 360mW - - Montaje Superficial 3Pines SOT-23 150°C - - -
B0540WS-7
B0540WS-7 - Rectificador Schottky, 40 V, 500 mA, Único, SOD-323, 2 Pines, 550 mV

51R6418

Rectificador Schottky, 40 V, 500 mA, Único, SOD-323, 2 Pines, 550 mV

DIODES INC.

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- - - - - - - - - - 2Pines - 125°C - - -
25F40
25F40 - Módulo de Diodos, 400 V, 25 A, 1.2 V, DO-4, 2 Pines

07R9506

Módulo de Diodos, 400 V, 25 A, 1.2 V, DO-4, 2 Pines

SOLID STATE

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1+ $2.55

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- - - - - - - - - - 2Pines - 150°C - - -
50RIA60
50RIA60 - Módulo SCR, 50 A, 600 V

07R9711

Módulo SCR, 50 A, 600 V

SOLID STATE

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1+ $15.28

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- - - - - - - - - - -Pines - 125°C - - Serie 50RIA
ZXMP3A17E6TA.
ZXMP3A17E6TA. - MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

38K9601

MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

DIODES INC.

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1+ $1.14 10+ $0.985 25+ $0.895 50+ $0.819 100+ $0.697 250+ $0.625 Más precios…

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Canal P - - - - 1.1W 1.1W - - Montaje Superficial 3Pines SOT-23 150°C - - -
DFLS1100-7
DFLS1100-7 - Rectificador Schottky, Powerdi®, 100 V, 1 A, Único, SMD, 2 Pines, 770 mV

25R4480

Rectificador Schottky, Powerdi®, 100 V, 1 A, Único, SMD, 2 Pines, 770 mV

DIODES INC.

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- - - - - - - - - - 2Pines - 175°C - - Serie Schottky Barrier Rectifier
1N4148WS-E3-18
1N4148WS-E3-18 - Diodo de Señal Pequeña, Conmutación, Único, 100 V, 150 mA, 1.2 V, 4 ns, 350 mA

35K9700

Diodo de Señal Pequeña, Conmutación, Único, 100 V, 150 mA, 1.2 V, 4 ns, 350 mA

VISHAY

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- - - - - - - - - - 2Pines - 150°C - - -
CD431690B
CD431690B - Módulo de Tiristores, Conectado en Serie, 95 A, 1.6 kV

08J5945

Módulo de Tiristores, Conectado en Serie, 95 A, 1.6 kV

POWEREX

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- - - - - - - - - - 7Pines - 125°C - - -
2N1711
2N1711 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 50 V, 500 mA, 800 mW, TO-39, Agujero Pasante

35C0685

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 50 V, 500 mA, 800 mW, TO-39, Agujero Pasante

MULTICOMP PRO

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NPN 50V 50V 500mA 70MHz 800mW 800mW 500mA 100hFE Agujero Pasante 3Pines TO-39 200°C 100hFE - -

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