Semiconductores - Discretos

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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds Intensidad Drenador Continua Id Disipación de Potencia Pd Frecuencia de Funcionamiento Mín. Frecuencia de Funcionamiento Máx. Encapsulado de Transistor RF Núm. de Contactos Temperatura de Trabajo Máx. Rango de Producto
 
 
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MRFE6VP61K25HR6
MRFE6VP61K25HR6 - Transistor FET RF, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

41AH8200

Transistor FET RF, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

NXP

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 133VDC
Disipación de Potencia Pd 1.333kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz

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NXP 

Transistor FET RF, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 133VDC
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 1.333kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 600MHz
Encapsulado de Transistor RF NI-1230
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
Rango de Producto -

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1+ $245.93 Precio para 10+ $235.55 Precio para 25+ $229.93 Precio para 50+ $203.39 Precio para 100+ $199.68 Precio para

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Each (Supplied on Cut Tape)

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Producto restringido
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133VDC - 1.333kW 1.8MHz 600MHz NI-1230 4Pines 225°C -
MRFE6S9060NR1
MRFE6S9060NR1 - Transistor FET RF, 66 V, 880 MHz, 960 MHz, TO-270

34R2429

Transistor FET RF, 66 V, 880 MHz, 960 MHz, TO-270

NXP

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 66V
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 880MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 960MHz

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NXP 

Transistor FET RF, 66 V, 880 MHz, 960 MHz, TO-270

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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 66V
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd -
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 880MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 960MHz
Encapsulado de Transistor RF TO-270
Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 225°C
Rango de Producto -

46 En stock

1+ $51.14 Precio para 10+ $47.17 Precio para 25+ $45.04 Precio para 50+ $42.67 Precio para 100+ $40.28 Precio para 250+ $38.43 Precio para Más precios…

Cantidad

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $51.14 10+ $47.17 25+ $45.04 50+ $42.67 100+ $40.28 250+ $38.43 Más precios…

Producto restringido
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Min: 1 Mult: 1
66V - - 880MHz 960MHz TO-270 2Pines 225°C -
AFT05MP075NR1
AFT05MP075NR1 - RF FET, 40V, 136MHZ-520MHZ, TO-270WB

60AC7745

RF FET, 40V, 136MHZ-520MHZ, TO-270WB

NXP

Each (Supplied on Cut Tape)

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1+ $24.48 10+ $22.87 25+ $22.26 50+ $20.04 100+ $18.92 250+ $16.57 500+ $16.07 Más precios…

Producto restringido
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- - - - - - - - -
BAP64-03,115
BAP64-03,115 - Diodo RF / Pin, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-323, 2 Pines, 0.35 pF

75R0660

Diodo RF / Pin, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-323, 2 Pines, 0.35 pF

NXP

Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto BAP64 Series

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NXP 

Diodo RF / Pin, Único, 0.7 ohm, 175 V, SOD-323, 2 Pines, 0.35 pF

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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd -
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF -
Núm. de Contactos -
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto BAP64 Series

666 En stock

1+ $0.098 Precio para Precio promocional 25+ $0.098 Precio para Precio promocional 50+ $0.098 Precio para Precio promocional 100+ $0.098 Precio para Precio promocional 250+ $0.098 Precio para Precio promocional 500+ $0.09 Precio para Precio promocional 1000+ $0.09 Precio para Precio promocional Más precios…

Cantidad

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.098 25+ $0.098 50+ $0.098 100+ $0.098 250+ $0.098 500+ $0.09 1000+ $0.09 Más precios…

Producto restringido
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Min: 1 Mult: 1
- - - - - - - 150°C BAP64 Series
BFU550AR
BFU550AR - Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, 60 hFE

31AC6241

Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, 60 hFE

NXP

Disipación de Potencia Pd 450mW
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines

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NXP 

Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, 60 hFE

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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 450mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto Serie BFU5

90 En stock

1+ $0.121 Precio para Precio promocional 10+ $0.121 Precio para Precio promocional 25+ $0.121 Precio para Precio promocional 50+ $0.121 Precio para Precio promocional 100+ $0.121 Precio para Precio promocional 250+ $0.121 Precio para Precio promocional 500+ $0.111 Precio para Precio promocional 1000+ $0.111 Precio para Precio promocional Más precios…

Cantidad

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.121 10+ $0.121 25+ $0.121 50+ $0.121 100+ $0.121 250+ $0.121 500+ $0.111 1000+ $0.111 Más precios…

Producto restringido
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Min: 1 Mult: 1
- - 450mW - - SOT-23 3Pines 150°C Serie BFU5
BFU520WX
BFU520WX - Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, 60 hFE

31AC6237

Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, 60 hFE

NXP

Disipación de Potencia Pd 450mW
Encapsulado de Transistor RF SOT-323
Núm. de Contactos 3Pines

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NXP 

Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, 60 hFE

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195 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 450mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-323
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto Serie BFU5

195 En stock

1+ $0.552 Precio para 10+ $0.475 Precio para 25+ $0.443 Precio para 50+ $0.399 Precio para 100+ $0.354 Precio para 250+ $0.329 Precio para 500+ $0.278 Precio para 1000+ $0.215 Precio para Más precios…

Cantidad

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.552 10+ $0.475 25+ $0.443 50+ $0.399 100+ $0.354 250+ $0.329 500+ $0.278 1000+ $0.215 Más precios…

Producto restringido
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Min: 1 Mult: 1
- - 450mW - - SOT-323 3Pines 150°C Serie BFU5
BF1105R,215
BF1105R,215 - MOSFET de Potencia, Canal N, 7 V, 30 mA, SOT-143R, Montaje Superficial

31AC6259

MOSFET de Potencia, Canal N, 7 V, 30 mA, SOT-143R, Montaje Superficial

NXP

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 7V
Intensidad Drenador Continua Id 30mA
Disipación de Potencia Pd 200mW

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NXP 

MOSFET de Potencia, Canal N, 7 V, 30 mA, SOT-143R, Montaje Superficial

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70 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 21/12/20

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 7V
Intensidad Drenador Continua Id 30mA
Disipación de Potencia Pd 200mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF -
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

70 En stock

1+ $0.601 Precio para 10+ $0.496 Precio para 25+ $0.434 Precio para 50+ $0.376 Precio para 100+ $0.316 Precio para 250+ $0.295 Precio para 500+ $0.273 Precio para 1000+ $0.252 Precio para Más precios…

Cantidad

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.601 10+ $0.496 25+ $0.434 50+ $0.376 100+ $0.316 250+ $0.295 500+ $0.273 1000+ $0.252 Más precios…

Producto restringido
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Min: 1 Mult: 1
7V 30mA 200mW - - - 4Pines 150°C -
BFU725F/N1,115
BFU725F/N1,115 - Transistor RF - Bipolar, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, 160 hFE

31AC6253

Transistor RF - Bipolar, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, 160 hFE

NXP

Disipación de Potencia Pd 136mW
Encapsulado de Transistor RF SOT-343F
Núm. de Contactos 4Pines

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NXP 

Transistor RF - Bipolar, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, 160 hFE

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145 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 21/12/20

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 136mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-343F
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

145 En stock

1+ $0.618 Precio para 10+ $0.459 Precio para 25+ $0.395 Precio para 50+ $0.332 Precio para 100+ $0.267 Precio para 250+ $0.238 Precio para 500+ $0.211 Precio para 1000+ $0.182 Precio para Más precios…

Cantidad

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.618 10+ $0.459 25+ $0.395 50+ $0.332 100+ $0.267 250+ $0.238 500+ $0.211 1000+ $0.182 Más precios…

Producto restringido
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Min: 1 Mult: 1
- - 136mW - - SOT-343F 4Pines 150°C -
PMBF4391,215
PMBF4391,215 - Transistor FET RF, 40 V, 150 mA, 250 mW, SOT-23

75R4825

Transistor FET RF, 40 V, 150 mA, 250 mW, SOT-23

NXP

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 150mA
Disipación de Potencia Pd 250mW

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NXP 

Transistor FET RF, 40 V, 150 mA, 250 mW, SOT-23

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144 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 16/11/20

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 40V
Intensidad Drenador Continua Id 150mA
Disipación de Potencia Pd 250mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

144 En stock

1+ $0.125 Precio para Precio promocional 25+ $0.125 Precio para Precio promocional 50+ $0.125 Precio para Precio promocional 100+ $0.125 Precio para Precio promocional 250+ $0.125 Precio para Precio promocional 500+ $0.125 Precio para Precio promocional 1000+ $0.125 Precio para Precio promocional Más precios…

Cantidad

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.125 25+ $0.125 50+ $0.125 100+ $0.125 250+ $0.125 500+ $0.125 1000+ $0.125 Más precios…

Producto restringido
Agregar
Min: 1 Mult: 1
40V 150mA 250mW - - SOT-23 3Pines 150°C -
BFU730F,115
BFU730F,115 - Transistor RF - Bipolar, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, 205 hFE

31AC6254

Transistor RF - Bipolar, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, 205 hFE

NXP

Disipación de Potencia Pd 197mW
Encapsulado de Transistor RF SOT-343F
Núm. de Contactos 4Pines

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NXP 

Transistor RF - Bipolar, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, 205 hFE

+ Verificar existencias y plazos de entrega

130 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 21/12/20

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 197mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-343F
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

130 En stock

1+ $0.213 Precio para Precio promocional 10+ $0.213 Precio para Precio promocional 25+ $0.213 Precio para Precio promocional 50+ $0.213 Precio para Precio promocional 100+ $0.213 Precio para Precio promocional 250+ $0.213 Precio para Precio promocional 500+ $0.196 Precio para Precio promocional 1000+ $0.181 Precio para Precio promocional Más precios…

Cantidad

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.213 10+ $0.213 25+ $0.213 50+ $0.213 100+ $0.213 250+ $0.213 500+ $0.196 1000+ $0.181 Más precios…

Producto restringido
Agregar
Min: 1 Mult: 1
- - 197mW - - SOT-343F 4Pines 150°C -
BFU520YX
BFU520YX - Transistor RF - Bipolar, NPN Doble, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, 60 hFE

31AC6238

Transistor RF - Bipolar, NPN Doble, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, 60 hFE

NXP

Disipación de Potencia Pd 450mW
Encapsulado de Transistor RF SOT-363
Núm. de Contactos 6Pines

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NXP 

Transistor RF - Bipolar, NPN Doble, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, 60 hFE

+ Verificar existencias y plazos de entrega

66 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 21/12/20

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 450mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-363
Núm. de Contactos 6Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto Serie BFU5

66 En stock

1+ $0.953 Precio para 10+ $0.843 Precio para 25+ $0.74 Precio para 50+ $0.641 Precio para 100+ $0.538 Precio para 250+ $0.508 Precio para 500+ $0.477 Precio para 1000+ $0.445 Precio para Más precios…

Cantidad

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.953 10+ $0.843 25+ $0.74 50+ $0.641 100+ $0.538 250+ $0.508 500+ $0.477 1000+ $0.445 Más precios…

Producto restringido
Agregar
Min: 1 Mult: 1
- - 450mW - - SOT-363 6Pines 150°C Serie BFU5
MRF1535FNT1
MRF1535FNT1 - RF FET, 60V, 520MHZ-135MHZ, TO-272

61AC0764

RF FET, 60V, 520MHZ-135MHZ, TO-272

NXP

Each (Supplied on Cut Tape)

Entrega en 10 – 15 días hábiles para artículos en existencia enviados desde nuestro almacén en UK

1+ $14.30 10+ $14.00 25+ $13.85 50+ $13.70 100+ $13.55 250+ $13.39 500+ $13.25 1000+ $13.09 Más precios…

Producto restringido
Agregar
Min: 1 Mult: 1
- - - - - - - - -
BFT25A,215
BFT25A,215 - Bipolar - RF Transistor, NPN, 5 V, 5 GHz, 32 mW, 6.5 mA, 80 RoHS Compliant: Yes

34R2997

Bipolar - RF Transistor, NPN, 5 V, 5 GHz, 32 mW, 6.5 mA, 80 RoHS Compliant: Yes

NXP

Each (Supplied on Cut Tape)

Entrega en 10 – 15 días hábiles para artículos en existencia enviados desde nuestro almacén en UK

1+ $0.768 25+ $0.655 50+ $0.547 100+ $0.439 250+ $0.413 500+ $0.388 1000+ $0.362 Más precios…

Producto restringido
Agregar
Min: 1 Mult: 1
- - - - - - - - -
BFU590QX
BFU590QX - Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 80 mA, 60 hFE

31AC6247

Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 80 mA, 60 hFE

NXP

Disipación de Potencia Pd 2W
Encapsulado de Transistor RF SOT-89
Núm. de Contactos 3Pines

+ Ver toda la información del producto

NXP 

Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 80 mA, 60 hFE

+ Verificar existencias y plazos de entrega

84 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 21/12/20

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 2W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-89
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto Serie BFU5

84 En stock

1+ $1.24 Precio para 10+ $1.04 Precio para 25+ $0.927 Precio para 50+ $0.814 Precio para 100+ $0.699 Precio para

Cantidad

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $1.24 10+ $1.04 25+ $0.927 50+ $0.814 100+ $0.699

Producto restringido
Agregar
Min: 1 Mult: 1
- - 2W - - SOT-89 3Pines 150°C Serie BFU5
MRF1513NT1
MRF1513NT1 - RF FET Transistor, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5 RoHS Compliant: Yes

98M1652

RF FET Transistor, 40 V, 2 A, 31.25 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5 RoHS Compliant: Yes

NXP

Each (Supplied on Cut Tape)

Entrega en 10 – 15 días hábiles para artículos en existencia enviados desde nuestro almacén en UK

1+ $6.24 10+ $6.24 25+ $6.24 50+ $6.24 100+ $6.24 250+ $4.97 500+ $4.58 Más precios…

Producto restringido
Agregar
Min: 1 Mult: 1
- - - - - - - - -
BFU760F,115
BFU760F,115 - Transistor RF - Bipolar, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 25 mA, 155 hFE

31AC6256

Transistor RF - Bipolar, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 25 mA, 155 hFE

NXP

Disipación de Potencia Pd 220mW
Encapsulado de Transistor RF SOT-343F
Núm. de Contactos 4Pines

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NXP 

Transistor RF - Bipolar, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 25 mA, 155 hFE

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Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 220mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-343F
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

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- - 220mW - - SOT-343F 4Pines 150°C -
BFU590GX
BFU590GX - Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 80 mA, 60 hFE

31AC6246

Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 80 mA, 60 hFE

NXP

Disipación de Potencia Pd 2W
Encapsulado de Transistor RF SOT-223
Núm. de Contactos 4Pines

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Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 80 mA, 60 hFE

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Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 2W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-223
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto Serie BFU5

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- - 2W - - SOT-223 4Pines 150°C Serie BFU5
AFT05MS003NT1
AFT05MS003NT1 - Transistor FET RF, 30 V, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

31AC6113

Transistor FET RF, 30 V, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

NXP

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 30V
Disipación de Potencia Pd 30.5W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz

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Transistor FET RF, 30 V, 30.5 W, 1.8 MHz, 941 MHz, SOT-89

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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 30.5W
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 941MHz
Encapsulado de Transistor RF SOT-89
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -

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30V - 30.5W 1.8MHz 941MHz SOT-89 3Pines 150°C -
BFU530AR
BFU530AR - Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, 60 hFE

31AC6239

Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, 60 hFE

NXP

Disipación de Potencia Pd 450mW
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
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Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, 60 hFE

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Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd 450mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín. -
Frecuencia de Funcionamiento Máx. -
Encapsulado de Transistor RF SOT-23
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto Serie BFU5

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- - 450mW - - SOT-23 3Pines 150°C Serie BFU5
MRF6VP3450HR5
MRF6VP3450HR5 - Transistor FET RF, 110 V, 860 MHz, 470 MHz, NI-1230

41AH8201

Transistor FET RF, 110 V, 860 MHz, 470 MHz, NI-1230

NXP

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 110V
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 860MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 470MHz

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Transistor FET RF, 110 V, 860 MHz, 470 MHz, NI-1230

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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 110V
Intensidad Drenador Continua Id -
Disipación de Potencia Pd -
Frecuencia de Funcionamiento Mín. 860MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx. 470MHz
Encapsulado de Transistor RF NI-1230
Núm. de Contactos 4Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
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110V - - 860MHz 470MHz NI-1230 4Pines 150°C -
BFU610F,115
BFU610F,115 - RF TRANSISTOR, NPN, 5.5V, 15GHZ, SOT343F

31AC6248

RF TRANSISTOR, NPN, 5.5V, 15GHZ, SOT343F

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MRFE6S9045NR1
MRFE6S9045NR1 - TRANSISTOR, RF, 66V, TO-270-2

31AC6668

TRANSISTOR, RF, 66V, TO-270-2

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- - - - - - - - -
ON5088,115
ON5088,115 - RF TRANSISTOR, 3V, 0.025A, 0.136W/PDIP-4 ROHS COMPLIANT: YES

64AH7066

 
Nuevo producto
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RF TRANSISTOR, 3V, 0.025A, 0.136W/PDIP-4 ROHS COMPLIANT: YES

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- - - - - - - - -
MRF300AN
MRF300AN - RF FET, 133V, 175DEG C, 272W

71AC3112

RF FET, 133V, 175DEG C, 272W

NXP

Each

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- - - - - - - - -
MRF6V2010NR1
MRF6V2010NR1 - TRANSISTOR, RF, 110V, TO-270-2

31AC6681

TRANSISTOR, RF, 110V, TO-270-2

NXP

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