Semiconductores - Discretos

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Transistor, Polaridad Voltaje de Drenaje-Fuente Vds Intensidad Drenador Continua Id Resistencia de Activación Rds(on) Diseño de Transistor Montaje de Transistor Tensión Vgs de Medición Rds(on) Tensión Umbral Vgs Disipación de Potencia Pd Núm. de Contactos Temperatura de Trabajo Máx. Rango de Producto Norma de Cualificación Automotriz
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
FDS4935A
FDS4935A - MOSFET Dual, Canal P, 30 V, 7 A, 0.023 ohm, SOIC, Montaje Superficial

28H9721

MOSFET Dual, Canal P, 30 V, 7 A, 0.023 ohm, SOIC, Montaje Superficial

ON SEMICONDUCTOR

Transistor, Polaridad Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id 7A

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ON SEMICONDUCTOR 

MOSFET Dual, Canal P, 30 V, 7 A, 0.023 ohm, SOIC, Montaje Superficial

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Transistor, Polaridad Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id 7A
Resistencia de Activación Rds(on) 0.023ohm
Diseño de Transistor SOIC
Montaje de Transistor Montaje Superficial
Tensión Vgs de Medición Rds(on) 10V
Tensión Umbral Vgs 1.6V
Disipación de Potencia Pd 1.6W
Núm. de Contactos 8Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
Rango de Producto -
Norma de Cualificación Automotriz -

676 En stock

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1+ $0.645 10+ $0.642 25+ $0.642 50+ $0.642 100+ $0.589 250+ $0.589 500+ $0.589 1000+ $0.543 Más precios…

Producto restringido
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Canal P 30V 7A 0.023ohm SOIC Montaje Superficial 10V 1.6V 1.6W 8Pines 175°C - -
MMBT3904LT3G
MMBT3904LT3G - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 200 mA, 300 hFE

98H0751

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 200 mA, 300 hFE

ON SEMICONDUCTOR

Transistor, Polaridad NPN
Diseño de Transistor SOT-23
Disipación de Potencia Pd 300mW

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ON SEMICONDUCTOR 

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 200 mA, 300 hFE

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Transistor, Polaridad NPN
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
Intensidad Drenador Continua Id -
Resistencia de Activación Rds(on) -
Diseño de Transistor SOT-23
Montaje de Transistor -
Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
Tensión Umbral Vgs -
Disipación de Potencia Pd 300mW
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto Serie MMBTxxxx
Norma de Cualificación Automotriz AEC-Q101

19,318 En stock

1+ $0.02 Precio para Precio promocional 50+ $0.02 Precio para Precio promocional 100+ $0.02 Precio para Precio promocional 250+ $0.02 Precio para Precio promocional 500+ $0.02 Precio para Precio promocional 1000+ $0.02 Precio para Precio promocional 2500+ $0.02 Precio para Precio promocional Más precios…

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Producto restringido
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Min: 1 Mult: 1
NPN - - - SOT-23 - - - 300mW 3Pines 150°C Serie MMBTxxxx AEC-Q101
MMSZ4678T1G
MMSZ4678T1G - Diodo Zener Individual, 1.8 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pines, 150 °C

88H4871

Diodo Zener Individual, 1.8 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pines, 150 °C

ON SEMICONDUCTOR

Disipación de Potencia Pd 500mW
Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C

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ON SEMICONDUCTOR 

Diodo Zener Individual, 1.8 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 Pines, 150 °C

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Transistor, Polaridad -
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
Intensidad Drenador Continua Id -
Resistencia de Activación Rds(on) -
Diseño de Transistor -
Montaje de Transistor -
Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
Tensión Umbral Vgs -
Disipación de Potencia Pd 500mW
Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto Serie MMSZxxxT1G
Norma de Cualificación Automotriz AEC-Q101

4,462 En stock

1+ $0.025 Precio para Precio promocional 25+ $0.025 Precio para Precio promocional 50+ $0.025 Precio para Precio promocional 100+ $0.025 Precio para Precio promocional 250+ $0.025 Precio para Precio promocional 500+ $0.025 Precio para Precio promocional 1000+ $0.025 Precio para Precio promocional Más precios…

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Producto restringido
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- - - - - - - - 500mW 2Pines 150°C Serie MMSZxxxT1G AEC-Q101
SB5100
SB5100 - Rectificador Schottky, 100 V, 5 A, Único, DO-201AD, 2 Pines, 850 mV

58K2175

Rectificador Schottky, 100 V, 5 A, Único, DO-201AD, 2 Pines, 850 mV

ON SEMICONDUCTOR

Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C

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Rectificador Schottky, 100 V, 5 A, Único, DO-201AD, 2 Pines, 850 mV

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Transistor, Polaridad -
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
Intensidad Drenador Continua Id -
Resistencia de Activación Rds(on) -
Diseño de Transistor -
Montaje de Transistor -
Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
Tensión Umbral Vgs -
Disipación de Potencia Pd -
Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -
Norma de Cualificación Automotriz -

1,490 En stock

1+ $2.44 Precio para 10+ $2.04 Precio para 25+ $1.80 Precio para 50+ $1.55 Precio para 100+ $1.32 Precio para

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Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $2.44 10+ $2.04 25+ $1.80 50+ $1.55 100+ $1.32

Producto restringido
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Min: 1 Mult: 1
- - - - - - - - - 2Pines 150°C - -
FQA36P15
FQA36P15 - MOSFET de Potencia, Canal P, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Agujero Pasante

45J3232

MOSFET de Potencia, Canal P, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Agujero Pasante

ON SEMICONDUCTOR

Transistor, Polaridad Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 150V
Intensidad Drenador Continua Id 36A

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MOSFET de Potencia, Canal P, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Agujero Pasante

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Transistor, Polaridad Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 150V
Intensidad Drenador Continua Id 36A
Resistencia de Activación Rds(on) 0.09ohm
Diseño de Transistor TO-3P
Montaje de Transistor Agujero Pasante
Tensión Vgs de Medición Rds(on) 10V
Tensión Umbral Vgs 4V
Disipación de Potencia Pd 294W
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
Rango de Producto -
Norma de Cualificación Automotriz -

431 En stock

1+ $4.62 Precio para 10+ $3.64 Precio para 25+ $3.48 Precio para 50+ $3.32 Precio para 100+ $3.17 Precio para 250+ $3.03 Precio para 500+ $2.73 Precio para Más precios…

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Each

1+ $4.62 10+ $3.64 25+ $3.48 50+ $3.32 100+ $3.17 250+ $3.03 500+ $2.73 Más precios…

Producto restringido
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Canal P 150V 36A 0.09ohm TO-3P Agujero Pasante 10V 4V 294W 3Pines 175°C - -
S2M
S2M - Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 2 A, Único, 1.15 V, 2 µs, 50 A

58K9553

Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 2 A, Único, 1.15 V, 2 µs, 50 A

ON SEMICONDUCTOR

Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto Serie S2M

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Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 2 A, Único, 1.15 V, 2 µs, 50 A

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2,575 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

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Transistor, Polaridad -
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
Intensidad Drenador Continua Id -
Resistencia de Activación Rds(on) -
Diseño de Transistor -
Montaje de Transistor -
Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
Tensión Umbral Vgs -
Disipación de Potencia Pd -
Núm. de Contactos 2Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto Serie S2M
Norma de Cualificación Automotriz -

2,575 En stock

1+ $0.605 Precio para 25+ $0.388 Precio para 50+ $0.279 Precio para 100+ $0.17 Precio para 250+ $0.157 Precio para 500+ $0.145 Precio para 1000+ $0.132 Precio para Más precios…

Cantidad

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.605 25+ $0.388 50+ $0.279 100+ $0.17 250+ $0.157 500+ $0.145 1000+ $0.132 Más precios…

Producto restringido
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- - - - - - - - - 2Pines 150°C Serie S2M -
FDS8958A
FDS8958A - MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Montaje Superficial

34C0185

MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Montaje Superficial

ON SEMICONDUCTOR

Transistor, Polaridad Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id 7A

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ON SEMICONDUCTOR 

MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Montaje Superficial

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1,593 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

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Transistor, Polaridad Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 30V
Intensidad Drenador Continua Id 7A
Resistencia de Activación Rds(on) 0.019ohm
Diseño de Transistor SOIC
Montaje de Transistor Montaje Superficial
Tensión Vgs de Medición Rds(on) 10V
Tensión Umbral Vgs 1.9V
Disipación de Potencia Pd 2W
Núm. de Contactos 8Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -
Norma de Cualificación Automotriz -

1,593 En stock

1+ $0.504 Precio para Precio promocional 10+ $0.504 Precio para Precio promocional 25+ $0.503 Precio para Precio promocional 50+ $0.503 Precio para Precio promocional 100+ $0.461 Precio para Precio promocional 250+ $0.461 Precio para Precio promocional 500+ $0.426 Precio para Precio promocional 1000+ $0.426 Precio para Precio promocional Más precios…

Cantidad

Each (Supplied on Cut Tape)

1+ $0.504 10+ $0.504 25+ $0.503 50+ $0.503 100+ $0.461 250+ $0.461 500+ $0.426 1000+ $0.426 Más precios…

Producto restringido
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Min: 1 Mult: 1
Canal complementario N y P 30V 7A 0.019ohm SOIC Montaje Superficial 10V 1.9V 2W 8Pines 150°C - -
2N5551
2N5551 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE

98K6258

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE

ON SEMICONDUCTOR

Transistor, Polaridad NPN
Diseño de Transistor TO-92
Disipación de Potencia Pd 625mW

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ON SEMICONDUCTOR 

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE

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952 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

Tendremos más stock disponible la semana del 9/11/20

Transistor, Polaridad NPN
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
Intensidad Drenador Continua Id -
Resistencia de Activación Rds(on) -
Diseño de Transistor TO-92
Montaje de Transistor -
Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
Tensión Umbral Vgs -
Disipación de Potencia Pd 625mW
Núm. de Contactos 3Pines
Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
Rango de Producto -
Norma de Cualificación Automotriz -

952 En stock

1+ $0.377 Precio para 10+ $0.253 Precio para 100+ $0.123 Precio para 500+ $0.073 Precio para 1000+ $0.055 Precio para 2500+ $0.046 Precio para 10000+ $0.043 Precio para 25000+ $0.036 Precio para Más precios…

Cantidad

Each

1+ $0.377 10+ $0.253 100+ $0.123 500+ $0.073 1000+ $0.055 2500+ $0.046 10000+ $0.043 25000+ $0.036 Más precios…

Producto restringido
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Min: 1 Mult: 1
NPN - - - TO-92 - - - 625mW 3Pines 150°C - -
FQP50N06
FQP50N06 - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220, Agujero Pasante

58K1528

MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220, Agujero Pasante

ON SEMICONDUCTOR

Transistor, Polaridad Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 60V
Intensidad Drenador Continua Id 50A

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ON SEMICONDUCTOR 

MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220, Agujero Pasante

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1 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

  • 994 más estarán disponibles el 22/09/20
  • Tendremos más stock disponible la semana del 12/10/20

    Transistor, Polaridad Canal N
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 60V
    Intensidad Drenador Continua Id 50A
    Resistencia de Activación Rds(on) 0.022ohm
    Diseño de Transistor TO-220
    Montaje de Transistor Agujero Pasante
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) 10V
    Tensión Umbral Vgs 4V
    Disipación de Potencia Pd 120W
    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Norma de Cualificación Automotriz -

    1 En stock

    1+ $2.00 Precio para 10+ $1.71 Precio para 100+ $1.28 Precio para 500+ $1.09 Precio para 1000+ $0.897 Precio para 2500+ $0.871 Precio para 10000+ $0.87 Precio para Más precios…

    Cantidad

    Each

    1+ $2.00 10+ $1.71 100+ $1.28 500+ $1.09 1000+ $0.897 2500+ $0.871 10000+ $0.87 Más precios…

    Producto restringido
    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 60V 50A 0.022ohm TO-220 Agujero Pasante 10V 4V 120W 3Pines 175°C - -
    FDN340P
    FDN340P - MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial

    67R2061

    MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor, Polaridad Canal P
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 20V
    Intensidad Drenador Continua Id 2A

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial

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    9,000 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 28/09/20

    Transistor, Polaridad Canal P
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 20V
    Intensidad Drenador Continua Id 2A
    Resistencia de Activación Rds(on) 0.06ohm
    Diseño de Transistor SuperSOT
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) 4.5V
    Tensión Umbral Vgs 800mV
    Disipación de Potencia Pd 500mW
    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Norma de Cualificación Automotriz -

    9,000 En stock

    3000+ $0.145 Precio para 6000+ $0.139 Precio para 12000+ $0.133 Precio para 18000+ $0.133 Precio para 30000+ $0.131 Precio para

    Cantidad

    Each (Supplied on Full Reel)

    3000+ $0.145 6000+ $0.139 12000+ $0.133 18000+ $0.133 30000+ $0.131

    Producto restringido
    Agregar
    Min: 3000 Mult: 3000
    Canal P 20V 2A 0.06ohm SuperSOT Montaje Superficial 4.5V 800mV 500mW 3Pines 150°C - -
    MJE350G
    MJE350G - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, 300 V, 20 W, 500 mA, 240 hFE

    45J1505

    Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, 300 V, 20 W, 500 mA, 240 hFE

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor, Polaridad PNP
    Diseño de Transistor TO-225AA
    Disipación de Potencia Pd 20W

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, 300 V, 20 W, 500 mA, 240 hFE

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    535 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 23/11/20

    Transistor, Polaridad PNP
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor TO-225AA
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 20W
    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie MJxxxx
    Norma de Cualificación Automotriz -

    535 En stock

    1+ $0.794 Precio para 10+ $0.657 Precio para 100+ $0.432 Precio para 500+ $0.39 Precio para 1000+ $0.349 Precio para

    Cantidad

    Each

    1+ $0.794 10+ $0.657 100+ $0.432 500+ $0.39 1000+ $0.349

    Producto restringido
    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    PNP - - - TO-225AA - - - 20W 3Pines 150°C Serie MJxxxx -
    FDV301N
    FDV301N - MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    58K8856

    MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor, Polaridad Canal N
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 25V
    Intensidad Drenador Continua Id 220mA

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    ON SEMICONDUCTOR 

    MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

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    Transistor, Polaridad Canal N
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds 25V
    Intensidad Drenador Continua Id 220mA
    Resistencia de Activación Rds(on) 3.1ohm
    Diseño de Transistor SOT-23
    Montaje de Transistor Montaje Superficial
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) 4.5V
    Tensión Umbral Vgs 850mV
    Disipación de Potencia Pd 350mW
    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Norma de Cualificación Automotriz -

    10,235 En stock

    1+ $0.042 Precio para Precio promocional 25+ $0.042 Precio para Precio promocional 50+ $0.042 Precio para Precio promocional 100+ $0.042 Precio para Precio promocional 250+ $0.042 Precio para Precio promocional 500+ $0.042 Precio para Precio promocional 1000+ $0.042 Precio para Precio promocional Más precios…

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    Each (Supplied on Cut Tape)

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    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    Canal N 25V 220mA 3.1ohm SOT-23 Montaje Superficial 4.5V 850mV 350mW 3Pines 150°C - -
    1N4744A
    1N4744A - Diodo Zener Individual, Serie 1N47, 15 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 Pines, 200 °C

    38C7683

    Diodo Zener Individual, Serie 1N47, 15 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 Pines, 200 °C

    ON SEMICONDUCTOR

    Disipación de Potencia Pd 1W
    Núm. de Contactos 2Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 200°C

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo Zener Individual, Serie 1N47, 15 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 Pines, 200 °C

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    5,355 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

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    Transistor, Polaridad -
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 1W
    Núm. de Contactos 2Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
    Rango de Producto Serie MMSZ
    Norma de Cualificación Automotriz -

    5,355 En stock

    1+ $0.338 Precio para 10+ $0.226 Precio para 100+ $0.098 Precio para 500+ $0.084 Precio para 1000+ $0.068 Precio para 2500+ $0.058 Precio para 10000+ $0.048 Precio para 25000+ $0.045 Precio para Más precios…

    Cantidad

    Each

    1+ $0.338 10+ $0.226 100+ $0.098 500+ $0.084 1000+ $0.068 2500+ $0.058 10000+ $0.048 25000+ $0.045 Más precios…

    Producto restringido
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    - - - - - - - - 1W 2Pines 200°C Serie MMSZ -
    SB560
    SB560 - Rectificador Schottky, 60 V, 5 A, Único, DO-201AD, 2 Pines, 700 mV

    58K9534

    Rectificador Schottky, 60 V, 5 A, Único, DO-201AD, 2 Pines, 700 mV

    ON SEMICONDUCTOR

    Núm. de Contactos 2Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie SB

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Rectificador Schottky, 60 V, 5 A, Único, DO-201AD, 2 Pines, 700 mV

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    Transistor, Polaridad -
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Núm. de Contactos 2Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie SB
    Norma de Cualificación Automotriz -

    624 En stock

    1+ $0.905 Precio para 10+ $0.765 Precio para 25+ $0.667 Precio para 50+ $0.568 Precio para 100+ $0.472 Precio para

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    Each (Supplied on Cut Tape)

    1+ $0.905 10+ $0.765 25+ $0.667 50+ $0.568 100+ $0.472

    Producto restringido
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    - - - - - - - - - 2Pines 150°C Serie SB -
    HGTG20N60B3D
    HGTG20N60B3D - Transistor IGBT Individual, Propósito General, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pines

    58K8902

    Transistor IGBT Individual, Propósito General, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pines

    ON SEMICONDUCTOR

    Diseño de Transistor TO-247
    Disipación de Potencia Pd 165W
    Núm. de Contactos 3Pines

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor IGBT Individual, Propósito General, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pines

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    Transistor, Polaridad -
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor TO-247
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 165W
    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Norma de Cualificación Automotriz -

    329 En stock

    1+ $2.99 Precio para Precio promocional 10+ $2.99 Precio para Precio promocional 25+ $2.99 Precio para Precio promocional 50+ $2.99 Precio para Precio promocional 100+ $2.99 Precio para Precio promocional 250+ $2.99 Precio para Precio promocional 500+ $2.99 Precio para Precio promocional Más precios…

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    Producto restringido
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    - - - - TO-247 - - - 165W 3Pines 150°C - -
    GBPC3504
    GBPC3504 - Puente Rectificador, Monofásico, 400 V, 35 A, Módulo, 1.1 V, 4 Pines

    58K8888

    Puente Rectificador, Monofásico, 400 V, 35 A, Módulo, 1.1 V, 4 Pines

    ON SEMICONDUCTOR

    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie GBPC3

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Puente Rectificador, Monofásico, 400 V, 35 A, Módulo, 1.1 V, 4 Pines

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    Transistor, Polaridad -
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie GBPC3
    Norma de Cualificación Automotriz -

    319 En stock

    1+ $7.63 Precio para 10+ $6.50 Precio para 25+ $6.23 Precio para 50+ $5.95 Precio para 100+ $5.67 Precio para 250+ $4.72 Precio para 500+ $4.43 Precio para Más precios…

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    Producto restringido
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    - - - - - - - - - 4Pines 150°C Serie GBPC3 -
    MJ21193G
    MJ21193G - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Audio, PNP, 250 V, 4 MHz, 250 W, 16 A, 75 hFE

    26K4522

    Transistor Bipolar (BJT) Individual, Audio, PNP, 250 V, 4 MHz, 250 W, 16 A, 75 hFE

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor, Polaridad PNP
    Diseño de Transistor TO-3
    Disipación de Potencia Pd 250W

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor Bipolar (BJT) Individual, Audio, PNP, 250 V, 4 MHz, 250 W, 16 A, 75 hFE

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    90 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 5/10/20

    Transistor, Polaridad PNP
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor TO-3
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 250W
    Núm. de Contactos 2Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
    Rango de Producto -
    Norma de Cualificación Automotriz -

    90 En stock

    1+ $9.83 Precio para 10+ $8.46 Precio para 25+ $7.96 Precio para 50+ $7.50 Precio para 100+ $7.02 Precio para 250+ $6.59 Precio para 500+ $6.18 Precio para Más precios…

    Cantidad

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    1+ $9.83 10+ $8.46 25+ $7.96 50+ $7.50 100+ $7.02 250+ $6.59 500+ $6.18 Más precios…

    Producto restringido
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    PNP - - - TO-3 - - - 250W 2Pines 200°C - -
    2N3906BU
    2N3906BU - Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, -40 V, 250 MHz, 625 mW, -200 mA, 30 hFE

    83C3144

    Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, -40 V, 250 MHz, 625 mW, -200 mA, 30 hFE

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor, Polaridad PNP
    Diseño de Transistor TO-92
    Disipación de Potencia Pd 625mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, -40 V, 250 MHz, 625 mW, -200 mA, 30 hFE

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    2,784 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    7,131 Unidades en existencia del Reino Unido: De 5 a 7 dias habiles para entrega de articulos en existencia

  • 10,000 más estarán disponibles el 2/09/20
  • Tendremos más stock disponible la semana del 7/12/20

    Transistor, Polaridad PNP
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor TO-92
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 625mW
    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Norma de Cualificación Automotriz -

    9,915 En stock

    1+ $0.353 Precio para 10+ $0.235 Precio para 100+ $0.101 Precio para 500+ $0.086 Precio para 1000+ $0.07 Precio para 2500+ $0.056 Precio para 10000+ $0.048 Precio para 25000+ $0.046 Precio para Más precios…

    Cantidad

    Each

    1+ $0.353 10+ $0.235 100+ $0.101 500+ $0.086 1000+ $0.07 2500+ $0.056 10000+ $0.048 25000+ $0.046 Más precios…

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    PNP - - - TO-92 - - - 625mW 3Pines 150°C - -
    MMBD914LT1G
    MMBD914LT1G - Diodo de Señal Pequeña, Conmutación, Único, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA

    88H4778

    Diodo de Señal Pequeña, Conmutación, Único, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA

    ON SEMICONDUCTOR

    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie MMBD9

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo de Señal Pequeña, Conmutación, Único, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA

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    15,159 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    7,632 Unidades en existencia del Reino Unido: De 5 a 7 dias habiles para entrega de articulos en existencia

    Tendremos más stock disponible la semana del 14/09/20

    Transistor, Polaridad -
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie MMBD9
    Norma de Cualificación Automotriz AEC-Q101

    22,791 En stock

    1+ $0.17 Precio para 25+ $0.119 Precio para 50+ $0.081 Precio para 100+ $0.062 Precio para 250+ $0.049 Precio para 500+ $0.04 Precio para 1000+ $0.032 Precio para 2500+ $0.024 Precio para Más precios…

    Cantidad

    Each (Supplied on Cut Tape)

    1+ $0.17 25+ $0.119 50+ $0.081 100+ $0.062 250+ $0.049 500+ $0.04 1000+ $0.032 2500+ $0.024 Más precios…

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    - - - - - - - - - 3Pines 150°C Serie MMBD9 AEC-Q101
    2N3055G
    2N3055G - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 115 W, 15 A, 70 hFE

    98H1011

    Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 115 W, 15 A, 70 hFE

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor, Polaridad NPN
    Diseño de Transistor TO-204AA
    Disipación de Potencia Pd 115W

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 60 V, 2.5 MHz, 115 W, 15 A, 70 hFE

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    47 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

  • 200 más estarán disponibles el 12/08/20
  • 200 más estarán disponibles el 1/09/20
  • Tendremos más stock disponible la semana del 21/09/20

    Transistor, Polaridad NPN
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor TO-204AA
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 115W
    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
    Rango de Producto Serie 2NXXXX
    Norma de Cualificación Automotriz -

    47 En stock

    1+ $7.94 Precio para 10+ $6.78 Precio para 25+ $6.49 Precio para 50+ $6.19 Precio para 100+ $5.90 Precio para 250+ $5.61 Precio para 500+ $5.05 Precio para Más precios…

    Cantidad

    Each

    1+ $7.94 10+ $6.78 25+ $6.49 50+ $6.19 100+ $5.90 250+ $5.61 500+ $5.05 Más precios…

    Producto restringido
    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    NPN - - - TO-204AA - - - 115W 3Pines 200°C Serie 2NXXXX -
    GBPC3510
    GBPC3510 - Puente Rectificador, Monofásico, 1 kV, 35 A, Módulo, 1.1 V, 4 Pines

    18C6691

    Puente Rectificador, Monofásico, 1 kV, 35 A, Módulo, 1.1 V, 4 Pines

    ON SEMICONDUCTOR

    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie GBPC3

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Puente Rectificador, Monofásico, 1 kV, 35 A, Módulo, 1.1 V, 4 Pines

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    2,068 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    Tendremos más stock disponible la semana del 30/11/20

    Transistor, Polaridad -
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Núm. de Contactos 4Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie GBPC3
    Norma de Cualificación Automotriz -

    2,068 En stock

    1+ $4.73 Precio para 10+ $4.04 Precio para 25+ $3.87 Precio para 50+ $3.69 Precio para 100+ $3.52 Precio para 250+ $3.35 Precio para 500+ $3.02 Precio para Más precios…

    Cantidad

    Each

    1+ $4.73 10+ $4.04 25+ $3.87 50+ $3.69 100+ $3.52 250+ $3.35 500+ $3.02 Más precios…

    Producto restringido
    Agregar
    Min: 1 Mult: 1
    - - - - - - - - - 4Pines 150°C Serie GBPC3 -
    1N4007RLG
    1N4007RLG - Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

    83K4250

    Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

    ON SEMICONDUCTOR

    Núm. de Contactos 2
    Temperatura de Trabajo Máx. 175°C

    + Ver toda la información del producto

    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A

    + Verificar existencias y plazos de entrega

    11,758 en stock para envío el mismo día: pedido antes de las 8 p.m. (lunes a viernes, excluye los feriados nacionales)

    23,983 Unidades en existencia del Reino Unido: De 5 a 7 dias habiles para entrega de articulos en existencia

    Tendremos más stock disponible la semana del 21/09/20

    Transistor, Polaridad -
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd -
    Núm. de Contactos 2
    Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
    Rango de Producto -
    Norma de Cualificación Automotriz -

    35,741 En stock

    1+ $0.276 Precio para 25+ $0.252 Precio para 50+ $0.172 Precio para 100+ $0.092 Precio para 250+ $0.081 Precio para 500+ $0.072 Precio para 1000+ $0.062 Precio para Más precios…

    Cantidad

    Each (Supplied on Cut Tape)

    1+ $0.276 25+ $0.252 50+ $0.172 100+ $0.092 250+ $0.081 500+ $0.072 1000+ $0.062 Más precios…

    Producto restringido
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    Min: 1 Mult: 1
    - - - - - - - - - 2 175°C - -
    1N4733A
    1N4733A - Diodo Zener Individual, Serie 1N47, 5.1 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 Pines, 200 °C

    38C7680

    Diodo Zener Individual, Serie 1N47, 5.1 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 Pines, 200 °C

    ON SEMICONDUCTOR

    Disipación de Potencia Pd 1W
    Núm. de Contactos 2Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 200°C

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Diodo Zener Individual, Serie 1N47, 5.1 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 Pines, 200 °C

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    Transistor, Polaridad -
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor -
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 1W
    Núm. de Contactos 2Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 200°C
    Rango de Producto Serie 1N47xxA
    Norma de Cualificación Automotriz -

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    Producto restringido
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    - - - - - - - - 1W 2Pines 200°C Serie 1N47xxA -
    MMBT3904LT1G
    MMBT3904LT1G - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 200 mA, 300 hFE

    83H7337

    Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 200 mA, 300 hFE

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor, Polaridad NPN
    Diseño de Transistor SOT-23
    Disipación de Potencia Pd 300mW

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    Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 200 mA, 300 hFE

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    Transistor, Polaridad NPN
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor SOT-23
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 300mW
    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto Serie MMBTxxxx
    Norma de Cualificación Automotriz AEC-Q101

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    Each (Supplied on Cut Tape)

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    Producto restringido
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    NPN - - - SOT-23 - - - 300mW 3Pines 150°C Serie MMBTxxxx AEC-Q101
    MPSA06
    MPSA06 - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Darlington, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE

    58K9460

    Transistor Bipolar (BJT) Individual, Darlington, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE

    ON SEMICONDUCTOR

    Transistor, Polaridad NPN
    Diseño de Transistor TO-92
    Disipación de Potencia Pd 625mW

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    ON SEMICONDUCTOR 

    Transistor Bipolar (BJT) Individual, Darlington, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE

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    Transistor, Polaridad NPN
    Voltaje de Drenaje-Fuente Vds -
    Intensidad Drenador Continua Id -
    Resistencia de Activación Rds(on) -
    Diseño de Transistor TO-92
    Montaje de Transistor -
    Tensión Vgs de Medición Rds(on) -
    Tensión Umbral Vgs -
    Disipación de Potencia Pd 625mW
    Núm. de Contactos 3Pines
    Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
    Rango de Producto -
    Norma de Cualificación Automotriz -

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    Min: 1 Mult: 1
    NPN - - - TO-92 - - - 625mW 3Pines 150°C - -