Semiconductores - Discretos

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Transistor, Polaridad Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo Corriente de Colector DC Disipación de Potencia Pd Diseño de Transistor Montaje de Transistor Núm. de Contactos Frecuencia de Transición ft Ganancia de Corriente DC hFE Temperatura de Trabajo Máx. Rango de Producto Norma de Cualificación Automotriz
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
KSA992FTA
KSA992FTA - Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-226AA, Agujero Pasante

31Y2153

Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-226AA, Agujero Pasante

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PNP 120V 50mA 500mW TO-226AA Agujero Pasante 3Pines 100MHz 300hFE 150°C - -
NTHL190N65S3HF
NTHL190N65S3HF - MOSFET, N-CH, 650V, 20A, TO-247

99AC9410

MOSFET, N-CH, 650V, 20A, TO-247

ON SEMICONDUCTOR

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1N4747ATR
1N4747ATR - Diodo Zener Individual, 20 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 Pines, 200 °C

05R0364

Diodo Zener Individual, 20 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 Pines, 200 °C

ON SEMICONDUCTOR

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- - - 1W - - 2Pines - - 200°C - -
J109
J109 - Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, JFET

58K1756

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, JFET

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- - - - TO-92 - - - - 150°C - -
1N5404G
1N5404G - Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 3 A, Único, 1 V, 125 A

42K2935

Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 3 A, Único, 1 V, 125 A

ON SEMICONDUCTOR

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- - - - - - 2Pines - - 150°C - -
FQP50N06
FQP50N06 - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220, Agujero Pasante

58K1528

MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220, Agujero Pasante

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Canal N - - 120W TO-220 Agujero Pasante 3Pines - - 175°C - -
FQP30N06L
FQP30N06L - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante

20C4477

MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante

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Canal N - - 79W TO-220AB Agujero Pasante 3Pines - - 175°C - -
2N6488G
2N6488G - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 80 V, 15 A, 75 W, TO-220AB

72J1873

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 80 V, 15 A, 75 W, TO-220AB

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NPN 80V 15A 75W TO-220AB Agujero Pasante 3Pines 5MHz 5hFE 150°C Serie 2NXXXX -
MMSZ5242BT1G
MMSZ5242BT1G - DIODE, ZENER, 12V, 0.5W

58M9232

DIODE, ZENER, 12V, 0.5W

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1N4751A
1N4751A - Diodo Zener Individual, Serie 1N47, 30 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 Pines, 200 °C

18C8967

Diodo Zener Individual, Serie 1N47, 30 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 Pines, 200 °C

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1+ $0.023 10+ $0.023 100+ $0.023 500+ $0.023 1000+ $0.023

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- - - 1W - - 2Pines - - 200°C Serie 1N47xxA -
MBR745G
MBR745G - Rectificador Schottky, 45 V, 7.5 A, Único, TO-220AC, 2 Pines, 840 mV

45J0808

Rectificador Schottky, 45 V, 7.5 A, Único, TO-220AC, 2 Pines, 840 mV

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1+ $0.955 10+ $0.798 100+ $0.568 500+ $0.496 1000+ $0.428 2500+ $0.403 Más precios…

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- - - - - - 2Pines - - 175°C Serie MBR74 -
MURD620CTG
MURD620CTG - Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 6 A, Cátodo Común Doble, 1.13 V, 35 ns, 50 A

98H0860

Diodo Rápido / Ultrarápido, 200 V, 6 A, Cátodo Común Doble, 1.13 V, 35 ns, 50 A

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1+ $1.17 10+ $1.05 100+ $0.815 500+ $0.673 1000+ $0.586

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- - - - - - - - - 175°C Serie MURD6 -
MJE5742G
MJE5742G - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Darlington, NPN, 400 V, 8 A, 100 W, TO-220, Agujero Pasante

26K4468

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Darlington, NPN, 400 V, 8 A, 100 W, TO-220, Agujero Pasante

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1+ $1.65 10+ $1.41 100+ $1.12 500+ $0.951 1000+ $0.831

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NPN 400V 8A 100W TO-220 Agujero Pasante 3Pines - 400hFE 150°C - -
RFP70N06
RFP70N06 - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 70 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante

58K2128

MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 70 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante

ON SEMICONDUCTOR

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1+ $2.16 10+ $1.84 100+ $1.45 500+ $1.25 1000+ $1.09

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Canal N - - 150W TO-220AB Agujero Pasante 3Pines - - 175°C - -
MMBF170
MMBF170 - MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

58K9427

MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

ON SEMICONDUCTOR

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1+ $0.378 10+ $0.263 100+ $0.129 500+ $0.109

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Canal N - - 300mW SOT-23 Montaje Superficial 3Pines - - 150°C - -
MURS360T3G
MURS360T3G - Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 3 A, Único, 1.28 V, 75 ns, 75 A

88H4945

Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 3 A, Único, 1.28 V, 75 ns, 75 A

ON SEMICONDUCTOR

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1+ $0.84 10+ $0.721 100+ $0.537 500+ $0.421

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- - - - - - - - - 175°C Serie MURS3 AEC-Q101
BC33740TA
BC33740TA - Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Agujero Pasante

82C0367

Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 45 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Agujero Pasante

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1+ $0.324 10+ $0.266 100+ $0.111 500+ $0.094 1000+ $0.066

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NPN 45V 800mA 625mW TO-92 Agujero Pasante 3Pines 100MHz 170hFE 150°C - -
LL4148
LL4148 - Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

05W3302

Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A

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1+ $0.114 10+ $0.078 100+ $0.042 500+ $0.033

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- - - - - - 2Pines - - 175°C - -
GBPC3506
GBPC3506 - Puente Rectificador, Monofásico, 600 V, 35 A, Módulo, 1.1 V, 4 Pines

58K8890

Puente Rectificador, Monofásico, 600 V, 35 A, Módulo, 1.1 V, 4 Pines

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1+ $4.41 10+ $3.77 25+ $3.53 50+ $3.29 100+ $3.06 250+ $2.89 Más precios…

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- - - - - - 4Pines - - 150°C Serie GBPC3 -
MJ15004G
MJ15004G - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Audio, PNP, 140 V, 20 A, 250 W, TO-3, Agujero Pasante

26K4514

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Audio, PNP, 140 V, 20 A, 250 W, TO-3, Agujero Pasante

ON SEMICONDUCTOR

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1+ $9.34 10+ $8.43 25+ $8.05 50+ $7.51 100+ $7.00

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PNP 140V 20A 250W TO-3 Agujero Pasante 2Pines 2MHz 150hFE 200°C - -
MMSZ5248BT1G
MMSZ5248BT1G - DIODE, ZENER, 18V, 0.5W

58M9234

DIODE, ZENER, 18V, 0.5W

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1+ $0.225 10+ $0.196 100+ $0.071 500+ $0.058

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1N914
1N914 - Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A

58K9617

Diodo de Señal Pequeña, Único, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A

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1+ $0.12 10+ $0.071 100+ $0.038 500+ $0.032 1000+ $0.022 2500+ $0.018 Más precios…

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- - - - - - 2Pines - - 175°C Serie 1N914 -
HGTG11N120CND
HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 1.2 kV, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines

58K8900

IGBT, 43 A, 1.2 kV, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines

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1+ $1.51 10+ $1.51 25+ $1.51 50+ $1.51 100+ $1.51 250+ $1.51 Más precios…

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- 1.2kV 43A 298W TO-247 - 3Pines - - 150°C - -
2N5192G
2N5192G - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Agujero Pasante

72J1869

Transistor Bipolar (BJT) Individual, Uso general, NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Agujero Pasante

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1+ $0.734 10+ $0.614 100+ $0.438 500+ $0.382 1000+ $0.329 2500+ $0.31 Más precios…

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NPN 80V 4A 40W TO-225 Agujero Pasante 3Pines 2MHz 2hFE 150°C Serie 2NXXXX -
MMBT4401LT3G
MMBT4401LT3G - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 20 RoHS Compliant: Yes

90W4494

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 20 RoHS Compliant: Yes

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1+ $0.15 10+ $0.126 100+ $0.045 500+ $0.035

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