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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN10H700S-13
No. Parte Newark28AK8468
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.386 |
| 10+ | $0.235 |
| 25+ | $0.205 |
| 50+ | $0.177 |
| 100+ | $0.148 |
| 250+ | $0.129 |
| 500+ | $0.110 |
| 1000+ | $0.088 |
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Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN10H700S-13
No. Parte Newark28AK8468
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id700mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.54ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia400mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
700mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.54ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Disipación de Potencia
400mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto