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DMP65H20D0HSS-13
POWER MOSFET, 600V, 0.2A, SOIC-8 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP65H20D0HSS-13
No. Parte Newark76AJ4286
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.070 |
| 10+ | $1.390 |
| 25+ | $1.250 |
| 50+ | $1.120 |
| 100+ | $0.981 |
| 250+ | $0.897 |
| 500+ | $0.812 |
| 1000+ | $0.758 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP65H20D0HSS-13
No. Parte Newark76AJ4286
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id200mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente15.4ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia1.9W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
15.4ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.9W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
200mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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