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GA10JT12-263
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 10 A, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK)
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 20 semana(s)
Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteGA10JT12-263
No. Parte Newark08X5868
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id10
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)-
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd94W
No. de Pines3Pines
Disipación de Potencia94
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia Pd
94W
Disipación de Potencia
94
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia de Activación Rds(on)
-
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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