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G3F09MT12GB4
MOSFET de carburo de silicio, Puente Completo, Canal N, 104 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Module
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3F09MT12GB4
No. Parte Newark39AM8765
Rango de ProductoSiCPAK G Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $250.940 |
| 5+ | $247.220 |
| 10+ | $243.600 |
| 25+ | $228.980 |
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3F09MT12GB4
No. Parte Newark39AM8765
Rango de ProductoSiCPAK G Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETPuente Completo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id104
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0125
Diseño de TransistorModule
No. de Pines34Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3
Disipación de Potencia216
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoSiCPAK G Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Puente Completo
Intensidad Drenador Continua Id
104
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0125
No. de Pines
34Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
216
Rango de Producto
SiCPAK G Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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