Proporcionan un máximo rendimiento confiable y económico

Las megatendencias como la digitalización, la urbanización y la electromovilidad conducen a un mayor consumo de energía, lo que hace que la eficiencia energética sea un aspecto central. Infineon responde ofreciendo soluciones de sistema completo de una sola fuente, y se basa, ya no solo en su reconocida tecnología de silicio, sino también en los innovadores dispositivos de banda ancha como los MOSFET CoolSiC™ basados en SiC.

La tecnología MOSFET CoolSiC™ de Infineon aprovecha las potentes características físicas del carburo de silicio (SiC), como la capacidad de funcionar a voltajes, temperaturas y frecuencias más altos. Al agregar características únicas, Infineon consigue aumentar aún más el rendimiento del dispositivo. Al aplicar la tecnología superior TRENCH de Infineon, el uso de los MOSFET CoolSiC™ garantiza una menor pérdida en la aplicación y una mayor confiabilidad en el funcionamiento.

Los MOSFET CoolSiC™ son adecuados para altas temperaturas y operaciones más hostiles. Como resultado, es posible un despliegue simplificado y económico de alta eficiencia del sistema en una amplia gama de aplicaciones.

Beneficios en la aplicación

Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS)

Soporta alta eficiencia con un funcionamiento las 24 horas del día, los 7 días de la semana, y reduce las pérdidas de energía en un 50 %.

Fuente de alimentación para servidor

Ahorro de OPEX mediante el aumento de la eficiencia energética con hasta un 30 % menos de pérdidas

Cargadores rápidos de EV

Carga de vehículos eléctricos 2 veces más rápida

Almacenamiento de energía

Pérdidas reducidas en un 50 % por energía extra

Fuente de alimentación para telecomunicaciones

Diseño simplificado y apto para entornos 5G hostiles

Inversores solares

Duplicación de la potencia del inversor con el mismo peso del inversor

NUEVA variante de empaquetado: MOSFET CoolSiC™ de 650 V en PAQUETE D2 de 7 pines

  • Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes más altas
  • Diodo de cuerpo rápido de conmutación robusto con menor carga de recuperación inversa baja (Qrr)
  • Confiabilidad superior del óxido de puerta
  • Tj,max=175 °C y excelente comportamiento térmico
  • Bajo RDS(on) y dependencia de la corriente de impulso con respecto a la temperatura
  • Mayor capacidad de avalancha
  • Compatible con controladores estándar (voltaje de activación recomendado: 0 V-18 V)
  • La fuente Kelvin proporciona pérdidas de conmutación de hasta 4 veces menor

MOSFET CoolSiC™ de 650 V

El CoolSiC™ de 650 V está construido a partir de la tecnología de carburo de silicio sólido desarrollada en Infineon durante más de 20 años. Mediante el aprovechamiento de las características del material SiC de banda ancha, el MOSFET CoolSiC™ de 650 V ofrece una combinación única de rendimiento, confiabilidad y facilidad de uso. Adecuado para altas temperaturas y operaciones hostiles, permite el despliegue simplificado y económico de la más alta eficiencia del sistema.

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MOSFET de potencia CoolSiC™

Número de pieza:EspecificacionesPaqueteComprar ahora
IMBG65R022M1HTrench MOSFET CoolSiC™ basado en SiC de 650 V, 22 mΩTO-263-7Buy now
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TDI EiceDRIVER™ 1EDN

Supere los desafíos de cambio de tierra en su diseño con los IC de control de compuerta EiceDRIVER™ de un solo canal no aislado de Infineon, que tienen entradas verdaderamente diferenciales. Complementa perfectamente los MOSFET CoolSiC™.

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EiceDRIVER™ 2EDi

DSO de 16 pines y 150 mil La familia de productos EiceDRIVER™ 2EDi, de doble canal aislado, de IC de control de compuerta, está diseñada para un funcionamiento robusto en medios puentes MOSFET CoolMOS™, CoolSiC™ y OptiMOS™ de alto rendimiento.

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IC de control de compuerta para MOSFET CoolSiC™

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2EDF9275FIC de control de compuerta de doble canal con aislamiento de entrada a salida funcional, UVLO 13 VNB-DSO16 10mmx6mmComprar ahora
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1EDN7550BControl de compuerta de un solo canal no aislado con entradas realmente diferencialesSOT-23Comprar ahora
2EDS9265HIC de control de compuerta de doble canal con aislamiento de entrada a salida reforzado, UVLO 13 VWB-DSO16 10.3mmx10.3mmComprar ahora

EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC

Unidad PFC tótem bidireccional CCM de 3300 W que utiliza CoolSiC™ de 650 V, CoolMOS™ C7 de 600 V y control digital con XMC™.

Esta placa de evaluación es una solución de sistema para un corrector del factor de potencia (PFC) de tótem sin puente con capacidad de potencia bidireccional. La placas de evaluación EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC se adaptan a aplicaciones que requieren una alta eficiencia (~99 %) y una alta densidad de potencia (72 W/in3), como los servidores y las telecomunicaciones de gama alta. Además, la capacidad de flujo de potencia bidireccional permite utilizar este diseño en cargadores de baterías o aplicaciones de creación de baterías.

Características clave

  • PFC de tótem sin puente de alta eficiencia
  • Alta densidad de potencia
  • Habilitado por MOSFET CoolSiC™ de 650 V
  • Controlado digitalmente con XMC1404
  • Capacidad bidireccional (funcionamiento CC-CA)

Beneficios

  • Eficiencia cercana al 99 %
  • Factor de forma compacto (72 W/in3)
  • Cantidad de componentes baja
  • Funcionamiento bidireccional (control digital)

Aplicaciones potenciales

  • Sistemas de almacenamiento de energía
  • Creación de batería
  • Carga
  • Carga de EV
  • Electromovilidad
  • Alimentación industrial
  • Fuente de alimentación (SMPS)
  • Robótica - Vehículos de guiado automático
  • Telecomunicaciones

EVAL_3KW_50V_PSU

Solución SMPS de 3 kW dirigida a las especificaciones del rectificador Open Compute V3

Este diseño presenta una solución de sistema completa de Infineon para una fuente de alimentación (PSU) de 3 kW que apunta a las especificaciones del rectificador OCP V3 para servidores y centros de datos. La PSU consta de un convertidor tótem sin puente CA-CC en la parte frontal, seguido de un convertidor LLC de medio puente aislado DC-DC en el extremo posterior. El convertidor tótem en la parte frontal proporciona corrección del factor de potencia (PFC) y distorsión armónica total (THD). El convertidor LLC proporciona un aislamiento de seguridad y un voltaje de salida estrictamente regulado. 

Características clave

  • Fuente de alimentación completa dirigida a las especificaciones del rectificador Open Compute V3
  • Eficiencia de pico muy alta
  • PFC tótem sin puente con CoolSiC™
  • LLC de medio puente con CoolMOS™ y OptiMOS™
  • Control digital completo con microcontroladores XMCTM

Beneficios

  • Factor de forma del rectificador Open Compute V3 (PSU) (dimensiones totales)
  • 95 % de pico de eficiencia (ventilador no incluido) a 230 VAC
  • Muy alta eficiencia que combina CoolSiC™, CoolMOS™ y OptiMOS™
  • Tiempo de espera de 20 ms a plena carga
  • Prueba de cumplimiento previo de EMC de clase B

Aplicaciones potenciales

  • Servidores y centros de datos