“CoolGaN es la mejor elección. ¿Por qué?”

Si sabe que Infineon es un proveedor líder de los MOSFET de potencia de calidad superior, está totalmente en lo correcto.

Sin embargo, esto es solamente la mitad de la historia. Para todos los interruptores de alta tensión, Infineon además ofrece IC controladores de puerta que coinciden perfectamente con todo tipo de configuraciones, clases de voltaje, niveles de aislamiento, características de protección y opciones de embalaje. De esta forma, usted como cliente puede obtener las ventajas de una conmutación rápida y un rendimiento optimizado y general del sistema.

Los IC controladores de puerta de Infineon se desarrollaron con el aprovechamiento de la experiencia en aplicaciones de la empresa y conocimientos fundamentales avanzados en tecnología, lo que permite garantizar que son adecuados para varias aplicaciones.

Debido a la tendencia hacia una mayor densidad de potencia en el mercado de fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) de alta potencia, se necesitan interruptores más veloces. De forma simultánea, se deben encontrar las formas para enfrentar los retos de diseño, como los elementos parásitos, las limitaciones de las placas y los posibles problemas térmicos. Con las carteras de MOSFET de superunión de CoolMOS™ (con tecnología de silicio) y el recientemente lanzado CoolGaN™ (con tecnología del nitruro de galio), Infineon ofrece soluciones para superar esos retos.

Júntelos y disfrute de la comodidad de obtener todo lo que necesita de un solo experto.

Interruptores y controladores con la tecnología del nitruro de galio

HEMT de 600 V con modo de mejora de CoolGaN™: mayor eficacia y niveles de densidad en el mercado de SMPS

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Con CoolGaN™, Infineon presenta una cartera de transistores de alta movilidad de electrones de GaN con modo de mejora (HEMT con e-mode) con un rendimiento en campo líder del sector, lo que permite que los sistemas confiables y resistentes tengan un costo de sistema general atractivo. Los transistores CoolGaN™ se fabrican con la tecnología del GaN más confiable y están personalizados para ofrecer la eficacia y los niveles de densidad líderes del mercado en cuanto a fuentes de alimentación de modo conmutado. El método de calificación según la aplicación va más allá de la de otros productos de GaN del mercado.

GaN de alta tensión que impulsa a los IC controladores de puerta de GaN de EiceDRIVER™: controladores de puerta aislados galvánicamente con un canal para los HEMT de GaN con modo de mejora

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La cartera recientemente lanzada de interruptores GoolGaN™ de Infineon es fácil de usar gracias a una cartera de IC controladores de puerta que coinciden perfectamente con otros dispositivos. Mediante la presentación de la familia de productos de GaN de EiceDRIVER™, Infineon amplía su gama de IC controladores de puerta aislados galvánicamente de un canal. Los nuevos componentes con gran corriente de puerta para una topología de encendido rápido y de control de puerta sólido se desarrollaron para optimizar el rendimiento de los HEMT de GaN con modo de mejora, que tienen puerta sin aislamiento (característica de entrada del diodo) y voltaje umbral bajo. La complejidad resultante del controlador se redujo significativamente (esfuerzo intermedio en cuanto al diseño), ya que no se necesitan más controladores personalizados.

Interruptores y controladores con la tecnología de silicio

MOSFET de superunión con fuente el grados Kelvin de CoolMOS™

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Con los productos MOSFET de superunión (SJ) de CoolMOS™, Infineon establece nuevos estándares de eficiencia energética, densidad de potencia y facilidad de uso, lo que le permite ostentar sus cifras de mérito en cuanto a conducción, conmutación y pérdidas de conducción.

La cartera más amplia en el mercado de productos MOSFET de superunión basados en el silicio impresiona con gran granularidad del parámetro RDS (ON), el mejor RDS (ON) por paquete de su clase, la mayor eficacia con una tasa mejorada de precio/rendimiento y un EOSS y Qg bajos.

MOSFET de SJ de 600 V de CoolMOS™ G7 y diodo Schottky de G6 de CoolSiC™ en paquete de DPAK doble (DDPAK)

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Con un MOSFET de SJ de 600 V de CoolMOS™ G7 y un diodo Schottky de G6 de 650 V de CoolSiC™ (disponibles en un paquete DDPAK), Infineon proporciona una solución de sistema para topologías de conmutación sólidas de alto amperaje, como PFC, y una solución de eficacia de alto nivel para las topologías de condiciones de carga ligera (LLC). Ya que combina la oferta de DDPAK con la familia de controladores de puerta de un canal de lado inferior de Infineon, que tiene entradas realmente diferenciales (1EDN TDI), se habilitan las soluciones optimizadas de sistemas para diseños de alta potencia.

IC controladores de puerta sin aislamiento, de lado inferior y con un solo canal tipo EiceDRIVER™, 1EDN7550 y 1EDN8550 con entradas realmente diferenciales

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Los IC controladores de puerta sin aislamiento, de lado inferior y con un solo canal tipo EiceDRIVER™, 1EDN7550 y 1EDN8550 de Infineon, recientemente lanzados, tienen entradas realmente diferenciales. Por lo tanto, se adaptan perfectamente a las SMPS con desafíos de cambio de tierra. En cuanto a sus características, las entradas de control de señal son en gran medida independientes del potencial de tierra. Solamente es importante la diferencia de tensión entre los contactos de la entrada. Esto impide la activación falsa de los MOSFET de potencia.