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BSZ034N04LSATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 40 A, 0.0034 ohm, TSDSON, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ034N04LSATMA1
No. Parte Newark13AC8350
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia de Activación Rds(on)0.0027ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3400µohm
Diseño de TransistorTSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd52W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia52
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0027ohm
Diseño de Transistor
TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3400µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
52W
Disipación de Potencia
52
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza BSZ034N04LSATMA1
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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