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IMDQ75R020M1HXUMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 81 A, 750 V, 0.018 ohm, HDSOP
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMDQ75R020M1HXUMA1
No. Parte Newark03AM7980
Rango de ProductoCoolSiC G1 Series
745 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $16.090 |
| 10+ | $12.950 |
| 25+ | $12.490 |
| 50+ | $12.040 |
| 100+ | $11.590 |
| 250+ | $11.590 |
| 500+ | $11.580 |
| 1500+ | $11.540 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMDQ75R020M1HXUMA1
No. Parte Newark03AM7980
Rango de ProductoCoolSiC G1 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id81A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018ohm
Diseño de TransistorHDSOP
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia326W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC G1 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
81A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018ohm
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
HDSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
326W
Rango de Producto
CoolSiC G1 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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