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IMT65R107M1HXUMA1
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 26A, HSOF ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMT65R107M1HXUMA1
No. Parte Newark29AM8486
Rango de ProductoCoolSiC G1 Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 30 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.270 |
| 10+ | $4.280 |
| 25+ | $3.920 |
| 50+ | $3.570 |
| 100+ | $3.230 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.27
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMT65R107M1HXUMA1
No. Parte Newark29AM8486
Rango de ProductoCoolSiC G1 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id26A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.141ohm
Diseño de TransistorHSOF
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.7V
Disipación de Potencia138W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC G1 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
26A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.141ohm
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.7V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
HSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
138W
Rango de Producto
CoolSiC G1 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto