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IPB018N03LF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 30V, 125A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB018N03LF2SATMA1
No. Parte Newark49AM8342
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 33 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.320 |
| 10+ | $2.960 |
| 25+ | $2.720 |
| 50+ | $2.480 |
| 100+ | $2.220 |
| 250+ | $1.960 |
| 500+ | $1.830 |
| 1600+ | $1.750 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.32
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB018N03LF2SATMA1
No. Parte Newark49AM8342
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id125A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1800µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.35V
Disipación de Potencia167W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
125A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
167W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.35V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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