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IPG20N10S4L35ATMA1
MOSFET Doble, Canal N, 100 V, 20 A, 0.029 ohms, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N10S4L35ATMA1
No. Parte Newark13AC9060
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Hoja de datos técnicos
10,719 En Stock
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10539 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.770 |
| 10+ | $1.130 |
| 25+ | $1.040 |
| 50+ | $0.939 |
| 100+ | $0.845 |
| 250+ | $0.775 |
| 500+ | $0.705 |
| 1000+ | $0.622 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.77
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N10S4L35ATMA1
No. Parte Newark13AC9060
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente29
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente29
Diseño de TransistorTDSON
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N43
Disipación de Potencia de Canal P43
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS T2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia -T2 OptiMOS™
- Nivel lógico de doble canal N - modo de mejora
- Automotriz calificado AEC Q101
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Probado avalancha 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
29
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
43
Rango de Producto
OptiMOS T2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
29
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia de Canal N
43
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPG20N10S4L35ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto