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IRF7324TRPBF
MOSFET Dual, Doble Canal P, 20 V, 9 A
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- Fabricante:
- INFINEON INFINEON
- No. Parte Fabricante:
- IRF7324TRPBF
- No. Parte Newark
- 42Y0410
- Rango de productos
- HEXFET Series
- También conocido como:
- SP001570196
- Hoja de datos técnicos:
- IRF7324TRPBF Ficha de datos
Selector de rango de producto (HEXFET Series)
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IRF7324TRPBF is a HEXFET® power MOSFET. This from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management applications.
- Trench technology, ultra-low on-resistance
- Dual P-Channel MOSFET, low Profile (<1.1mm)
- Drain-to-source breakdown voltage is -20V (min, VGS = 0V, ID = -250µA)
- Breakdown voltage temp. coefficient is -0.02V/°C (typ, reference to 25°C, ID = -1mA)
- 0.018ohm static drain-to-source on-resistance (max, VGS = -4.5V, ID = -9.0A)
- Gate threshold voltage range from -0.45 to -1.0V (VDS = VGS, ID = -250µA)
- Drain-to-source leakage current is -1.0µA (max, VDS = -16V, VGS = 0V)
- 42nC typical total gate charge (ID = -9.0A)
- 630pF output capacitance (typ, VDS = -15V)
- SO-8 package, junction and storage temperature range from -55 to + 150°C
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Información del producto
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- Doble Canal P
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- Canal P
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- 9A
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- 20V
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- 20V
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- 0.018ohm
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- 9A
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- 4.5V
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- 1V
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- Montaje Superficial
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- 0.018ohm
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- 2W
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- SOIC
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- 8Pines
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- 150°C
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- 2W
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- HEXFET Series
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- MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
También conocido como
SP001570196
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